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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2013/08/05 不服
2012 -13879 
半導体素子の銅金属配線形成方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/07/10 不服
2012 -8825 
前駆物質を含むソースキャニスタ及びこれを用いて特徴部を充填する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 上杉 浩 その他   アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2013/07/03 不服
2012 -20771 
炭化ケイ素デバイス用のエッジ終端構造およびエッジ終端構造を含む炭化ケイ素デバイスの製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2013/07/01 不服
2012 -21557 
半導体装置およびその製造方法と、積層型半導体集積回路 本件審判の請求は、成り立たない。 石橋 政幸 その他   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/06/28 不服
2012 -16657 
低温で基板のステップカバレージを改良する方法及び装置 本件審判の請求は,成り立たない。 上杉 浩 その他   アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2013/06/24 不服
2012 -11190 
無電解薄膜析出法により平坦化銅相互接続層を形成する方法および装置 本件審判の請求は、成り立たない。 伊東 忠重 その他   ラム リサーチ コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2013/06/10 不服
2012 -23037 
燃料電池用カートリッジ及び燃料電池 本件審判の請求は,成り立たない。   富士通株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/05/30 不服
2012 -7486 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/05/22 不服
2012 -16293 
シリサイド化金属ゲートの形成のための方法 本件審判の請求は、成り立たない。 村上 博司 その他   インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2013/05/16 不服
2012 -11207 
装置の製造方法および装置 本件審判の請求は、成り立たない。   インテル・コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2013/05/02 不服
2012 -13044 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/04/09 不服
2012 -12302 
シリサイド成長ドーパント雪かき効果の使用による、デバイス中に階段接合の形成 本件審判の請求は,成り立たない。   アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2013/03/27 不服
2011 -22162 
気体絶縁配線構造集積回路 本件審判の請求は、成り立たない。   公益財団法人国際科学振興財団   原文 保存
該当なし  
2013/02/18 不服
2012 -9226 
トリプルゲートトランジスタを有する半導体素子 本件審判の請求は、成り立たない。 渡邊 隆   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/02/15 不服
2012 -4301 
炭化ケイ素MOSFETの製造方法および炭化ケイ素MOSFET 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   独立行政法人産業技術総合研究所   原文 保存
該当なし  
2013/02/04 不服
2012 -2532 
エアギャップを伴うダマシーン構造を有する半導体デバイスの製造方法およびエアギャップを伴うダマシーン構造を有する半導体デバイス 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 山田 卓二 その他   アイメック エヌエックスピー ビー ヴィ   原文 保存
該当なし  
2012/12/07 不服
2011 -24736 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/11/06 不服
2011 -25112 
ダイヤモンドのオーム性接合部の形成方法及びその接合部を有する金属電極の形成方法 本件審判の請求は、成り立たない。   独立行政法人産業技術総合研究所   原文 保存
該当なし  
2012/09/28 不服
2011 -2074 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 天城 聡   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/08/21 不服
2011 -16674 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 実広 信哉   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/07/30 不服
2011 -1326 
導体トラック配列 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   インフィネオン テクノロジーズ アーゲー   原文 保存
該当なし  
2012/07/23 不服
2010 -24065 
積層体の製造方法、半導体デバイスおよび半導体デバイスの製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。 林 恒徳   富士通株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/07/02 不服
2010 -17753 
半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/06/11 不服
2010 -13941 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド   原文 保存
該当なし  
2012/06/11 不服
2010 -13275 
信頼性向上のためのケイ化銅パッシベーション 本件審判の請求は、成り立たない。 加藤 伸晃 その他   アギア システムズ インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし  
2012/05/24 不服
2010 -25451 
エピタキシャルC49相のチタニウムシリサイド層を有する半導体素子の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/05/14 不服
2010 -13089 
電気的接続構造、その製造方法および半導体集積回路装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 林 恒徳   富士通株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/05/08 不服
2010 -22297 
金属配線の形成方法 本件審判の請求は、成り立たない。   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/04/17 不服
2010 -5766 
半導体デバイスの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 黒川 弘朗 その他   マグナチップセミコンダクター有限会社   原文 保存
該当なし  
2012/03/28 不服
2010 -5228 
層間絶縁構造およびその形成方法 本件審判の請求は,成り立たない。 安村 高明 その他   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし  

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