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現在の検索キーワード：井原純

287 件のヒット

審決年月日	審判番号	発明・考案の名称	結論	代理人	請求人
2012/07/17	不服 2010 -25722	電荷貯蔵絶縁膜を有する不揮発性メモリ素子及びその製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。	実広信哉	三星電子株式会社	原文	保存
該当なし
2012/06/26	不服 2010 -22648	半導体記憶素子の作製方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		株式会社半導体エネルギー研究所	原文	保存
該当なし
2012/06/21	不服 2010 -18122	配線膜の製造方法と電子部品の製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		株式会社東芝	原文	保存
該当なし
2012/06/21	不服 2010 -23439	圧電素子の充放電のための方法及び装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	矢野敏雄その他	ローベルトボツシユゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング	原文	保存
該当なし
2012/06/13	不服 2010 -7979	非揮発性SONSNOSメモリ	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		三星電子株式会社	原文	保存
該当なし
2012/04/18	不服 2010 -26800	半導体装置の製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		ルネサスエレクトロニクス株式会社	原文	保存
該当なし
2012/04/13	不服 2010 -14484	圧電アクチュエータの製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		京セラ株式会社	原文	保存
該当なし
2012/03/28	不服 2009 -10692	コンデンサ装置の形成方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	野村泰久	マイクロンテクノロジー, インク.	原文	保存
パリ条約
2012/03/02	不服 2010 -11705	円筒型キャパシタを含む半導体素子の製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	実広信哉その他	三星電子株式会社	原文	保存
該当なし
2012/01/12	不服 2010 -22877	圧電体素子およびインクジェット式記録ヘッド	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	上柳雅誉その他	セイコーエプソン株式会社	原文	保存
該当なし
2011/12/19	不服 2009 -5592	不揮発性メモリの消去方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		旺宏電子股▲ふん▼有限公司	原文	保存
該当なし
2011/12/16	不服 2010 -26286	Cｕ内部電極を備えた圧電トランス	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	星公弘その他	エプコスアクチエンゲゼルシャフト	原文	保存
パリ条約
2011/12/13	不服 2008 -32302	不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。		シャープ株式会社	原文	保存
該当なし
2011/10/25	不服 2009 -14891	半導体装置の製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	岡本啓三	株式会社アルバック富士通セミコンダクター株式会社	原文	保存
該当なし
2011/10/18	不服 2009 -19054	圧電磁器の分極法	本件審判の請求は、成り立たない。		京セラ株式会社	原文	保存
該当なし
2011/09/28	不服 2009 -20688	半導体記憶装置及び半導体装置並びに表示装置、液晶表示装置及び受像機	原査定を取り消す。本願の発明は,特許すべきものとする。		シャープ株式会社	原文	保存
該当なし
2011/09/26	不服 2008 -31238	半導体装置の製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。	碓氷裕彦その他	株式会社デンソー	原文	保存
該当なし
2011/07/06	不服 2008 -29132	スプリットゲートフラッシュメモリセル及びその製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。	仲村義平その他	トンブ・エレクトロニクス・カンパニー・リミテッド	原文	保存
該当なし
2011/07/06	不服 2008 -26280	半導体集積回路デバイスの製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は,特許すべきものとする。	越智隆夫その他	アルカテル-ルーセントユーエスエーインコーポレーテッド	原文	保存
該当なし
2011/06/28	不服 2009 -2185	メモリ・セルの形成方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	間山進也その他	キモンダアクチエンゲゼルシャフトインターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション	原文	保存
該当なし
2011/06/27	不服 2009 -16664	トランジスタ及びフラッシュメモリの製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。		ハイニックスセミコンダクターアメリカインコーポレイテッド	原文	保存
新規事項の追加
2011/05/30	不服 2009 -4098	スプリット・ゲート・メモリ装置	本件審判の請求は、成り立たない。	本田淳	フリースケールセミコンダクターインコーポレイテッド	原文	保存
新規事項の追加パリ条約
2011/04/25	不服 2009 -2734	半導体装置	原査定を取り消す。本願の発明は,特許すべきものとする。	福原淑弘その他	株式会社東芝	原文	保存
該当なし
2011/03/17	不服 2009 -6568	半導体装置の製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は,特許すべきものとする。		富士通セミコンダクター株式会社	原文	保存
該当なし
2011/02/17	不服 2009 -1437	半導体装置およびその製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	今江克実その他	パナソニック株式会社	原文	保存
該当なし
2010/11/16	不服 2007 -15201	埋め込みビット線および上昇されたソース線を持つ浮遊ゲート・メモリセルの半導体メモリ配列を形成するセルフアライメント方法及びその方法により製造されたメモリ配列	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	大塚文昭その他	シリコンストーリッジテクノロージーインコーポレイテッド	原文	保存
該当なし
2010/09/27	不服 2007 -17460	磁気記憶セルおよび磁気メモリ	本件審判の請求は、成り立たない。	宇谷勝幸その他	三星電子株式会社	原文	保存
該当なし
2010/06/21	不服 2007 -20356	垂直型分離ゲートフラッシュメモリセル及びその製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。		南亞科技股▲ふん▼有限公司	原文	保存
該当なし
2010/02/16	不服 2007 -15199	マグネチックラムおよびその形成方法	本件審判の請求は、成り立たない。	荒船良男	株式会社ハイニックスセミコンダクター	原文	保存
該当なし
2010/01/15	不服 2009 -963	MOSデバイスを製造する方法	原査定を取り消す。本願の発明は,特許すべきものとする。	深見久郎その他	アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド	原文	保存
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