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現在の検索キーワード: 井原 純

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2010/01/15 不服
2008 -1565 
不揮発性メモリデバイスを製作するための方法および不揮発性メモリセル 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 深見 久郎 その他   スパンジョン・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー   原文 保存
該当なし  
2009/12/28 不服
2007 -5702 
不揮発性半導体記憶装置 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社東芝   原文 保存
 新規性  
2009/10/30 不服
2006 -20397 
半導体装置及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 田村 和彦   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2009/09/14 不服
2006 -17027 
フラッシュメモリの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
該当なし  
2009/09/08 不服
2006 -22171 
境界領域の導電層形成を防止する半導体メモリ装置のゲート形成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 志賀 正武 その他   三星電子株式会社   原文 保存
 パリ条約  
2009/09/03 不服
2006 -21177 
半導体装置 本件審判の請求は,成り立たない。   富士通マイクロエレクトロニクス株式会社   原文 保存
 進歩性(29条2項)  29条1項3号  新規性  
2009/08/27 不服
2006 -21021 
半導体記憶装置およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社ルネサステクノロジ   原文 保存
該当なし  
2009/08/11 不服
2007 -27388 
絶縁分離型半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 永井 聡 その他   株式会社デンソー   原文 保存
該当なし  
2009/07/10 不服
2006 -17539 
半導体記憶装置の製造方法及び半導体記憶装置 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 野河 信太郎   舛岡 富士雄 シャープ株式会社   原文 保存
該当なし  
2009/06/26 不服
2006 -20685 
絶縁領域形成方法 本件審判の請求は、成り立たない。   マイクロン テクノロジー, インク.   原文 保存
該当なし  
2009/06/15 不服
2006 -21274 
半導体記憶装置 本件審判の請求は、成り立たない。 伊藤 高順   株式会社デンソー   原文 保存
該当なし  
2009/06/01 不服
2007 -11249 
半導体集積回路装置およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 筒井 大和   株式会社ルネサス北日本セミコンダクタ 株式会社ルネサステクノロジ   原文 保存
該当なし  
2009/06/01 不服
2006 -15958 
EEPROMセル及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 紺野 正幸 その他   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
該当なし  
2009/05/18 不服
2006 -16887 
不揮発性半導体記憶装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 村松 貞男 その他   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2009/03/18 不服
2008 -24142 
スタックトゲートエッジを保護するための方法 本件審判の請求は、成り立たない。 荒川 伸夫 その他   スパンジョン・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー   原文 保存
 パリ条約  
2009/02/19 不服
2006 -458 
不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 橋本 良郎 その他   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2009/02/09 不服
2006 -11365 
フラッシュメモリセルの構造、その製造方法、及び操作方法 本件審判の請求は、成り立たない。   力晶半導體股▲ふん▼有限公司   原文 保存
 パリ条約  
2009/01/08 不服
2005 -25221 
半導体装置及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2009/01/06 不服
2006 -3475 
高温酸化を用いた半導体素子のキャパシタ形成方法 本件審判の請求は、成り立たない。 奈良 泰男 その他   三星電子株式会社   原文 保存
 パリ条約  
2009/01/05 不服
2006 -4052 
半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   ユー・エム・シー・ジャパン株式会社   原文 保存
該当なし  
2008/12/25 不服
2005 -14031 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2008/12/08 不服
2006 -3935 
半導体記憶装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   NECエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2008/12/01 不服
2005 -17737 
フィールドアイソレーションを備えた半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 住吉 勝彦 その他   フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド   原文 保存
 パリ条約  
2008/11/17 不服
2007 -18215 
酸化膜を形成する方法、改良された酸化膜を形成する方法、高品質の酸化膜を形成する方法、ならびにトンネルおよびゲート酸化膜を形成する方法 本件審判の請求は、成り立たない。 深見 久郎 その他   アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド   原文 保存
 パリ条約  
2008/11/07 不服
2007 -12521 
ポリ間複合体とその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 竹内 英人 その他   旺宏電子股▼ふん▲有限公司   原文 保存
該当なし  
2008/10/20 不服
2006 -3566 
データ記憶及び処理装置を製造する方法 本件審判の請求は、成り立たない。 大日方 和幸 その他   シン フィルム エレクトロニクス エイエスエイ   原文 保存
 パリ条約  
2008/09/29 不服
2005 -19717 
半導体記憶装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通マイクロエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2008/09/18 不服
2005 -22806 
強誘電体メモリ 本件審判の請求は、成り立たない。   三洋電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2008/09/16 不服
2005 -23177 
半導体記憶装置 本件審判の請求は、成り立たない。   松下電器産業株式会社   原文 保存
該当なし  
2008/09/12 不服
2005 -20613 
交換結合膜及び前記交換結合膜を用いた磁気検出素子 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   アルプス電気株式会社   原文 保存
該当なし  

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