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加藤 浩一
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審決年月日
審判番号
発明・考案の名称
結論
代理人
請求人
2009/06/19
不服
2006 -17008
トレンチ素子分離方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
三星電子株式会社
原文
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パリ条約
2009/06/09
不服
2008 -20949
半導体装置およびその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
株式会社東芝
原文
保存
該当なし
2009/05/26
不服
2008 -26471
半導体装置の製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
堀井 豊 その他
三菱電機株式会社
原文
保存
該当なし
2009/05/19
不服
2006 -23987
結晶性珪素膜の作製方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社半導体エネルギー研究所
原文
保存
該当なし
2009/05/11
不服
2006 -11058
半導体装置の素子分離方法
本件審判の請求は、成り立たない。
渡邊 隆 その他
三星電子株式会社
原文
保存
該当なし
2009/04/15
不服
2006 -19748
半導体装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社ルネサステクノロジ
原文
保存
該当なし
2008/12/26
不服
2003 -11675
多孔性シリコン・オキシカーバイドの集積回路絶縁体
本件審判の請求は、成り立たない。
マイクロン テクノロジー,インコーポレイテッド
原文
保存
該当なし
2008/11/27
無効
2008 -800068
半導体装置の製造方法
訂正を認める。 特許第2589184号の請求項1、2に係る発明について……
沢田 雅男 その他
山本 周平 山内 博明
原文
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29条の2(拡大された先願の地位) 新規事項の追加
2008/09/29
不服
2007 -19986
半導体製造装置における生産情報のデータ解析方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社日立国際電気
原文
保存
該当なし
2008/09/24
不服
2006 -4560
半導体装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社東芝
原文
保存
該当なし
2008/09/10
不服
2006 -2378
III族窒化物膜の製造方法、III族窒化物膜の製造用下地膜、及びその下地膜の製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
岡島 伸行 その他
日本碍子株式会社
原文
保存
29条の2(拡大された先願の地位)
2008/09/08
不服
2006 -5273
半導体装置及びその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
原文
保存
29条の2(拡大された先願の地位) 新規事項の追加
2008/08/29
不服
2006 -8686
第III族の窒化物をベースとする半導体に対する選択的成長プロセス
本件審判の請求は、成り立たない。
加藤 伸晃 その他
ルーセント テクノロジーズ インコーポレーテッド
原文
保存
該当なし
2008/08/19
不服
2005 -24196
熱処理装置
本件審判の請求は、成り立たない。
吉竹 英俊
大日本スクリーン製造株式会社
原文
保存
新規事項の追加
2008/08/12
不服
2006 -19277
熱処理方法、熱処理装置およびシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
荒船 良男
信越半導体株式会社 大見 忠弘
原文
保存
該当なし
2008/07/03
不服
2006 -5806
半導体装置の製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
株式会社東芝
原文
保存
新規事項の追加
2008/06/17
不服
2006 -10509
成長部位ごとにエピタキシャル成長特性が異なるように半導体エピタキシャル層を成長させる方法
本件審判の請求は、成り立たない。
谷 義一 その他
韓國電子通信研究院
原文
保存
該当なし
2008/05/27
不服
2007 -14171
半導体装置の作製方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社半導体エネルギー研究所
原文
保存
該当なし
2008/05/15
不服
2006 -682
単結晶GaNの結晶成長方法及び単結晶GaN基板の製造方法と単結晶GaN基板
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
住友電気工業株式会社
原文
保存
該当なし
2008/04/22
不服
2006 -8625
マルチデポジションSACVDリアクタ
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
市位 嘉宏 その他
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
原文
保存
パリ条約
2008/04/18
不服
2007 -13998
半導体装置作製方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社半導体エネルギー研究所
原文
保存
該当なし
2008/03/04
不服
2006 -2375
III族窒化物膜の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
藤谷 史朗 その他
日本碍子株式会社
原文
保存
該当なし
2008/02/18
不服
2006 -5347
導電性パターンの形成方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
吉村 俊一
半那 純一 大日本印刷株式会社
原文
保存
該当なし
2008/02/05
無効
2006 -80142
半導体素子搭載用基板及びその製造方法
請求項6についての訂正を認める。 特許第3413413号の請求項6に記……
原 裕子 その他
住友金属鉱山 株式会社
原文
保存
補正要件 新規性 進歩性(29条2項) 国内優先権 分割出願(出願分割)
2008/02/05
無効
2006 -80141
半導体パッケージの製造法及び半導体パッケージ
訂正事項1、3、4及び5についての訂正を認める。 特許第3413191号の……
原 裕子 その他
住友金属鉱山 株式会社
原文
保存
分割出願(出願分割) 新規性 進歩性(29条2項) 国内優先権 補正要件
2008/02/05
不服
2005 -16609
窒化物半導体、半導体素子およびこれらの製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
ソニー株式会社
原文
保存
該当なし
2008/01/09
不服
2005 -17879
フッ素ガス発生装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
梶 良之 その他
東洋炭素株式会社
原文
保存
該当なし
2007/10/15
不服
2005 -16834
半導体素子の製造方法及び半導体素子
本件審判の請求は、成り立たない。
藤谷 史朗 その他
学校法人名城大学
原文
保存
該当なし
2007/09/27
不服
2006 -21547
イオンドーピング装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
福田 賢三 その他
株式会社半導体エネルギー研究所
原文
保存
該当なし
2007/08/01
不服
2006 -4824
熱処理装置および基板処理装置
本件審判の請求は、成り立たない。
吉田 茂明 その他
株式会社SOKUDO
原文
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該当なし
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