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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2004/11/02 不服
2001 -15267 
半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   松下電器産業株式会社   原文 保存
該当なし  
2004/09/10 不服
2002 -1049 
半導体装置の製造方法、シリコン基板の製造方法、半導体装置の製造工程の管理方法及びシリコン基板 本件審判の請求は、成り立たない。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2004/09/07 不服
2003 -9833 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 田中 達也   ローム株式会社   原文 保存
該当なし  
2004/09/06 異議
2001 -73466 
半導体モジュール 訂正を認める。 特許第3180100号の請求項1〜7に係る特許を取り消…… 波多野 久     原文 保存
 新規事項の追加  
2004/08/19 不服
2003 -3673 
GaN系化合物半導体の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 渡邊 隆 その他   昭和電工株式会社   原文 保存
該当なし  
2004/08/10 不服
2003 -10937 
エピタキシャルウェーハの製造方法 原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2004/07/29 不服
2002 -14985 
薄膜形成装置 本件審判の請求は、成り立たない。   京セラ株式会社   原文 保存
該当なし  
2004/07/22 不服
2001 -2908 
成膜装置 本件審判の請求は、成り立たない。 喜多 俊文   株式会社島津製作所   原文 保存
該当なし  
2004/07/12 不服
2002 -21776 
パターン内に間隔層を製造する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト   原文 保存
該当なし  
2004/07/09 不服
2002 -344 
シリコン酸化膜の作製方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 萩原 亮一   三菱重工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2004/07/05 不服
2001 -8884 
集積回路装置およびその製法 本件審判の請求は、成り立たない。 坂口 博 その他   インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション   原文 保存
 パリ条約  
2004/06/30 不服
2001 -16570 
酸化シリコン膜形成法 本件審判の請求は、成り立たない。   ヤマハ株式会社   原文 保存
該当なし  
2004/06/16 不服
2001 -23300 
窒化ガリウム系化合物半導体膜の結晶成長方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   豊田合成株式会社   原文 保存
該当なし  
2004/06/15 不服
2001 -22693 
結晶成長方法 本件審判の請求は、成り立たない。   三菱電機株式会社   原文 保存
 国内優先権  
2004/06/02 不服
2002 -12150 
Alテーパドライエッチング方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 秋山 文男 その他   三菱電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2004/05/31 異議
2001 -73071 
CVDにより大面積のガラス基板上に高堆積速度でアモルファスシリコン薄膜を堆積する方法 訂正を認める。 特許第3164956号の請求項1ないし8に係る特許を維…… 塩田 辰也 その他     原文 保存
該当なし  
2004/04/27 不服
2002 -19418 
銅系金属の研磨方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2004/04/20 不服
2002 -916 
半導体装置用リードフレーム 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 堀米 和春   新光電気工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2004/03/29 不服
2001 -20841 
レジンモールド半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 宮田 金雄   三菱電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2004/03/29 不服
2002 -16157 
ウエハー載置用ボートおよびそれを用いた気相成長装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 鈴江 武彦   株式会社東芝 東芝セラミックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2004/03/29 不服
2002 -16255 
多層シリコン膜の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社トクヤマ   原文 保存
該当なし  
2004/03/25 不服
2002 -15259 
非晶質シリコン膜およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社トクヤマ   原文 保存
該当なし  
2004/03/23 不服
2001 -9426 
集積回路用パッケージ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   日本特殊陶業株式会社   原文 保存
該当なし  
2004/03/04 不服
2001 -11437 
チップモジュール 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 山崎 利臣 その他   シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト   原文 保存
 パリ条約  
2004/02/19 不服
2001 -8861 
半導体装置及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   財団法人国際科学振興財団   原文 保存
該当なし  
2004/02/18 不服
2001 -10336 
半導体パッケージアセンブリ方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 西山 修 その他   エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド   原文 保存
 パリ条約  
2004/02/05 不服
2001 -8524 
半導体素子の製造方法,ウエハ貼付用粘着シート 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   日東電工株式会社   原文 保存
該当なし  
2004/02/03 異議
2002 -71725 
プラズマ処理装置 訂正を認める。 特許第3247491号の請求項1に係る特許を維持する。 浅井 章弘     原文 保存
 新規事項の追加  
2004/01/19 不服
2001 -582 
半導体製造装置 本件審判の請求は、成り立たない。 三好 祥二 その他   株式会社ルネサステクノロジ 株式会社日立国際電気 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ   原文 保存
該当なし  
2003/12/16 不服
2002 -5757 
半導体ウエハーをパッシベーション化する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 千葉 昭男 その他   マイクロン・テクノロジー・インコーポレーテッド   原文 保存
 パリ条約  

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