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現在の検索キーワード：加藤浩一

363 件のヒット

審決年月日	審判番号	発明・考案の名称	結論	代理人	請求人
2000/04/03	異議 1999 -70743	表面処理方法	訂正を認める。特許第2792558号の特許請求の範囲に記載された発……	作田康夫		原文	保存
29条の2(拡大された先願の地位)
2000/03/30	審判 1997 -2687	薄膜製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	寺崎史朗その他	アプライドマテリアルズインコーポレイテッド	原文	保存
該当なし
2000/03/30	審判 1998 -5593	マルチチャンバー処理装置及びそのクリーニング方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		東京エレクトロン株式会社	原文	保存
該当なし
2000/03/13	審判 1998 -10832	半導体装置の製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		日本電気株式会社	原文	保存
該当なし
2000/03/13	審判 1998 -10742	半導体装置及びその製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		日本電気株式会社	原文	保存
該当なし
2000/03/09	審判 1998 -19499	半導体装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		日本電気株式会社	原文	保存
該当なし
2000/02/16	審判 1998 -16288	被膜作製装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		株式会社半導体エネルギー研究所	原文	保存
該当なし
2000/02/08	審判 1998 -16356	気相反応被膜作製方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		株式会社半導体エネルギー研究所	原文	保存
該当なし
2000/02/08	審判 1998 -16355	気相反応被膜作製方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		株式会社半導体エネルギー研究所	原文	保存
該当なし
2000/02/03	異議 1997 -74485	シリコン酸化膜及びそれを備えた半導体装置	特許第2594702号の特許請求の範囲請求項1、請求項3ないし請求項8……	西脇民雄		原文	保存
該当なし
2000/01/31	審判 1998 -7469	処理方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		東京エレクトロン株式会社	原文	保存
該当なし
2000/01/04	審判 1998 -6441	半導体ウェーハ	本件審判の請求は、成り立たない。		日本電気株式会社	原文	保存
該当なし
1999/12/17	審判 1999 -4658	半導体集積回路	原査定を取り消す。本願の発明は、特許をすべきものとする。		日本電気株式会社	原文	保存
該当なし
1999/12/17	異議 1998 -75867	半導体不揮発性メモリ	特許第2779623号の請求項1ないし2に係る特許を取り消す。			原文	保存
該当なし
1999/12/15	審判 1998 -6130	半導体素子の表面平坦化方法	平成10年5月14日付けの手続補正を却下する。		エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド	原文	保存
パリ条約
1999/12/15	審判 1998 -6130	半導体素子の表面平担化方法	本件審判の請求は、成り立たない。		エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド	原文	保存
該当なし
1999/12/10	審判 1997 -10338	基板加熱・冷却機構	原査定を取り消す。本願の発明は、特許をすべきものとする。		アネルバ株式会社	原文	保存
該当なし
1999/12/10	審判 1997 -20195	半導体装置およびその製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許をすべきものとする。	京本直樹その他	日本電気株式会社	原文	保存
該当なし
1999/12/10	審判 1999 -3002	CMIS半導体装置の製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許をすべきものとする。		セイコーインスツルメンツ株式会社	原文	保存
該当なし
1999/12/10	審判 1998 -2785	半導体装置の製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許をすべきものとする。		日本電気株式会社	原文	保存
該当なし
1999/12/09	異議 1998 -74354	レジスト塗布装置	特許第2722848号の請求項1ないし3に係る特許を取り消す。			原文	保存
該当なし
1999/12/09	審判 1997 -7744	半導体装置及びその製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。	河合信明その他	日本電気株式会社	原文	保存
該当なし
1999/12/08	審判 1998 -15100	薄膜抵抗体の製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許をすべきものとする。		芝浦メカトロニクス株式会社株式会社デンソー	原文	保存
該当なし
1999/12/06	審判 1998 -1757	半導体素子の多層金属配線の形成方法	本件審判の請求は、成り立たない。		エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド	原文	保存
該当なし
1999/12/02	審判 1998 -11050	半導体装置	本件審判の請求は、成り立たない。		株式会社日立製作所	原文	保存
該当なし
1999/12/02	審判 1997 -19636	ダイシング装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許をすべきものとする。		株式会社東京精密	原文	保存
該当なし
1999/12/02	審判 1998 -496	低濃度ドーピングドレインを有するMOS型電界効果トランジスタの製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。		エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド	原文	保存
該当なし
1999/11/30	異議 1998 -73813	薄膜形成装置	特許第2708503号の特許を取り消す。			原文	保存
該当なし
1999/11/29	審判 1999 -50067	半導体装置及びその製造方法	原決定を取り消す。		東芝電子エンジニアリング株式会社株式会社東芝	原文	保存
該当なし
1999/11/26	審判 1996 -9746	半導体メモリ装置およびその製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許をすべきものとする。		三星電子株式会社	原文	保存
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