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現在の検索キーワード： 加藤 俊哉

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2017/10/31 不服
2015 -20276  		熱閉じ込めを最適化した磁気デバイス 本件審判の請求は、成り立たない。 篠原 淳司 その他   クロッカス・テクノロジー・ソシエテ・アノニム   原文 保存
該当なし 　
2017/10/10 不服
2017 -3738  		半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし 　
2017/08/07 不服
2015 -14735  		スピントルク移動磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(STT‐MRAM)のソースローディング効果の低減 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 村山 靖彦   クアルコム,インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2017/07/25 不服
2016 -18522  		非線形素子を有するスイッチングデバイス 本件審判の請求は、成り立たない。 SK特許業務法人 その他   クロスバー, インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2017/07/03 不服
2016 -14942  		半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし 　
2017/06/27 不服
2015 -17058  		不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2017/06/27 不服
2016 -6375  		耐久性が改良された熱アシスト磁気ランダムアクセスメモリ素子 本件審判の請求は,成り立たない。 鍛冶澤 實 その他   クロッカス・テクノロジー・ソシエテ・アノニム   原文 保存
該当なし 　
2017/05/12 不服
2016 -17119  		半導体装置、及び半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 田中 伸一郎 その他   ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド   原文 保存
該当なし 　
2017/05/09 不服
2016 -14445  		記憶素子および記憶装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社   原文 保存
該当なし 　
2017/04/24 不服
2015 -11047  		BSIイメージセンサー用の半導体装置とその形成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 田澤 英昭   台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司   原文 保存
該当なし 　
2017/04/17 不服
2015 -20287  		磁気トンネル接合デバイスおよびその製造 本件審判の請求は、成り立たない。 黒田 晋平   クアルコム,インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2017/03/27 不服
2016 -1943  		半導体素子及びその形成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 荒船 良男   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2017/03/14 不服
2015 -12717  		多層圧電デバイスの製造方法、助剤を含む多層圧電デバイス、および多層圧電デバイスの破壊応力抑制のための助剤の使用 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   エプコス アクチエンゲゼルシャフト   原文 保存
該当なし 　
2017/01/30 不服
2015 -22930  		半導体イメージセンサー装置と方法 本件審判の請求は、成り立たない。 濱田 初音   台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司   原文 保存
該当なし 　
2016/12/19 不服
2016 -3471  		半導体装置及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし 　
2016/11/25 不服
2015 -10738  		転送ゲートを電位井戸と統合して、拡張された画素の動的範囲を有するイメージセンサ 本件審判の請求は、成り立たない。 奥山 尚一 その他   インテレクチュアル・ヴェンチャーズ・II・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー   原文 保存
該当なし 　
2016/10/25 不服
2015 -2005  		改善されたカラークロストークを有するイメージセンサ 本件審判の請求は、成り立たない。 奥山 尚一 その他   インテレクチュアル・ヴェンチャーズ・II・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー   原文 保存
該当なし 　
2016/10/25 不服
2015 -6723  		磁気抵抗磁界センサー 本件審判の請求は、成り立たない。   エヌテエヌ-エス.エヌ.エール.ルルモン   原文 保存
該当なし 　
2016/10/03 不服
2014 -25786  		直交磁化配向方向を伴う基準層を有する磁気スタック 本件審判の請求は、成り立たない。   シーゲイト テクノロジー エルエルシー   原文 保存
該当なし 　
2016/09/28 不服
2015 -9252  		イメージセンサーモジュール、その製造方法、及びそれを含むイメージ処理システム 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 実広 信哉 その他   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし 　
2016/09/14 不服
2015 -646  		異なる垂直寸法のフィンを有するトリプル・ゲート・フィンFETおよびダブル・ゲート・フィンFET 本件審判の請求は、成り立たない。 間山 進也 その他   インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション   原文 保存
該当なし 　
2016/07/20 不服
2015 -9206  		半導体装置及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし 　
2016/07/13 不服
2015 -110  		半導体記憶装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通株式会社   原文 保存
該当なし 　
2016/06/14 不服
2015 -6986  		イメージセンサチップおよびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司   原文 保存
該当なし 　
2016/05/25 不服
2015 -13178  		貼り合わせSOIウェーハの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2016/04/15 不服
2015 -129  		炭素ナノチューブ薄膜を利用したSRAM 本件審判の請求は、成り立たない。 実広 信哉 その他   三星電子株式会社 成均▲館▼大學校 産學協力團   原文 保存
該当なし 　
2015/10/29 不服
2014 -25993  		半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2015/08/21 不服
2014 -12487  		コンデンサ装置の形成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 大菅 義之   マイクロン テクノロジー, インク.   原文 保存
該当なし 　
2015/08/11 不服
2014 -13317  		貼り合わせウェーハの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2015/05/18 不服
2014 -8370  		半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 松尾 憲一郎   富士通セミコンダクター株式会社 ソニー株式会社   原文 保存
該当なし 　

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