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加藤 俊哉
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審決年月日
審判番号
発明・考案の名称
結論
代理人
請求人
2015/04/14
不服
2014 -15302
振動体
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
京セラ株式会社
原文
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該当なし
2015/03/23
不服
2014 -5381
圧電素子及び圧電装置の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
松山 允之 その他
株式会社東芝
原文
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該当なし
2015/03/23
不服
2014 -5156
セルフピン型スピンバルブ磁気抵抗効果膜とそれを用いた磁気センサおよび回転角度検出装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
日立金属株式会社
原文
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該当なし
2015/02/03
不服
2014 -9029
圧電膜型アクチュエータおよびその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
NECトーキン株式会社
原文
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該当なし
2015/01/14
不服
2013 -1704
再プログラム可能抵抗値を伴うナノチューブ物体を使用するメモリアレイ
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
ナンテロ,インク.
原文
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該当なし
2014/08/28
不服
2014 -6637
半導体装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社半導体エネルギー研究所
原文
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該当なし
2014/06/10
不服
2013 -21375
ワンタイムまたはマルチタイムプログラマブルデバイス
本件審判の請求は、成り立たない。
山田 行一
マキシム・インテグレイテッド・プロダクツ・インコーポレイテッド
原文
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該当なし
2014/06/04
不服
2014 -4236
半導体記憶装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
熊倉 禎男 その他
ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド
原文
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該当なし
2014/04/28
不服
2013 -15315
半導体装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
稲葉 良幸
スパンション エルエルシー
原文
保存
該当なし
2014/03/27
不服
2013 -15631
埋め込みビットラインの形成方法
本件審判の請求は,成り立たない。
三星電子株式会社
原文
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該当なし
2014/02/12
不服
2013 -20584
複数個の空洞を有する積層構造ウエーハ及びその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
奥貫 佐知子
ケイ・エス・ティ・ワ-ルド株式会社
原文
保存
該当なし
2013/12/26
不服
2013 -518
ポリ間電荷トラップ構造体を有する浮遊ゲートメモリ素子
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
旺宏電子股▲ふん▼有限公司
原文
保存
該当なし
2013/12/11
不服
2013 -17381
SOI基板の表面処理方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
有原 幸一 その他
信越化学工業株式会社
原文
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該当なし
2013/10/21
不服
2012 -19358
プログラマブルな抵抗メモリ装置、およびそれを用いた系、ならびにそれを形成する方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
野村 泰久
マイクロン テクノロジー, インク.
原文
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該当なし
2013/10/11
不服
2013 -17028
SOIウェーハの製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
信越化学工業株式会社
原文
保存
該当なし
2013/08/27
不服
2013 -598
SOI基板の製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
片山 健一 その他
信越化学工業株式会社
原文
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該当なし
2013/08/19
不服
2012 -11578
メモリ素子のトランジスタ構造及びその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
エスケーハイニックス株式会社
原文
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該当なし
2013/06/17
不服
2012 -19233
SOIウエーハの製造方法及びSOIウェーハ
本件審判の請求は、成り立たない。
好宮 幹夫
信越化学工業株式会社 信越半導体株式会社
原文
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該当なし
2013/06/17
不服
2012 -19231
SOIウエーハの製造方法及びSOIウェーハ
本件審判の請求は、成り立たない。
好宮 幹夫
信越半導体株式会社 信越化学工業株式会社
原文
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該当なし
2013/06/10
不服
2012 -23986
剥離ウェーハを再利用する方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
信越半導体株式会社
原文
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該当なし
2013/05/08
不服
2012 -21392
SOI基板の製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
森田 耕司 その他
信越化学工業株式会社
原文
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該当なし
2013/04/26
不服
2012 -14028
脆弱化された基板およびそのような基板の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
渡邊 隆 その他
コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ
原文
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該当なし
2013/04/17
不服
2011 -22513
メモリのラッチプログラミングおよびその方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
サンディスク テクノロジィース インコーポレイテッド
原文
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該当なし
2013/04/16
不服
2012 -4940
半導体記憶装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
ルネサスエレクトロニクス株式会社
原文
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該当なし
2013/02/20
不服
2012 -9233
半導体装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
久野 淑己 その他
ルネサスエレクトロニクス株式会社
原文
保存
該当なし
2013/01/11
不服
2011 -27797
半導体構造の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司
原文
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該当なし
2012/12/11
不服
2012 -4590
電気経路およびメモリセルのフローティングゲートから電荷を消去する方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
野田 久登 その他
スパンション エルエルシー
原文
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該当なし
2012/10/10
不服
2011 -20915
ダミーワード線を備えたフラッシュメモリアレイの消去電圧分布の改良方法
本件審判の請求は、成り立たない。
稲葉 良幸 その他
スパンション エルエルシー
原文
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該当なし
2012/09/27
不服
2011 -24429
改善された動作周波数を有するローカルセンス増幅回路及び半導体メモリ装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
渡邊 隆
三星電子株式会社
原文
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該当なし
2012/09/05
不服
2011 -17893
相変化メモリの駆動方法とシステム
本件審判の請求は、成り立たない。
稲葉 良幸
ヒッグズ オプル.キャピタル エルエルシー
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