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加藤 俊哉
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審決年月日
審判番号
発明・考案の名称
結論
代理人
請求人
2012/08/31
不服
2011 -6301
可変抵抗特性を有するメモリ装置の制御
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
堀井 豊 その他
アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
原文
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該当なし
2012/08/01
不服
2011 -18721
連想記憶装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
山口 昭則
富士通セミコンダクター株式会社
原文
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該当なし
2012/07/31
不服
2011 -16236
プログラミングメモリデバイス
本件審判の請求は、成り立たない。
大菅 義之
マイクロン テクノロジー, インク.
原文
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該当なし
2012/07/03
不服
2011 -13013
半導体不揮発記憶装置
本件審判の請求は、成り立たない。
独立行政法人産業技術総合研究所
原文
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該当なし
2012/05/23
不服
2011 -3845
不揮発性強誘電体レジスタを利用した入出力バイト制御装置
本件審判の請求は、成り立たない。
長谷 照一 その他
ハイニックス セミコンダクター インク
原文
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該当なし
2012/04/24
不服
2010 -28609
半導体素子の高電圧スイッチ回路
本件審判の請求は、成り立たない。
長谷 照一 その他
ハイニックス セミコンダクター インク
原文
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該当なし
2012/02/06
不服
2010 -25140
半導体メモリでのデータリード回路及びデータリード方法
本件審判の請求は、成り立たない。
実広 信哉
三星電子株式会社
原文
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該当なし
2011/03/16
不服
2008 -29669
受動マトリクス・アドレス指定可能素子の読み取り方法並びにその方法を実施するための素子
本件審判の請求は、成り立たない。
浅村 肇 その他
シン フイルム エレクトロニクス エイエスエイ
原文
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該当なし
2011/01/25
不服
2008 -31756
半導体メモリ装置の内部電源電圧発生回路及び内部電源電圧制御方法
本件審判の請求は、成り立たない。
志賀 正武 その他
三星電子株式会社
原文
保存
該当なし
2011/01/24
不服
2008 -20981
スタティック型半導体記憶装置およびその制御方法
原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
富士通セミコンダクター株式会社
原文
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該当なし
2010/12/20
不服
2008 -27381
半導体メモリ及びその動作方法
本件審判の請求は、成り立たない。
志賀 正武 その他
三星電子株式会社
原文
保存
該当なし
2010/12/06
不服
2008 -18086
電力散逸制御を有する集積回路
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
エスティーマイクロエレクトロニクス,インコーポレイテッド
原文
保存
該当なし
2010/09/06
不服
2007 -19196
クワッドデータレートシンクロナス半導体メモリ装置の駆動方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社ハイニックスセミコンダクター
原文
保存
該当なし
2010/07/15
不服
2007 -24187
不揮発性強誘電体メモリ制御装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
荒船 博司
株式会社ハイニックスセミコンダクター
原文
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パリ条約
2010/07/14
不服
2008 -5234
狭い間隔のアドレス変化を検出することが可能な半導体メモリのアドレス変換検出回路
本件審判の請求は、成り立たない。
中村 稔 その他
マクロニクス インターナショナル カンパニー リミテッド
原文
保存
該当なし
2010/07/09
不服
2007 -18444
半導体記憶回路
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
川崎 康 その他
株式会社東芝
原文
保存
該当なし
2010/06/15
不服
2007 -21041
同期型バースト半導体メモリ装置
本件審判の請求は、成り立たない。
志賀 正武 その他
三星電子株式会社
原文
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新規事項の追加
2010/05/27
不服
2007 -27534
マルチポートSRAM
本件審判の請求は、成り立たない。
眞下 晋一 その他
株式会社ハイニックスセミコンダクター
原文
保存
該当なし
2010/05/27
不服
2007 -17795
レジスタファイル読取/書込セル
本件審判の請求は、成り立たない。
杉村 憲司
エヌエックスピー ビー ヴィ
原文
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該当なし
2010/05/26
不服
2007 -28948
受動マトリックス・メモリの読出し動作および書込み動作を実行する方法および前記方法を実行する装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
林 鉐三 その他
シン フイルム エレクトロニクス エイエスエイ
原文
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該当なし
2010/05/19
不服
2008 -84
不揮発性メモリにデータを記憶する方法
本件審判の請求は、成り立たない。
清水 邦明 その他
シン フイルム エレクトロニクス エイエスエイ
原文
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パリ条約
2010/05/17
不服
2008 -2064
半導体メモリ装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
三洋電機株式会社
原文
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該当なし
2010/05/14
不服
2007 -17411
センス・アンプ
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
上野 剛史 その他
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
原文
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該当なし
2010/04/28
不服
2007 -19902
強誘電体メモリ装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
実広 信哉 その他
三星電子株式会社
原文
保存
該当なし
2010/04/08
不服
2008 -16951
半導体記憶装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
原文
保存
該当なし
2010/03/23
不服
2007 -26363
半導体記憶装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社リコー
原文
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該当なし
2010/03/10
不服
2007 -21492
半導体集積回路装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
鈴江 武彦 その他
株式会社東芝
原文
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該当なし
2010/02/02
不服
2007 -13385
半導体メモリ装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
実広 信哉 その他
三星電子株式会社
原文
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該当なし
2010/02/01
不服
2007 -9991
アイドルメモリサイクルを用いる半導体メモリのリフレッシュの方法及び装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
大島 陽一 その他
モシス・インコーポレイテッド
原文
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該当なし
2010/01/25
不服
2006 -27712
半導体記憶装置
本件審判の請求は、成り立たない。
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
原文
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該当なし
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