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現在の検索キーワード：加藤俊哉

272 件のヒット

審決年月日	審判番号	発明・考案の名称	結論	代理人	請求人
2010/01/22	不服 2007 -22042	半導体集積回路、インクカートリッジ及びインクジェット記録装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	宮坂一彦その他	セイコーエプソン株式会社	原文	保存
該当なし
2009/09/08	不服 2006 -17757	メモリのメイン増幅器	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	西山修その他	株式会社ハイニックスセミコンダクター	原文	保存
パリ条約
2009/08/31	不服 2006 -27309	不揮発性強誘電体メモリ装置及びその駆動方法	本件審判の請求は,成り立たない。	黒川弘朗その他	株式会社ハイニックスセミコンダクター	原文	保存
該当なし
2009/08/27	不服 2006 -4488	メモリアーキテクチャ	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	矢野敏雄その他	シーメンスアクチエンゲゼルシヤフトハンス-ユルゲンマタウシュ	原文	保存
パリ条約
2009/08/17	不服 2006 -5121	記録可能なメモリセルを備えた集積メモリの駆動方法および対応する集積メモリ	本件審判の請求は、成り立たない。		インフィネオンテクノロジーズアクチエンゲゼルシャフト	原文	保存
該当なし
2009/08/17	不服 2007 -1033	モードレジスタ	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		三星電子株式会社	原文	保存
パリ条約
2009/08/05	不服 2006 -14623	電流感知増幅器及びそれを有する半導体装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	村山靖彦その他	三星電子株式会社	原文	保存
パリ条約
2009/07/27	不服 2006 -29065	データ読み出し回路	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	松本公雄その他	株式会社ハイニックスセミコンダクター	原文	保存
パリ条約
2009/07/27	不服 2006 -26722	半導体メモリ装置の内部電源電圧発生回路	本件審判の請求は,成り立たない。	志賀正武その他	三星電子株式会社	原文	保存
該当なし
2009/07/23	不服 2007 -20778	半導体記憶装置	本件審判の請求は、成り立たない。		OKIセミコンダクタ株式会社	原文	保存
新規事項の追加
2009/07/23	不服 2006 -17253	DRAMキャッシュ・メモリ中のデータをリフレッシュする方法および装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	市位嘉宏その他	インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション	原文	保存
パリ条約
2009/07/23	不服 2006 -6665	メモリデバイスにおけるローカル制御信号発生のための方法および装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	野村泰久	マイクロンテクノロジー, インク.	原文	保存
パリ条約
2009/06/17	不服 2006 -17758	不揮発性強誘電体メモリ及びその制御回路	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	山川茂樹その他	株式会社ハイニックスセミコンダクター	原文	保存
パリ条約
2009/05/25	不服 2007 -23521	不揮発性レジスタおよびデ-タにアクセスする方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		フリースケールセミコンダクターインコーポレイテッド	原文	保存
パリ条約
2009/05/14	不服 2006 -22112	不揮発性強誘電体メモリ装置の駆動回路	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	山川茂樹その他	株式会社ハイニックスセミコンダクター	原文	保存
パリ条約
2009/05/08	不服 2006 -11565	半導体メモリ装置のアドレス入力バッファ	本件審判の請求は、成り立たない。	実広信哉その他	三星電子株式会社	原文	保存
該当なし
2009/04/28	不服 2006 -19910	メモリ・システム、半導体メモリ装置およびシンクロナス・メモリ装置の動作方法	本件審判の請求は、成り立たない。	阿部和夫その他	株式会社ハイニックスセミコンダクター	原文	保存
新規事項の追加
2009/04/24	不服 2006 -12093	プレート線がカラムデコーダにより選択される集積強誘電性メモリ	本件審判の請求は、成り立たない。	山本秀策その他	インフィネオンテクノロジーズアクチエンゲゼルシャフト	原文	保存
該当なし
2009/03/30	不服 2006 -7788	並列データ初期化機能を有するマルチポートメモリセルを具備したメモリ装置及び並列データ初期化機能を有するマルチポートメモリ回路	本件審判の請求は、成り立たない。		三星電子株式会社	原文	保存
新規事項の追加パリ条約
2009/03/30	不服 2006 -9962	マルチバンクメモリ装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		三星電子株式会社	原文	保存
パリ条約
2009/03/09	不服 2006 -2931	メモリセル読み出し方法	本件審判の請求は、成り立たない。		日本テキサス・インスツルメンツ株式会社	原文	保存
該当なし
2009/03/03	不服 2006 -26677	単一線読み戻しを備えたメモリセルおよびその運転方法	本件審判の請求は、成り立たない。	林鉐三その他	テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド	原文	保存
該当なし
2009/02/16	不服 2006 -23679	不揮発性半導体メモリの書換え方法	本件審判の請求は、成り立たない。	恩田博宣	株式会社デンソー	原文	保存
該当なし
2009/02/12	不服 2006 -24278	半導体装置の内部電源電圧生成回路の制御方法、半導体記憶装置の内部電源電圧生成回路の制御方法及び半導体記憶装置の内部電源電圧生成回路	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	恩田誠	富士通マイクロエレクトロニクス株式会社	原文	保存
該当なし
2009/02/06	不服 2006 -5150	調整可能出力ドライバ回路	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	野村泰久	マイクロンテクノロジー, インク.	原文	保存
該当なし
2009/02/03	不服 2006 -13741	半導体メモリ装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	山川茂樹その他	株式会社ハイニックスセミコンダクター	原文	保存
パリ条約
2009/01/26	不服 2006 -16146	半導体記憶装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	林恒徳	富士通マイクロエレクトロニクス株式会社	原文	保存
該当なし
2009/01/14	不服 2006 -1801	JTAGによるSDRAM回路テスト方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		三星電子株式会社	原文	保存
該当なし
2008/12/17	不服 2006 -3091	不揮発性強誘電体メモリ装置の昇圧発生回路及びその発生方法	本件審判の請求は、成り立たない。	山川政樹その他	株式会社ハイニックスセミコンダクター	原文	保存
パリ条約新規事項の追加
2008/12/09	不服 2008 -15244	ダイナミックランダムアクセスメモリ用の低電力自動リフレッシュ回路および方法	本件審判の請求は、成り立たない。	大菅義之	マイクロンテクノロジー, インク.	原文	保存
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