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近藤 幸浩
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審決年月日
審判番号
発明・考案の名称
結論
代理人
請求人
2014/02/20
無効
2012 -800038
窒化ガリウム系発光素子
本件審判の請求は、成り立たない。 審判費用は、請求人の負担……
▲廣▼瀬 文雄 その他
三洋電機 株式会社
原文
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該当なし
2014/01/31
不服
2013 -17698
垂直磁化磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
平木 祐輔 その他
国立大学法人東北大学 株式会社日立製作所
原文
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該当なし
2014/01/27
不服
2013 -3948
読み出し動作の間にワード線に負電圧を選択的に加えるメモリ装置、無線装置、及び方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
岡田 貴志 その他
クゥアルコム・インコーポレイテッド
原文
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該当なし
2014/01/24
不服
2013 -19492
電子装置およびその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社デンソー
原文
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該当なし
2014/01/08
不服
2013 -12221
通信媒体及び通信媒体処理装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
井関 守三 その他
株式会社東芝
原文
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該当なし
2014/01/06
不服
2012 -23518
マイクロモジュールと非接触式近接通信手段を備える再現装置とからなる組立品
本件審判の請求は、成り立たない。
ジエマルト・エス・アー
原文
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該当なし
2013/12/19
不服
2013 -13130
貼り合わせ基板の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
信越化学工業株式会社
原文
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該当なし
2013/12/02
不服
2013 -4029
半導体装置
本件審判の請求は、成り立たない。
ルネサスエレクトロニクス株式会社
原文
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該当なし
2013/11/12
不服
2013 -15093
半導体集積回路装置の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
ルネサスエレクトロニクス株式会社
原文
保存
該当なし
2013/11/11
不服
2013 -3784
電界効果トランジスタおよび電界効果トランジスタの製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
株式会社東芝
原文
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該当なし
2013/11/05
不服
2013 -202
熱処理方法
本件審判の請求は、成り立たない。
国立大学法人東京農工大学
原文
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該当なし
2013/11/01
不服
2012 -25435
電圧制限用の半導体構成体
本件審判の請求は、成り立たない。
高橋 佳大 その他
ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング
原文
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該当なし
2013/11/01
不服
2012 -12272
高温利用可能なSiC電界効果トランジスタ、前記トランジスタの使用およびその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
竹内 三喜夫 その他
クレー・スウェーデン・アクチボラゲット
原文
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該当なし
2013/10/22
不服
2013 -13419
低抵抗及び低インダクタンスの裏面貫通ビア及びその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
上野 剛史
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
原文
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該当なし
2013/10/17
不服
2013 -2918
パワーMOSFETのコンタクトメタライゼーション
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
ビシェイ-シリコニクス
原文
保存
該当なし
2013/10/02
不服
2012 -25776
リバースプリンティング
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
ゼロックス コーポレイション
原文
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該当なし
2013/09/02
不服
2012 -25725
半導体デバイスおよび半導体デバイスを形成する方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
石川 泰男
ケンブリッジ セミコンダクター リミテッド
原文
保存
該当なし
2013/08/27
不服
2013 -2812
薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに液晶表示装置
本件審判の請求は、成り立たない。
NLTテクノロジー株式会社
原文
保存
該当なし
2013/08/27
不服
2012 -25662
半導体装置および同半導体装置の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
星 公弘 その他
ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング
原文
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該当なし
2013/07/24
不服
2012 -18435
基板導通を利用した積重ねダイ式の構成をもつ集積回路
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
吉澤 弘司
アギア システムズ インコーポレーテッド
原文
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該当なし
2013/06/25
不服
2012 -24802
半導体デバイスにおける厚い酸化物領域およびその形成方法
本件審判の請求は、成り立たない。
臼井 伸一 その他
アギア システムズ インコーポレーテッド
原文
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該当なし
2013/06/17
不服
2012 -19233
SOIウエーハの製造方法及びSOIウェーハ
本件審判の請求は、成り立たない。
好宮 幹夫
信越半導体株式会社 信越化学工業株式会社
原文
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該当なし
2013/06/17
不服
2012 -19231
SOIウエーハの製造方法及びSOIウェーハ
本件審判の請求は、成り立たない。
好宮 幹夫
信越化学工業株式会社 信越半導体株式会社
原文
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該当なし
2013/06/13
不服
2012 -22603
イメージセンサ
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
奥山 尚一 その他
インテレクチュアル・ヴェンチャーズ・II・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー
原文
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該当なし
2013/06/04
不服
2012 -16913
CMOSイメージセンサの単位画素及びCMOSイメージセンサの製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
松島 鉄男 その他
インテレクチュアル・ヴェンチャーズ・II・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー
原文
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該当なし
2013/06/04
不服
2012 -14867
ベリード酸化膜を具備する半導体装置の製造方法及びこれを具備する半導体装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
渡邊 隆
三星電子株式会社
原文
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該当なし
2013/06/03
不服
2012 -16026
不揮発性メモリ素子の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
実広 信哉
三星電子株式会社
原文
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該当なし
2013/05/28
不服
2011 -26658
低いコンタクト抵抗を有する半導体素子及びその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
エスケーハイニックス株式会社
原文
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該当なし
2013/05/15
不服
2012 -3874
透明酸化物半導体薄膜トランジスタ
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
三星ディスプレイ株式會社
原文
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該当なし
2013/05/08
不服
2012 -19891
半導体装置およびその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
三菱電機株式会社
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該当なし
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