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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2001/10/17 審判
1999 -4296 
マイクロ波プラズマ処理装置 原査定を取り消す。 本願の請求項1〜8に係る発明は、特許すべき……   株式会社日立製作所   原文 保存
該当なし  
2001/10/12 審判
1999 -8304 
レジスト除去方法 原査定を取り消す。 本願の請求項1に係る発明は、特許すべきも…… 福田 修一 その他   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2001/10/05 不服
2000 -18361 
ベーパエッチング装置のエッチング終点測定方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 紺野 正幸 その他   エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド   原文 保存
該当なし  
2001/09/27 審判
1999 -18476 
ドライエッチング方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2001/09/26 審判
1999 -18801 
プラズマ・エッチング方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 阿部 和夫   モトローラ・インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし  
2001/09/18 不服
2000 -1807 
マイクロ波プラズマエッチング装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社日立製作所   原文 保存
該当なし  
2001/09/12 審判
1999 -17126 
工程の安定性を得るために温度制御を行うホット・ウォール反応性イオン・エッチング 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 市位 嘉宏   インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2001/09/03 不服
2000 -2799 
BiCMOS集積回路装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 京本 直樹 その他   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2001/08/21 不服
2000 -15636 
エッチング方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 白根 俊郎 その他   エスイーゼット セミコンダクター -イクイプメント ツベヘーア フュア ジ ハルブライターフェルティグング アーゲー   原文 保存
該当なし  
2001/08/17 不服
2000 -9906 
半導体ウェーハ製造用プラズマ処理装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 中村 稔 その他   アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2001/07/30 不服
2000 -10309 
酸化タンタルのエッチング処理方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 小林 泰 その他   聯華電子股▲分▼有限公司   原文 保存
該当なし  
2001/07/30 審判
1999 -10788 
エッチング精密評価方法 本件審判の請求は、成り立たない。 福田 修一 その他   日本電気株式会社   原文 保存
 進歩性(29条2項)  
2001/07/18 審判
1999 -4815 
ゲート結合を介した突き抜けトリガによる静電放電保護回路 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 五十嵐 孝雄   華邦電子股▲ふん▼有限公司   原文 保存
該当なし  
2001/06/29 審判
1999 -840 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし  
2001/06/29 異議
2000 -73893 
ドライエッチング方法 特許第3033128号の請求項1に係る特許を維持する。 田村 榮一 その他     原文 保存
該当なし  
2001/06/08 不服
2000 -17232 
ドライエッチング方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2001/05/29 審判
1999 -1360 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2001/05/15 不服
2000 -1571 
ドライエッチング方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 鈴木 章夫   アネルバ株式会社 日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2001/05/11 審判
1999 -9618 
高密度プラズマエッチング装置を用いた半導体のスロープコンタクトホール形成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   エルジー セミコン カンパニー リミテッド   原文 保存
該当なし  
2001/05/09 不服
2000 -7009 
アルミニウムを主成分とする金属薄膜のエッチング方法及び薄膜トランジスタの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 内藤 浩樹 その他   松下電器産業株式会社   原文 保存
該当なし  
2001/05/08 不服
2000 -1806 
電極の冷却方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社日立製作所   原文 保存
該当なし  
2001/05/07 異議
2001 -70118 
半導体デバイスにおけるテーパー付き誘電層のエッチングによる形成 特許第3064241号の請求項1ないし15に係る特許を維持する。 長谷川 芳樹     原文 保存
該当なし  
2001/04/16 異議
2000 -72159 
表面処理方法 特許第2981243号の請求項1〜12に係る特許を維持する。     原文 保存
該当なし  
2001/03/30 審判
1999 -17762 
エッチング方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 坂口 智康 その他   松下電器産業株式会社   原文 保存
該当なし  
2001/03/29 審判
1999 -14670 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 京本 直樹 その他   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2001/03/28 審判
1996 -3816 
電気的整合性の改善されたMOSデバイス 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 岡部 正夫 その他   エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2001/03/15 審判
1996 -14230 
回路モジュール冗長性アーキテクチャ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 小橋 一男 その他   ウィンギュ リュン フーチー ツー   原文 保存
該当なし  
2001/03/01 審判
1999 -10466 
縦型プラズマ処理装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   東京応化工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2001/02/27 審判
1999 -13155 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2001/02/21 審判
1999 -20744 
シリコン層のエッチング方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  

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