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現在の検索キーワード：今井淳一

576 件のヒット

審決年月日	審判番号	発明・考案の名称	結論	代理人	請求人
2013/06/07	不服 2011 -27815	基板処理方法、プラズマ室、および半導体デバイスの製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		ラムリサーチコーポレーション	原文	保存
該当なし
2013/06/07	不服 2011 -25305	膜形成先駆物質の制御による窒化シリコン膜の特性及び均一性の制御	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	園田吉隆	アプライドマテリアルズインコーポレイテッド	原文	保存
該当なし
2013/06/04	不服 2012 -6232	誘導結合コイルおよび該誘導結合コイルを用いた誘導結合プラズマ装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	特許業務法人ユニアス国際特許事務所	北京北方▲微▼▲電▼子基地▲設▼▲備▼工▲芸▼研究中心有限▲責▼任公司	原文	保存
該当なし
2013/05/27	不服 2012 -24023	Si含有膜を成膜する連続的成膜処理方法	本件審判の請求は、成り立たない。	伊東忠彦その他	東京エレクトロン株式会社	原文	保存
該当なし
2013/05/20	不服 2012 -12973	誘電フィルム及び材料における疎水性を回復する方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	小野新次郎その他	ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド	原文	保存
該当なし
2013/04/22	不服 2012 -18682	半導体製造方法および半導体製造装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		株式会社ニューフレアテクノロジー	原文	保存
該当なし
2013/04/17	不服 2012 -16342	クリーニング・プロセスのための副産物収集する製造プロセス及び製造装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	市位嘉宏その他	インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション	原文	保存
該当なし
2013/04/05	不服 2011 -17797	多重周波数プラズマ・エッチング反応装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		ラムリサーチコーポレーション	原文	保存
該当なし
2013/03/29	不服 2012 -12935	炭素系ハードマスクを開く方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	小林義教	アプライドマテリアルズインコーポレイテッド	原文	保存
該当なし
2013/03/27	不服 2012 -12564	成膜装置及び成膜方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	西村竜平	学校法人同志社株式会社堀場製作所	原文	保存
該当なし
2013/03/12	不服 2012 -6904	電子デバイスの製造	本件審判の請求は、成り立たない。		ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー.	原文	保存
該当なし
2013/03/01	不服 2011 -17479	空間温度分布の制御方法及び装置	本件審判の請求は、成り立たない。	井野砂里その他	ラムリサーチコーポレイション	原文	保存
該当なし
2013/01/15	不服 2011 -21501	酸化膜の形成方法及びその装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	鵜澤英久その他	株式会社明電舎	原文	保存
該当なし
2012/12/26	不服 2011 -8299	半導体ウェーハ処理の一部分中にパルス化プラズマを供給する方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	中村稔その他	アプライドマテリアルズインコーポレイテッド	原文	保存
該当なし
2012/12/19	不服 2012 -11311	成膜方法、成膜装置及び記憶媒体	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		東京エレクトロン株式会社	原文	保存
該当なし
2012/12/14	不服 2012 -9413	基板処理装置及びその表示方法、データ収集方法、並びにイベント収集プログラム	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	油井透その他	株式会社日立国際電気	原文	保存
該当なし
2012/11/21	不服 2012 -6725	半導体装置の製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		富士通株式会社	原文	保存
該当なし
2012/11/08	不服 2011 -10194	分割された電極集合体並びにプラズマ処理方法。	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	蔵田昌俊その他	東京エレクトロン株式会社	原文	保存
該当なし
2012/11/07	不服 2012 -2829	成分送給機構、プラズマリアクタ、及び、半導体基板を処理する方法	本件審判の請求は、成り立たない。		ラムリサーチコーポレーション	原文	保存
該当なし
2012/11/05	不服 2011 -12255	プラズマ処理システムにおける選択性の制御方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		ラムリサーチコーポレーション	原文	保存
該当なし
2012/11/05	不服 2010 -17273	基板に構造を異方性エッチングするためのプラズマ装置及び方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	篠良一その他	ローベルトボツシユゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング	原文	保存
該当なし
2012/10/30	不服 2011 -458	ボッシュプロセスに用いる乾式エッチング装置、乾式エッチング終了点検出装置及びその電気素子の形成方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	渡部崇	セミシスコ・カンパニー・リミテッド	原文	保存
該当なし
2012/10/30	不服 2010 -18679	集積回路用のシリコンリッチ低熱収支窒化ケイ素	本件審判の請求は、成り立たない。	岡部正夫その他	アギアシステムズインコーポレーテッド	原文	保存
該当なし
2012/10/15	不服 2009 -5102	プラズマ処理チャンバにおける単周波RF電力を用いたウェハ処理システム、処理装置、および処理方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		ラムリサーチコーポレーション	原文	保存
該当なし
2012/09/10	不服 2012 -8981	エッチングされたウエハからフォトレジストを剥離するための方法	本件審判の請求は、成り立たない。		ラムリサーチコーポレーション	原文	保存
該当なし
2012/09/05	不服 2011 -5330	プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		シャープ株式会社	原文	保存
該当なし
2012/08/20	不服 2010 -20246	基板を化学的処理する処理システムおよび方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	福原淑弘その他	東京エレクトロン株式会社	原文	保存
該当なし
2012/07/31	不服 2011 -14493	多数のワークピースを超臨界処理する方法及び装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	篠田拓也その他	東京エレクトロン株式会社	原文	保存
該当なし
2012/07/31	不服 2011 -3760	複数の光学要素を有するパッケージ化された半導体発光デバイスを圧縮成形により形成する方法	本件審判の請求は、成り立たない。	林鉐三その他	クリーインコーポレイテッド	原文	保存
該当なし
2012/07/25	不服 2011 -10443	デュアル・ダマシンプロセス用の改良された充填物質	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	伊東秀明その他	ブルーワーサイエンスアイエヌシー.	原文	保存
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