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今井 拓也
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審決年月日
審判番号
発明・考案の名称
結論
代理人
請求人
2000/09/28
審判
1998 -18936
MIS型半導体装置
本件審判の請求は、成り立たない。
ソニー株式会社
原文
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該当なし
2000/09/22
審判
1999 -2644
半導体装置における微細電極の製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
株式会社デンソー
原文
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該当なし
2000/09/14
審判
1999 -15483
半導体装置
本件審判の請求は、成り立たない。
京本 直樹 その他
日本電気株式会社
原文
保存
該当なし
2000/09/07
審判
1999 -7825
半導体装置およびその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
日本電気株式会社
原文
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該当なし
2000/09/07
審判
1999 -18631
電界効果トランジスタおよびその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
福田 修一 その他
日本電気株式会社
原文
保存
該当なし
2000/08/15
訂正
2000 -39061
半導体デバイス
特許第2810874号発明の明細書及び図面を本件審判請求書に添付さ……
浅村 皓 その他
テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド
原文
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分割出願(出願分割)
2000/08/14
審判
1998 -16782
酸化膜の形成方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
大見 忠弘
原文
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該当なし
2000/08/14
審判
1999 -10110
半導体素子及びその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
エルジー セミコン カンパニー リミテッド
原文
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該当なし
2000/08/14
審判
1999 -4326
ホウ素拡散を行うMOSデバイス製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
原文
保存
該当なし
2000/08/11
審判
1999 -4964
半導体装置の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
京本 直樹 その他
日本電気株式会社
原文
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該当なし
2000/08/09
審判
1999 -12402
半導体装置およびその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
吉竹 英俊 その他
三菱電機株式会社
原文
保存
該当なし
2000/08/07
異議
1999 -74173
半導体装置の製造方法
訂正を認める。 特許第2906499号の請求項1に係る特許を維持する。
河合 信明 その他
原文
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該当なし
2000/08/07
審判
1999 -17561
MOSトランジスタ
本件審判の請求は、成り立たない。
三菱電機株式会社
原文
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分割出願(出願分割)
2000/07/31
審判
1999 -8291
外部燃焼酸化装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
河合 信明 その他
日本電気株式会社
原文
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該当なし
2000/07/24
審判
1999 -5819
半導体装置及びその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
福田 修一 その他
日本電気株式会社
原文
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相違点の判断
2000/07/13
審判
1998 -5259
半導体装置の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
河合 信明 その他
日本電気株式会社
原文
保存
該当なし
2000/07/06
審判
1999 -9593
半導体メモリ素子のポリシリコンゲートとその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
三星電子株式会社
原文
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該当なし
2000/07/05
審判
1999 -9597
半導体装置の製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
河合 信明 その他
日本電気株式会社
原文
保存
該当なし
2000/06/19
審判
1998 -17576
半導体装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
京本 直樹 その他
日本電気株式会社
原文
保存
該当なし
2000/06/13
審判
1998 -10770
半導体装置およびその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
吉田 博由 その他
三菱電機株式会社
原文
保存
該当なし
2000/06/12
審判
1999 -17101
ゲート絶縁膜保護ダイオードを有するMOSFETおよびMOSFETの層間絶縁膜形成方法
本件審判の請求は、成り立たない。
松下 正 その他
ローム株式会社
原文
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該当なし
2000/06/07
審判
1999 -8987
MOSトランジスタの製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
原文
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該当なし
2000/06/06
審判
1997 -12982
半導体装置の薄膜形成方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
長谷川 芳樹 その他
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
原文
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該当なし
2000/06/02
審判
1999 -6248
半導体装置の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
京本 直樹 その他
日本電気株式会社
原文
保存
該当なし
2000/05/29
審判
1999 -8210
半導体装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
河合 信明 その他
日本電気株式会社
原文
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該当なし
2000/05/29
異議
1999 -71927
ガス供給装置及びその操作方法
特許第2826479号の請求項1ないし2に係る特許を取り消す。
原文
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該当なし
2000/04/28
審判
1999 -6621
半導体装置の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
坂口 智康 その他
松下電子工業株式会社
原文
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該当なし
2000/04/27
審判
1998 -2274
表面感受性を低減したオゾン/TEOS酸化シリコン膜の堆積方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
寺崎 史朗 その他
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
原文
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該当なし
2000/04/17
審判
1997 -9887
薄膜形成方法
原査定を取り消す。 本願の請求項1〜5に係る発明は、特許すべき……
長谷川 芳樹 その他
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
原文
保存
該当なし
2000/04/14
審判
1998 -13141
半導体装置およびその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
三菱電機株式会社
原文
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該当なし
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