審決検索結果一覧を表示しています。

現在の検索キーワード： 今井 拓也

354 件のヒット

  • ポートフォリオ機能
  • 絞り込み検索機能

チェックした審決を…
　 ポートフォリオ名を入力して新規に保存　→　

　既存のポートフォリオを選択して保存　→　
絞り込み検索ワード： or or 　→　
審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2004/08/09 不服
2002 -1705  		電界効果トランジスタ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社村田製作所   原文 保存
該当なし 　
2004/07/12 不服
2002 -3263  		半導体記憶装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   沖電気工業株式会社   原文 保存
該当なし 　
2004/06/29 不服
2002 -4974  		半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし 　
2004/06/08 不服
2002 -3548  		半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 布施 行夫 その他   セイコーエプソン株式会社   原文 保存
該当なし 　
2004/03/17 不服
2001 -22776  		強誘電体薄膜素子 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 小池 隆彌   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし 　
2004/03/09 不服
2001 -22756  		半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通株式会社   原文 保存
該当なし 　
2004/02/24 不服
2000 -6077  		フローティングゲート型半導体メモリの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   広島大学長   原文 保存
該当なし 　
2004/02/03 不服
2000 -6608  		絶縁材料間における界面接着方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エッセジエッセ-トムソン ミクロエレクトロニクス ソチエタ レスポンサビリタ リミテ   原文 保存
該当なし 　
2004/01/21 不服
2001 -16120  		半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   NECエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2004/01/21 不服
2001 -1720  		半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   セイコーエプソン株式会社   原文 保存
該当なし 　
2003/12/25 不服
2001 -23556  		半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 吉竹 英俊 その他   三菱電機株式会社   原文 保存
該当なし 　
2003/11/21 不服
2001 -7318  		電界効果トランジスタ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 机 昌彦 その他   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし 　
2003/11/14 不服
2001 -6426  		不揮発性半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし 　
2003/11/11 不服
2000 -18010  		安定化層のための保護層及びその製法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 富村 潔   シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト   原文 保存
該当なし 　
2003/10/10 不服
2001 -6751  		絶縁ゲート型静電誘導トランジスタ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   財団法人半導体研究振興会   原文 保存
該当なし 　
2003/09/29 不服
2000 -11283  		半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 机 昌彦 その他   NECエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2003/08/27 不服
2001 -8662  		半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 河合 信明 その他   NEC化合物デバイス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2003/08/26 不服
2000 -17552  		半導体素子形成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 小池 隆彌 その他   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし 　
2003/08/18 不服
2001 -2970  		絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士電機株式会社   原文 保存
該当なし 　
2003/08/08 不服
2001 -6815  		半導体装置およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 中村 誠 その他   株式会社東芝   原文 保存
該当なし 　
2003/06/12 不服
2000 -20350  		隆起型ストラップ構造MOSトランジスタ及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   シャープ株式会社   原文 保存
 29条の2(拡大された先願の地位)  パリ条約 　
2003/05/06 不服
2000 -16516  		半導体装置及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
該当なし 　
2003/04/15 不服
2001 -22365  		量子閉じ込め構造を有する素子 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 杉村 興作   東北大学長   原文 保存
該当なし 　
2003/03/20 審判
1999 -16983  		安定化層及びその製法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト   原文 保存
 パリ条約 　
2003/01/20 不服
2000 -17769  		半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 田中 昭雄   独立行政法人産業技術総合研究所 新エネルギー・産業技術総合開発機構   原文 保存
該当なし 　
2002/11/25 不服
2000 -15822  		MOSトランジスタおよびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし 　
2002/09/30 不服
2000 -12624  		半導体記憶装置およびその記憶情報読出方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 稲岡 耕作 その他   ローム株式会社   原文 保存
該当なし 　
2002/09/18 審判
1999 -15951  		電界効果トランジスタ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 河合 信明 その他   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし 　
2002/08/21 審判
1999 -7758  		高耐圧横型MOSFET半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 福田 修一 その他   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし 　
2002/08/19 不服
2000 -12625  		半導体記憶装置およびその記憶情報読出方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 川崎 実夫 その他   ローム株式会社   原文 保存
該当なし 　

プライバシーポリシー   セキュリティーポリシー   運営会社概要   サービスに関しての問い合わせ