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現在の検索キーワード： 小川 将之

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2011/12/21 不服
2010 -3844  		構造基板の製造方法および半導体素子の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 森 幸一   ソニー株式会社 住友電気工業株式会社   原文 保存
該当なし 　
2011/12/21 不服
2009 -1183  		エンハンスメント型III族窒化物デバイス 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   インターナショナル レクティフィアー コーポレイション   原文 保存
 パリ条約 　
2011/12/20 不服
2010 -18247  		半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士電機株式会社   原文 保存
該当なし 　
2011/12/20 不服
2010 -24426  		半導体集積回路 本件審判の請求は、成り立たない。 緒方 雅昭 その他   エルピーダメモリ株式会社   原文 保存
該当なし 　
2011/12/19 不服
2009 -5592  		不揮発性メモリの消去方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   旺宏電子股▲ふん▼有限公司   原文 保存
該当なし 　
2011/12/19 不服
2009 -17135  		自己整合両面垂直MIMコンデンサ 本件審判の請求は、成り立たない。   インフィネオン テクノロジーズ ノース アメリカ コーポレイション   原文 保存
該当なし 　
2011/12/19 不服
2010 -29355  		MOS型電界効果トランジスタの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 飯塚 雄二   ラピスセミコンダクタ宮城株式会社 ラピスセミコンダクタ株式会社   原文 保存
該当なし 　
2011/12/19 不服
2010 -14305  		固体撮像素子及びその駆動方法 本件審判の請求は,成り立たない。 伊藤 仁恭   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし 　
2011/12/19 不服
2009 -23018  		炭化珪素半導体素子およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 山崎 宏 その他   財団法人電力中央研究所 関西電力株式会社   原文 保存
該当なし 　
2011/12/19 不服
2009 -9882  		分割トラック型零相変流器 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   マルチ計測器株式会社   原文 保存
該当なし 　
2011/12/12 不服
2010 -25243  		半導体積層構造、半導体素子およびHEMT素子 本件審判の請求は、成り立たない。 吉竹 英俊   日本碍子株式会社   原文 保存
該当なし 　
2011/12/12 不服
2010 -8095  		熱電変換セグメント素子及びその製造方法。 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   独立行政法人産業技術総合研究所   原文 保存
該当なし 　
2011/12/12 不服
2010 -23912  		バンド設計超格子を有する半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 大貫 進介 その他   メアーズ テクノロジーズ, インコーポレイテッド   原文 保存
 パリ条約 　
2011/12/12 不服
2010 -23909  		バンド設計超格子を有する半導体装置を製作する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 伊東 忠彦 その他   メアーズ テクノロジーズ, インコーポレイテッド   原文 保存
 パリ条約 　
2011/12/12 不服
2010 -15578  		積層構造物 本件審判の請求は、成り立たない。 浅村 肇 その他   エレメント シックス リミテッド   原文 保存
該当なし 　
2011/12/07 不服
2009 -18095  		抵抗薄膜および抵抗薄膜形成用のスパッタリングターゲット 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   住友金属鉱山株式会社   原文 保存
該当なし 　
2011/12/06 不服
2009 -15364  		表面実装型温度センサ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   三菱マテリアル株式会社   原文 保存
該当なし 　
2011/12/05 不服
2009 -4574  		半導体装置及びその製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。   ラピスセミコンダクタ株式会社   原文 保存
該当なし 　
2011/12/05 不服
2009 -5026  		多結晶装置の製造方法、薄膜トランジスタを具える装置の製造方法及び多結晶シリコン薄膜トランジスタを有する装置 本件審判の請求は、成り立たない。 杉村 憲司 その他   ザ トラスティーズ オブ コロンビア ユニヴァーシティ イン ザ シティ オブ ニューヨーク   原文 保存
該当なし 　
2011/12/01 不服
2009 -5890  		電解コンデンサ用電解液及びこれを用いた電解コンデンサ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   三菱化学株式会社   原文 保存
該当なし 　
2011/11/29 不服
2010 -4280  		磁気抵抗ラム 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
 パリ条約 　
2011/11/29 不服
2009 -17819  		電気二重層コンデンサ用の分極性電極の製造方法並びに電気二重層コンデンサの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 高橋 詔男 その他   本田技研工業株式会社   原文 保存
 新規事項の追加 　
2011/11/28 不服
2009 -19121  		積層コイル部品およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社村田製作所   原文 保存
該当なし 　
2011/11/22 不服
2009 -20382  		バイポーラ・トランジスタの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 市位 嘉宏 その他   インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション   原文 保存
 パリ条約 　
2011/11/21 不服
2009 -20571  		メモリ及びロジック混載のLSIデバイス 本件審判の請求は、成り立たない。 林 恒徳   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
 進歩性(29条2項) 　
2011/11/21 不服
2009 -23623  		半導体メモリ装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 黒川 弘朗 その他   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
該当なし 　
2011/11/21 不服
2009 -20782  		キャパシタと好ましくはプレーナ型のトランジスタとを有する集積回路構造およびその製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。   インフィネオン テクノロジーズ アーゲー   原文 保存
該当なし 　
2011/11/16 不服
2010 -11382  		非晶質CｏFeSiB又は非晶質NiFeSiB自由層を備える磁気トンネル接合 本件審判の請求は、成り立たない。 実広 信哉   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし 　
2011/11/15 不服
2009 -13142  		誘電体薄膜キャパシタの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社村田製作所   原文 保存
該当なし 　
2011/11/15 不服
2010 -13538  		半導体集積回路 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし 　

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