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現在の検索キーワード： 小森 重樹

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2013/03/26 不服
2012 -11488  		デュアルスペーサを形成するための方法およびその方法により製造される不揮発性メモリデバイス 本件審判の請求は、成り立たない。 深見 久郎 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし 　
2013/02/26 不服
2011 -19171  		半導体素子の酸化膜形成方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/01/18 不服
2011 -25174  		電子仮想接地メモリ・デバイスの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 奥山 尚一 その他   エスティマイクロエレクトロニクス・ソチエタ・ア・レスポンサビリタ・リミタータ   原文 保存
該当なし 　
2013/01/09 不服
2012 -5029  		半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   トヨタ自動車株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/12/11 不服
2011 -26791  		半導体装置およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/09/24 不服
2010 -18564  		半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 有田 貴弘   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/09/19 不服
2011 -4575  		PCMセルにおける“先溶融”領域の制御方法及びそれにより得た装置 本件審判の請求は、成り立たない。 杉村 憲司   アイメック エヌエックスピー ビー ヴィ   原文 保存
該当なし 　
2012/09/12 不服
2011 -26953  		絶縁ゲート型半導体素子の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   パナソニック株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/09/12 不服
2010 -14497  		仮想接地アレイ・不揮発性半導体メモリ装置を形成する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 深見 久郎 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし 　
2012/07/26 不服
2010 -22269  		NANDフラッシュ・メモリ 本件審判の請求は、成り立たない。 仲村 義平 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし 　
2012/07/20 不服
2010 -12592  		SOI基板に形成されるSRAMデバイス 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 実広 信哉 その他   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/06/11 不服
2011 -5342  		半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 有田 貴弘   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/06/11 不服
2010 -5220  		不揮発性メモリとその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   林 豊   原文 保存
該当なし 　
2012/05/30 不服
2010 -16475  		NANDフラッシュ・メモリの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 森田 俊雄 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし 　
2012/02/29 不服
2010 -20740  		半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/02/06 不服
2010 -1769  		メモリ素子 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 山崎 宏 その他   シャープ株式会社 酒井 朗 財満 鎭明 安田 幸夫   原文 保存
該当なし 　
2011/12/08 不服
2009 -17095  		窪み付きゲート構造を有するメモリデバイス 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 阿部 和夫 その他   マイクロン テクノロジー, インク.   原文 保存
 パリ条約 　
2011/12/02 不服
2009 -23645  		半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし 　
2011/11/08 不服
2009 -25230  		リーケージ電流の供給が阻止されるメモリ回路、該メモリ回路を備えた無線装置及びリーケージ電流制限方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド   原文 保存
 パリ条約 　
2011/11/07 不服
2009 -17956  		非常に短いゲート形状を有するトランジスタとメモリセルの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 長谷 照一   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
該当なし 　
2011/11/02 不服
2010 -4172  		浮遊トラップ型セルを有する不揮発性半導体メモリ装置及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 志賀 正武 その他   三星電子株式会社   原文 保存
 新規事項の追加 　
2011/06/27 不服
2009 -8214  		強誘電体メモリ素子 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 布施 行夫 その他   セイコーエプソン株式会社   原文 保存
該当なし 　
2011/04/18 不服
2007 -34214  		半導体記憶装置及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 野本 可奈 その他   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2011/03/31 不服
2008 -19478  		半導体メモリ 本件審判の請求は,成り立たない。 中村 誠 その他   株式会社東芝   原文 保存
該当なし 　
2011/02/14 不服
2008 -17631  		半導体メモリ装置 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし 　
2011/02/02 不服
2008 -15026  		SRAM装置およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/12/03 不服
2008 -14590  		半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/11/02 不服
2007 -32243  		半導体記憶装置 本件審判の請求は,成り立たない。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/09/24 不服
2008 -5712  		ワード線ストラップ回路 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 林 鉐三 その他   テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド   原文 保存
該当なし 　
2010/09/14 不服
2007 -34471  		半導体記憶装置及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし 　

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