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松本 陶子
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審決年月日
審判番号
発明・考案の名称
結論
代理人
請求人
2012/12/25
不服
2011 -957
イオン注入及び側方拡散による炭化シリコンパワーデバイスの自己整列的な製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
浅村 皓 その他
クリー インコーポレイテッド
原文
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該当なし
2012/09/04
不服
2011 -959
制御されたアニールによる炭化シリコンパワーデバイスの製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
浅村 皓 その他
クリー インコーポレイテッド
原文
保存
該当なし
2012/07/24
不服
2010 -5730
半導体素子の高電圧接合形成方法
本件審判の請求は、成り立たない。
エスケーハイニックス株式会社
原文
保存
該当なし
2012/07/11
不服
2011 -11129
半導体装置及びその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
渡邊 隆
三星電子株式会社
原文
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該当なし
2012/06/26
不服
2011 -3590
ホットエレクトロン注入が減少された大電力RF電界効果トランジスタを製造する方法及びそれから得られる構造
本件審判の請求は、成り立たない。
勝本 龍二 その他
ロベック アクイジションズ リミテッド エルエルシー
原文
保存
該当なし
2012/06/12
不服
2010 -9394
シリコン欠乏雰囲気中のPECVDプロセスを用いた、金属ゲート電極のための酸窒化物スペーサの形成方法
本件審判の請求は、成り立たない。
村雨 圭介 その他
アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
原文
保存
該当なし
2012/05/28
不服
2010 -4592
半導体デバイス及び半導体デバイスの製造方法
本件審判の請求は,成り立たない。
熊倉 禎男 その他
セムエキップ インコーポレイテッド
原文
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該当なし
2012/05/16
不服
2010 -28579
多数のボディコンタクト領域を形成できる金属酸化膜半導体電界効果トランジスタデバイス
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
伊賀 誠司 その他
ゼネラル セミコンダクター,インク.
原文
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該当なし
2011/09/14
不服
2009 -21999
半導体装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
川崎 康 その他
株式会社東芝
原文
保存
該当なし
2011/09/07
不服
2009 -6436
半導体装置の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
前田 弘 その他
パナソニック株式会社
原文
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該当なし
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