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現在の検索キーワード: 早川 朋一

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2011/02/17 不服
2008 -16642 
半導体装置製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 熊倉 禎男 その他   アナム セミコンダクター リミテッド   原文 保存
該当なし  
2011/01/28 不服
2008 -16442 
集積回路を製造する方法および集積回路 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 森田 俊雄 その他   チャータード・セミコンダクター・マニュファクチャリング・リミテッド   原文 保存
該当なし  
2010/12/22 不服
2008 -15298 
層間金属接続のための自己整合金属キャップ 本件審判の請求は、成り立たない。 篠 良一 その他   インターナショナル ビジネス マシーンズ コーポレーション インフィニオン テクノロジーズ ノース アメリカ コーポレイション   原文 保存
該当なし  
2010/09/08 不服
2009 -5677 
集積回路用配線方式 本件審判の請求は、成り立たない。 堀井 豊 その他   アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2010/07/02 不服
2008 -15927 
半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 大塚 文昭 その他   アナム セミコンダクター リミテッド   原文 保存
該当なし  
2010/06/30 不服
2007 -20677 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 天城 聡 その他   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/06/14 不服
2007 -18683 
半導体集積回路装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/05/27 不服
2007 -21052 
半導体装置の金属配線構造及びその形成方法 本件審判の請求は,成り立たない。 八田 幹雄 その他   三星電子株式会社   原文 保存
 新規事項の追加  
2010/04/12 不服
2007 -6625 
半導体素子のボンディングパッド構造の製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。   三星電子株式会社   原文 保存
 新規性  
2010/04/12 不服
2007 -11292 
半導体装置およびその製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。   株式会社ルネサステクノロジ   原文 保存
 進歩性(29条2項)  
2010/03/31 不服
2007 -15313 
半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。   パナソニック株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/02/16 不服
2007 -17822 
半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし  
2009/11/17 不服
2007 -4482 
シリコンエピタキシャルウエーハの製造方法およびシリコンエピタキシャルウエーハ 本件審判の請求は、成り立たない。   信越半導体株式会社   原文 保存
 新規事項の追加  
2009/08/26 不服
2006 -22029 
半導体装置およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   パナソニック株式会社   原文 保存
該当なし  
2009/08/18 不服
2007 -6626 
半導体装置及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   三星電子株式会社   原文 保存
 パリ条約  
2009/06/24 不服
2006 -14057 
半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   聯華電子股▲ふん▼有限公司   原文 保存
 新規事項の追加  
2009/06/09 不服
2006 -17397 
半導体基板の構造 本件審判の請求は、成り立たない。   OKIセミコンダクタ宮城株式会社 OKIセミコンダクタ株式会社   原文 保存
該当なし  
2009/03/02 不服
2007 -21754 
二重層を有する半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 橋本 良郎 その他   ミクロナス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング   原文 保存
 新規事項の追加  パリ条約  
2008/12/19 不服
2006 -9654 
半導体装置及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし  
2008/09/08 不服
2005 -23732 
半導体集積回路の設計方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通マイクロエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2008/07/28 不服
2005 -23666 
半導体集積回路の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   三洋電機株式会社   原文 保存
 新規事項の追加  
2006/07/04 不服
2004 -18301 
半導体装置の層間接続構造およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2006/06/07 不服
2004 -17473 
層間接触構造を採用した半導体素子およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2006/04/18 不服
2004 -16106 
半導体素子のコンタクト電極形成方法 本件審判の請求は、成り立たない。   サンケン電気株式会社   原文 保存
 新規事項の追加  
2006/03/14 不服
2003 -10697 
半導体装置に用いられる絶縁膜構造の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし  
2005/12/19 不服
2003 -19078 
ボイドを有するプレーナコンタクト 本件審判の請求は、成り立たない。   エスティーマイクロエレクトロニクス,インコーポレイテッド   原文 保存
 29条の2(拡大された先願の地位)  
2005/11/30 不服
2003 -13819 
半導体集積回路装置 本件審判の請求は、成り立たない。   エルピーダメモリ株式会社   原文 保存
該当なし  
2005/11/11 不服
2003 -1859 
銅膜の形成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通株式会社   原文 保存
該当なし  
2005/10/26 不服
2002 -17388 
露出したエッジの収縮の影響を補償する方法、露出したエッジの収縮の影響を補償したキャパシタ及び露出したエッジの収縮の影響を補償した抵抗器 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   シリコン システムズ インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし  
2005/10/19 不服
2003 -18024 
集積回路用抵抗の形成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ノーテル・ネットワークス・リミテッド   原文 保存
該当なし  

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