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現在の検索キーワード： 早川 朋一

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2013/04/01 不服
2011 -27055  		エンドレスゲートトレンチを備える電力半導体素子 本件審判の請求は、成り立たない。 大倉 昭人   インターナショナル レクティフィアー コーポレイション   原文 保存
該当なし 　
2013/03/28 不服
2012 -8905  		レーザによりポリシリコン薄膜をアニールする光学系 本件審判の請求は,成り立たない。 伊東 忠重 その他   ティーシーズィー,エルエルシー   原文 保存
該当なし 　
2013/03/27 不服
2011 -27790  		熱電装置およびその用途 本件審判の請求は、成り立たない。 新見 浩一 その他   バッテル メモリアル インスティチュート   原文 保存
該当なし 　
2013/03/26 不服
2010 -23697  		極低温冷却システム 本件審判の請求は、成り立たない。 荒川 聡志 その他   ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ   原文 保存
該当なし 　
2013/03/26 不服
2011 -25042  		共注入および続いて注入を行うことにより薄層を得るための方法 本件審判の請求は、成り立たない。 特許業務法人 谷・阿部特許事務所   ソイテック   原文 保存
該当なし 　
2013/03/26 不服
2012 -4028  		メモリアレイおよびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 深見 久郎 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし 　
2013/03/26 不服
2012 -8121  		半導体装置及びその作製方法並びに重水素処理装置 本件審判の請求は,成り立たない。   独立行政法人産業技術総合研究所   原文 保存
該当なし 　
2013/03/25 不服
2011 -25401  		同期式半導体装置用のレイテンシ制御装置及びレイテンシ制御方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/03/19 不服
2012 -13974  		ヘテロ構造電界効果トランジスタおよびその製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。   フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2013/03/18 不服
2012 -7357  		高い強度をもつパワーIGBT 本件審判の請求は、成り立たない。   インフィネオン テクノロジーズ アーゲー   原文 保存
該当なし 　
2013/03/18 不服
2012 -9005  		半導体装置の製造方法及び半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/03/18 不服
2012 -10034  		静電気保護素子とパワークランプで構成された入出力静電気放電保護セルを具備する集積回路装置 本件審判の請求は、成り立たない。 実広 信哉   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/03/12 不服
2011 -25429  		フローティングゲート型メモリアレイの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 仲村 義平 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし 　
2013/03/11 不服
2012 -10953  		空乏ストップ層を有するトレンチ絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT) 本件審判の請求は、成り立たない。 大倉 昭人   インターナショナル レクティフィアー コーポレイション   原文 保存
該当なし 　
2013/03/01 不服
2011 -27889  		ソース領域の下にｐ型埋込み層を備えたトランジスタ及びその作製方法。 本件審判の請求は、成り立たない。 特許業務法人浅村特許事務所 その他   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2013/02/26 不服
2011 -19171  		半導体素子の酸化膜形成方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/02/25 不服
2010 -24695  		半導体記憶装置、及びそのセンスアンプ回路 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 黒瀬 泰之 その他   エルピーダメモリ株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/02/25 不服
2011 -28190  		半導体記憶装置および情報処理システム 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/02/19 不服
2011 -18946  		プログラム可能アレイモジュール及びプロセッサモジュールを製造する方法 本件審判の請求は、成り立たない。   アーバー・カンパニー・リミテッド・ライアビリティ・パートナーシップ   原文 保存
該当なし 　
2013/02/19 不服
2011 -23255  		フラッシュメモリ装置のワード線を保護するための方法および装置 本件審判の請求は、成り立たない。 深見 久郎 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし 　
2013/02/19 不服
2012 -3088  		仮想接地メモリアレイのビット線間スペーサ 本件審判の請求は、成り立たない。 仲村 義平 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし 　
2013/02/19 不服
2012 -7481  		半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 永川 行光 その他   キヤノン株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/02/18 不服
2012 -5054  		改善された接地電圧供給ライン構造を有する半導体メモリ装置 本件審判の請求は、成り立たない。 実広 信哉   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/02/15 不服
2012 -4301  		炭化ケイ素MOSFETの製造方法および炭化ケイ素MOSFET 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   独立行政法人産業技術総合研究所   原文 保存
該当なし 　
2013/02/14 不服
2011 -20091  		半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   日産自動車株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/02/14 不服
2012 -4897  		抵抗性メモリ素子 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/02/12 不服
2011 -26634  		不揮発性強誘電体メモリ装置のコード化セル及びその駆動方法 本件審判の請求は、成り立たない。 黒川 弘朗 その他   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/02/12 不服
2011 -26223  		半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 天城 聡   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/02/07 不服
2012 -3367  		半導体集積回路装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ラピスセミコンダクタ株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/02/05 不服
2012 -4387  		半導体電子デバイス 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 田代 至男   古河電気工業株式会社   原文 保存
該当なし 　

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