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現在の検索キーワード： 早川 朋一

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2013/02/05 不服
2011 -10205  		共注入と熱アニールによって特性の改善された薄層を得るための方法 本件審判の請求は、成り立たない。 大浦 裕美 その他   ソワテク   原文 保存
該当なし 　
2013/02/04 不服
2012 -3621  		固体撮像素子の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/01/31 不服
2012 -12207  		固体撮像素子、撮像装置、及び固体撮像素子の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/01/29 不服
2011 -27404  		薄膜トランジスタ及びその製造方法、並びに、TFTアレイ基板 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 上田 俊一 その他   エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド   原文 保存
該当なし 　
2013/01/29 不服
2011 -9087  		薄膜トランジスタの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   独立行政法人産業技術総合研究所   原文 保存
該当なし 　
2013/01/22 不服
2011 -18291  		フラッシュメモリのためのパッシベーション構造およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 山田 卓二 その他   旺宏電子股▲ふん▼有限公司   原文 保存
該当なし 　
2013/01/21 不服
2011 -26809  		熱電素子 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 特許業務法人タス・マイスター国際特許事務所   株式会社ユニバーサルエンターテインメント   原文 保存
該当なし 　
2013/01/21 不服
2011 -26767  		へテロ接合トランジスタ及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 林 鉐三 その他   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2013/01/18 不服
2011 -25174  		電子仮想接地メモリ・デバイスの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 松島 鉄男 その他   エスティマイクロエレクトロニクス・ソチエタ・ア・レスポンサビリタ・リミタータ   原文 保存
該当なし 　
2013/01/09 不服
2011 -24134  		熱電素子及びその製造方法、並びに、熱電モジュール 本件審判の請求は,成り立たない。   株式会社小松製作所   原文 保存
該当なし 　
2013/01/09 不服
2012 -465  		Si:CおよびSiGeエピタキシャル成長ソース/ドレインを用いた高性能で応力が向上されたMOSFETおよび製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 太佐 種一 その他   インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション   原文 保存
該当なし 　
2013/01/09 不服
2012 -1675  		パワーMOSFET 本件審判の請求は、成り立たない。 伊藤 高順 その他   株式会社デンソー   原文 保存
該当なし 　
2013/01/07 不服
2011 -23027  		クロック分配回路の設計方法,設計装置および設計プログラム並びに同プログラムを記録したコンピュータ読取可能な記録媒体 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/01/04 不服
2011 -26650  		低標準偏差の高抵抗値分割ポリｐ抵抗器 本件審判の請求は、成り立たない。 西山 清春 その他   フェアチャイルド セミコンダクター コーポレイション   原文 保存
該当なし 　
2013/01/04 不服
2012 -498  		化合物半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。   富士通株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/12/26 不服
2011 -24372  		一括リフローで実装された画像センサ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 黒川 弘朗 その他   インテル・コーポレーション   原文 保存
該当なし 　
2012/12/21 不服
2011 -26792  		電荷捕捉型誘電体メモリデバイスにプログラミングを行う方法およびその方法でプログラムされた電荷捕捉型誘電体メモリデバイス 本件審判の請求は、成り立たない。 稲葉 良幸 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし 　
2012/12/19 不服
2011 -24634  		専用のオンチッププロセッサを用いる複数のFPGA構成モードのサポート 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 仲村 義平 その他   ザイリンクス インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2012/12/19 不服
2011 -23315  		整流素子およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   住友電気工業株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/12/12 不服
2011 -23827  		半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 深見 久郎 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし 　
2012/12/11 不服
2012 -3999  		逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士電機株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/12/11 不服
2012 -4590  		電気経路およびメモリセルのフローティングゲートから電荷を消去する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 仲村 義平 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし 　
2012/12/11 不服
2011 -26791  		半導体装置およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/12/05 不服
2011 -28289  		半導体装置およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 川崎 実夫   ローム株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/12/04 不服
2011 -26729  		二方向伝導フリップチップ半導体デバイス及び半導体デバイス 本件審判の請求は、成り立たない。 大倉 昭人   インターナショナル レクティフィアー コーポレイション   原文 保存
該当なし 　
2012/12/03 不服
2011 -24683  		記憶素子及びメモリ 本件審判の請求は、成り立たない。   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/12/03 不服
2011 -22179  		ソース/ドレイン領域の選択的エピタキシャル成長方法 本件審判の請求は、成り立たない。 田中 光雄 その他   アイメック   原文 保存
該当なし 　
2012/11/29 不服
2011 -19615  		フラッシュメモリデバイス用のポリシリコンのドーパントレベルを提供するための方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 仲村 義平 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし 　
2012/11/29 不服
2011 -26810  		熱電変換素子モジュール 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 特許業務法人タス・マイスター国際特許事務所   株式会社ユニバーサルエンターテインメント   原文 保存
該当なし 　
2012/11/28 不服
2011 -20230  		液晶表示装置用アレイ基板の製造方法液晶表示装置用アレイ基板の製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。 梶並 順 その他   エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド   原文 保存
該当なし 　

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