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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2012/09/19 不服
2011 -63 
半導体デバイスで用いられるキャパシタとその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 岡部 正夫 その他   アルカテル-ルーセント ユーエスエー インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし  
2012/09/13 不服
2011 -14920 
半導体キャリア寿命測定用装置,半導体キャリア寿命測定方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 小谷 昌崇 その他   株式会社神戸製鋼所   原文 保存
該当なし  
2012/09/12 不服
2011 -14942 
半導体集積回路装置 本件審判の請求は、成り立たない。   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/09/12 不服
2011 -16490 
半導体装置の作製方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし  
2012/09/11 不服
2011 -22707 
埋め込みゲートを有するMOSゲート装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   フェアーチャイルド セミコンダクター コーポレイション   原文 保存
該当なし  
2012/09/10 不服
2011 -8745 
半導体装置及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 特許業務法人 天城国際特許事務所   株式会社東芝 岩手東芝エレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/09/05 不服
2011 -17893 
相変化メモリの駆動方法とシステム 本件審判の請求は、成り立たない。 稲葉 良幸   ヒッグズ オプル.キャピタル エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2012/09/05 不服
2011 -12071 
メモリデバイス用デコーダ 本件審判の請求は、成り立たない。 野田 久登 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2012/09/04 不服
2011 -959 
制御されたアニールによる炭化シリコンパワーデバイスの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 浅村 皓 その他   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2012/09/03 不服
2011 -25892 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 池田 憲保   株式会社 ビンテーシス   原文 保存
該当なし  
2012/08/23 不服
2011 -16909 
不揮発性記憶素子の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 天城 聡   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/08/22 不服
2010 -25956 
磁気センサの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 渡邊 隆   ヤマハ株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/08/22 不服
2011 -25283 
熱-電気直接変換装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2012/08/21 不服
2011 -16674 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 実広 信哉   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/08/20 不服
2011 -8765 
半導体装置およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2012/08/20 不服
2011 -1539 
不揮発性強誘電体メモリの配線 本件審判の請求は、成り立たない。 黒川 弘朗 その他   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/08/20 不服
2011 -15732 
半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 実広 信哉   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/08/20 不服
2010 -15359 
複数の厚みを持つ埋め込み酸化膜上に形成される半導体装置およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2012/08/20 不服
2011 -13669 
半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 有田 貴弘   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/08/20 不服
2011 -15531 
半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 天城 聡   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/08/20 不服
2010 -22498 
不揮発性メモリデバイスおよびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 酒井 將行 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2012/08/20 不服
2011 -7038 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2012/08/15 不服
2011 -6923 
プロジェクター 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし  
2012/08/14 不服
2010 -26465 
磁気抵抗効果素子 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2012/08/14 不服
2011 -17643 
タングステン及び窒化タングステンのインシチュ化学蒸着による、改善されたゲート電極接合構造 本件審判の請求は、成り立たない。 大塚 文昭 その他   アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2012/08/14 不服
2010 -24719 
低減された平均自由行程長を有する半導体材料を含む本体を作製する方法およびこの方法を用いて作製された本体 本件審判の請求は、成り立たない。 安村 高明 その他   インフィネオン テクノロジーズ アーゲー   原文 保存
該当なし  
2012/08/13 不服
2011 -21579 
貫通電極付き半導体デバイスの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 清水 雄一郎 その他   株式会社フジクラ オリンパス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/08/13 不服
2010 -21941 
貫通電極付き半導体デバイスの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 高橋 詔男 その他   株式会社フジクラ オリンパス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/07/24 不服
2010 -24699 
スピントルクを用いた不揮発性磁気メモリセルおよびこれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社日立製作所   原文 保存
該当なし  
2012/07/24 不服
2010 -14712 
モジュール設計方法及び装置 本件審判の請求は、成り立たない。 鈴木 正剛   株式会社ソニー・コンピュータエンタテインメント インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション   原文 保存
該当なし  

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