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早川 朋一
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審決年月日
審判番号
発明・考案の名称
結論
代理人
請求人
2012/07/18
不服
2010 -27946
半導体素子の製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
磯野 道造
サムソン エルイーディー カンパニーリミテッド.
原文
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該当なし
2012/07/17
不服
2010 -17768
PチャネルパワーMIS電界効果トランジスタとその製造方法、およびスイッチング回路
本件審判の請求は,成り立たない。
山川 茂樹 その他
大見 忠弘 矢崎総業株式会社
原文
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該当なし
2012/07/17
不服
2010 -25722
電荷貯蔵絶縁膜を有する不揮発性メモリ素子及びその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
渡邊 隆
三星電子株式会社
原文
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該当なし
2012/07/17
不服
2010 -17347
熱電変換材料
本件審判の請求は、成り立たない。
大日本印刷株式会社
原文
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該当なし
2012/07/11
不服
2010 -29292
表示装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社半導体エネルギー研究所
原文
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該当なし
2012/07/11
不服
2009 -150
半導体装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
小林 義教
クリー インコーポレイテッド
原文
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該当なし
2012/07/10
不服
2010 -23243
バイポーラ集積回路のためのセル構造および方法
本件審判の請求は、成り立たない。
本城 吉子
セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー
原文
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該当なし
2012/07/10
不服
2010 -27430
薄膜トランジスタアレイ基板
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
鈴木 憲七 その他
エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド
原文
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該当なし
2012/07/06
不服
2010 -25529
半導体ウェーハを検査するシステム及び方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
ケーエルエー-テンカー コーポレイション
原文
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該当なし
2012/07/05
不服
2010 -15684
電子部品
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
日本ケミコン株式会社
原文
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該当なし
2012/07/05
不服
2011 -14018
ダブルおよびトリプルゲートMOSFETデバイス、およびこれらのMOSFETデバイスを製造する方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
原文
保存
該当なし
2012/07/02
不服
2010 -17753
半導体装置の製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
富士通セミコンダクター株式会社
原文
保存
該当なし
2012/06/27
不服
2010 -16234
半導体装置の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
富士通セミコンダクター株式会社
原文
保存
該当なし
2012/06/26
不服
2011 -3590
ホットエレクトロン注入が減少された大電力RF電界効果トランジスタを製造する方法及びそれから得られる構造
本件審判の請求は、成り立たない。
特許業務法人 谷・阿部特許事務所 その他
ロベック アクイジションズ リミテッド エルエルシー
原文
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該当なし
2012/06/26
不服
2011 -419
統合補修システム及び自動不良検出システムとその制御方法
本件審判の請求は、成り立たない。
三星電子株式会社
原文
保存
該当なし
2012/06/26
不服
2010 -21208
固体撮像素子及びその製造方法
本件審判の請求は,成り立たない。
ソニー株式会社
原文
保存
該当なし
2012/06/26
不服
2010 -25479
量子化コンダクタンス素子、これを用いた磁場変化検出方法及び磁気検出方法、並びに量子化コンダクタンス素子の製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
石川 武史 その他
学校法人早稲田大学
原文
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該当なし
2012/06/26
不服
2010 -24056
半導体装置の製造方法
本件審判の請求は,成り立たない。
富士通セミコンダクター株式会社
原文
保存
該当なし
2012/06/25
不服
2010 -18300
シリコン・カーバイド・パワー・トランジスタの最大電圧を増大させるための構造
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
千葉 昭男 その他
クーパー,ジェームズ・アルバート,ジュニアー タン,ジャン
原文
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該当なし
2012/06/20
不服
2010 -27269
自己整合した垂直ゲート半導体装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
本城 雅則
セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー
原文
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該当なし
2012/06/20
不服
2010 -17194
イオン打ち込みによってサイドウォールの密度を局所的に高くする方法
本件審判の請求は、成り立たない。
アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
原文
保存
該当なし
2012/06/18
不服
2010 -10314
磁気トンネル接合素子およびその形成方法、磁気メモリ構造ならびにトンネル磁気抵抗効果型再生ヘッド
本件審判の請求は,成り立たない。
三反崎 泰司
ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド アプライド スピントロニクス インコーポレイテッド
原文
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該当なし
2012/06/18
不服
2010 -19298
薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
岡部 讓 その他
エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド
原文
保存
該当なし
2012/06/18
不服
2010 -23525
自己整列した接合領域コンタクトホールを有する半導体装置及びその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
渡邊 隆
三星電子株式会社
原文
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該当なし
2012/06/11
不服
2011 -5342
半導体装置
本件審判の請求は、成り立たない。
吉竹 英俊
ルネサスエレクトロニクス株式会社
原文
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該当なし
2012/06/11
不服
2010 -18601
半導体装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
遠山 勉 その他
富士通セミコンダクター株式会社
原文
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該当なし
2012/06/08
不服
2011 -11086
電極構造およびその形成方法、固体撮像素子
本件審判の請求は、成り立たない。
大塩 竹志 その他
シャープ株式会社
原文
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該当なし
2012/06/05
不服
2010 -20415
フラッシュメモリ技術およびLOCOS/STIアイソレーションに関する、回路の窒化トンネル酸化物のための窒化バリア
本件審判の請求は、成り立たない。
仲村 義平 その他
スパンション エルエルシー
原文
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該当なし
2012/06/04
不服
2011 -5516
半導体試験システム
本件審判の請求は、成り立たない。
富士通セミコンダクター株式会社
原文
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該当なし
2012/05/30
不服
2010 -16396
不揮発性メモリ素子及びその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
実広 信哉 その他
三星電子株式会社
原文
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該当なし
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