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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2012/07/18 不服
2010 -27946 
半導体素子の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 磯野 道造   サムソン エルイーディー カンパニーリミテッド.   原文 保存
該当なし  
2012/07/17 不服
2010 -17768 
PチャネルパワーMIS電界効果トランジスタとその製造方法、およびスイッチング回路 本件審判の請求は,成り立たない。 山川 茂樹 その他   大見 忠弘 矢崎総業株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/07/17 不服
2010 -25722 
電荷貯蔵絶縁膜を有する不揮発性メモリ素子及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 渡邊 隆   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/07/17 不服
2010 -17347 
熱電変換材料 本件審判の請求は、成り立たない。   大日本印刷株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/07/11 不服
2010 -29292 
表示装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし  
2012/07/11 不服
2009 -150 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 小林 義教   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2012/07/10 不服
2010 -23243 
バイポーラ集積回路のためのセル構造および方法 本件審判の請求は、成り立たない。 本城 吉子   セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー   原文 保存
該当なし  
2012/07/10 不服
2010 -27430 
薄膜トランジスタアレイ基板 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 鈴木 憲七 その他   エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド   原文 保存
該当なし  
2012/07/06 不服
2010 -25529 
半導体ウェーハを検査するシステム及び方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ケーエルエー-テンカー コーポレイション   原文 保存
該当なし  
2012/07/05 不服
2010 -15684 
電子部品 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   日本ケミコン株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/07/05 不服
2011 -14018 
ダブルおよびトリプルゲートMOSFETデバイス、およびこれらのMOSFETデバイスを製造する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2012/07/02 不服
2010 -17753 
半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/06/27 不服
2010 -16234 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/06/26 不服
2011 -3590 
ホットエレクトロン注入が減少された大電力RF電界効果トランジスタを製造する方法及びそれから得られる構造 本件審判の請求は、成り立たない。 特許業務法人 谷・阿部特許事務所 その他   ロベック アクイジションズ リミテッド エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2012/06/26 不服
2011 -419 
統合補修システム及び自動不良検出システムとその制御方法 本件審判の請求は、成り立たない。   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/06/26 不服
2010 -21208 
固体撮像素子及びその製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/06/26 不服
2010 -25479 
量子化コンダクタンス素子、これを用いた磁場変化検出方法及び磁気検出方法、並びに量子化コンダクタンス素子の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 石川 武史 その他   学校法人早稲田大学   原文 保存
該当なし  
2012/06/26 不服
2010 -24056 
半導体装置の製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/06/25 不服
2010 -18300 
シリコン・カーバイド・パワー・トランジスタの最大電圧を増大させるための構造 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 千葉 昭男 その他   クーパー,ジェームズ・アルバート,ジュニアー タン,ジャン   原文 保存
該当なし  
2012/06/20 不服
2010 -27269 
自己整合した垂直ゲート半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 本城 雅則   セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー   原文 保存
該当なし  
2012/06/20 不服
2010 -17194 
イオン打ち込みによってサイドウォールの密度を局所的に高くする方法 本件審判の請求は、成り立たない。   アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2012/06/18 不服
2010 -10314 
磁気トンネル接合素子およびその形成方法、磁気メモリ構造ならびにトンネル磁気抵抗効果型再生ヘッド 本件審判の請求は,成り立たない。 三反崎 泰司   ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド アプライド スピントロニクス インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2012/06/18 不服
2010 -19298 
薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 岡部 讓 その他   エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド   原文 保存
該当なし  
2012/06/18 不服
2010 -23525 
自己整列した接合領域コンタクトホールを有する半導体装置及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 渡邊 隆   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/06/11 不服
2011 -5342 
半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 吉竹 英俊   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/06/11 不服
2010 -18601 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 遠山 勉 その他   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/06/08 不服
2011 -11086 
電極構造およびその形成方法、固体撮像素子 本件審判の請求は、成り立たない。 大塩 竹志 その他   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/06/05 不服
2010 -20415 
フラッシュメモリ技術およびLOCOS/STIアイソレーションに関する、回路の窒化トンネル酸化物のための窒化バリア 本件審判の請求は、成り立たない。 仲村 義平 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2012/06/04 不服
2011 -5516 
半導体試験システム 本件審判の請求は、成り立たない。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/05/30 不服
2010 -16396 
不揮発性メモリ素子及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 実広 信哉 その他   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  

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