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現在の検索キーワード: 村岡 一磨

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2015/02/20 不服
2014 -4178 
金属塑性加工用工具およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   日立金属株式会社   原文 保存
該当なし  
2015/01/20 不服
2014 -3625 
還元鉄の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 石田 敬 その他   新日鐵住金株式会社   原文 保存
該当なし  
2015/01/15 不服
2013 -14314 
Pt-Reバイメタル水性ガスシフト触媒の処理条件 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ビーエーエスエフ コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2014/08/15 不服
2012 -20728 
直径100ミリメートルの炭化シリコン基板上の高均一性のIII族窒化物エピタキシャル層 本件審判の請求は、成り立たない。 小林 泰 その他   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2014/06/03 不服
2013 -10783 
無アルミニウムIII族窒化物ベースの高電子移動度トランジスタおよびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2014/02/27 不服
2013 -13584 
窒化物ベースのトランジスタおよびエッチストップ層を用いた製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2013/11/12 不服
2013 -12070 
半絶縁III族窒化物においてフェルミ準位を制御するための同時ドーピング 本件審判の請求は、成り立たない。   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2013/08/28 不服
2013 -1458 
半導体デバイスの製造方法及びエンハンスメント型III族窒化物デバイス 本件審判の請求は,成り立たない。 杉村 憲司   インターナショナル レクティフィアー コーポレイション   原文 保存
該当なし  
2013/08/27 不服
2012 -25662 
半導体装置および同半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 星 公弘 その他   ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング   原文 保存
該当なし  
2013/08/06 不服
2013 -1457 
電界緩和機能を有するIII族窒化物電力半導体 本件審判の請求は、成り立たない。 大倉 昭人   インターナショナル レクティフィアー コーポレイション   原文 保存
該当なし  
2013/07/31 不服
2013 -770 
水素製造システム 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 黒木 義樹 その他   JX日鉱日石エネルギー株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/07/25 不服
2012 -21861 
ミリメートル波動作のための窒化物ベースのトランジスタ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2013/06/11 不服
2012 -3383 
炭化珪素においてビアを形成する方法、及び得られるデバイスと回路 本件審判の請求は、成り立たない。 富田 博行 その他   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2013/05/08 不服
2012 -5448 
III族窒化物素子の不動態化およびその方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 福尾 誠   インターナショナル レクティフィアー コーポレイション   原文 保存
該当なし  
2013/05/08 不服
2012 -18983 
メサ型半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー   原文 保存
該当なし  
2013/03/21 不服
2012 -5404 
金属-炭化珪素オーミックコンタクトの局所的アニーリングおよびそのようにして形成された素子 本件審判の請求は,成り立たない。 大日方 和幸 その他   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2013/03/19 不服
2012 -13974 
ヘテロ構造電界効果トランジスタおよびその製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。   フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2013/02/07 不服
2012 -5861 
シングルゲートまたはマルチゲートフィールドプレート製造 本件審判の請求は、成り立たない。 森下 夏樹 その他   クリー インコーポレイテッド ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア   原文 保存
該当なし  
2012/12/19 不服
2011 -23315 
整流素子およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   住友電気工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/12/12 不服
2011 -24352 
半導体装置の製造方法、及び半導体装置 本件審判の請求は,成り立たない。   次世代半導体材料技術研究組合   原文 保存
該当なし  
2012/11/13 不服
2009 -9455 
半導体素子 本件審判の請求は,成り立たない。   日本碍子株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/10/23 不服
2011 -21053 
半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 渡邊 隆   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/10/03 不服
2011 -8975 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/09/24 不服
2011 -24078 
配線構造 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   パナソニック株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/09/06 不服
2011 -6837 
半導体装置製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。   次世代半導体材料技術研究組合   原文 保存
該当なし  
2012/08/20 不服
2011 -8055 
層間配線に多層カーボンナノチューブを用いる配線構造、半導体装置及び製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。 山口 昭則   富士通株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/07/31 不服
2010 -5960 
半導体素子の自己整合コンタクト形成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/06/18 不服
2010 -26306 
半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 来山 幹雄   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/03/27 不服
2011 -11839 
半導体装置およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   住友電気工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/02/21 不服
2011 -9484 
自己組織化単分子膜の縁部を用いた狭小形状の形成 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 朝日 伸光 その他   アルカテル-ルーセント ユーエスエー インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし  

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