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村岡 一磨
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審決年月日
審判番号
発明・考案の名称
結論
代理人
請求人
2015/02/20
不服
2014 -4178
金属塑性加工用工具およびその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
日立金属株式会社
原文
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該当なし
2015/01/20
不服
2014 -3625
還元鉄の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
石田 敬 その他
新日鐵住金株式会社
原文
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該当なし
2015/01/15
不服
2013 -14314
Pt-Reバイメタル水性ガスシフト触媒の処理条件
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
ビーエーエスエフ コーポレーション
原文
保存
該当なし
2014/08/15
不服
2012 -20728
直径100ミリメートルの炭化シリコン基板上の高均一性のIII族窒化物エピタキシャル層
本件審判の請求は、成り立たない。
小林 泰 その他
クリー インコーポレイテッド
原文
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該当なし
2014/06/03
不服
2013 -10783
無アルミニウムIII族窒化物ベースの高電子移動度トランジスタおよびその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
クリー インコーポレイテッド
原文
保存
該当なし
2014/02/27
不服
2013 -13584
窒化物ベースのトランジスタおよびエッチストップ層を用いた製造方法
本件審判の請求は,成り立たない。
クリー インコーポレイテッド
原文
保存
該当なし
2013/11/12
不服
2013 -12070
半絶縁III族窒化物においてフェルミ準位を制御するための同時ドーピング
本件審判の請求は、成り立たない。
クリー インコーポレイテッド
原文
保存
該当なし
2013/08/28
不服
2013 -1458
半導体デバイスの製造方法及びエンハンスメント型III族窒化物デバイス
本件審判の請求は,成り立たない。
杉村 憲司
インターナショナル レクティフィアー コーポレイション
原文
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該当なし
2013/08/27
不服
2012 -25662
半導体装置および同半導体装置の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
星 公弘 その他
ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング
原文
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該当なし
2013/08/06
不服
2013 -1457
電界緩和機能を有するIII族窒化物電力半導体
本件審判の請求は、成り立たない。
大倉 昭人
インターナショナル レクティフィアー コーポレイション
原文
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該当なし
2013/07/31
不服
2013 -770
水素製造システム
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
黒木 義樹 その他
JX日鉱日石エネルギー株式会社
原文
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該当なし
2013/07/25
不服
2012 -21861
ミリメートル波動作のための窒化物ベースのトランジスタ
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
クリー インコーポレイテッド
原文
保存
該当なし
2013/06/11
不服
2012 -3383
炭化珪素においてビアを形成する方法、及び得られるデバイスと回路
本件審判の請求は、成り立たない。
富田 博行 その他
クリー インコーポレイテッド
原文
保存
該当なし
2013/05/08
不服
2012 -5448
III族窒化物素子の不動態化およびその方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
福尾 誠
インターナショナル レクティフィアー コーポレイション
原文
保存
該当なし
2013/05/08
不服
2012 -18983
メサ型半導体装置の製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー
原文
保存
該当なし
2013/03/21
不服
2012 -5404
金属-炭化珪素オーミックコンタクトの局所的アニーリングおよびそのようにして形成された素子
本件審判の請求は,成り立たない。
大日方 和幸 その他
クリー インコーポレイテッド
原文
保存
該当なし
2013/03/19
不服
2012 -13974
ヘテロ構造電界効果トランジスタおよびその製造方法
本件審判の請求は,成り立たない。
フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド
原文
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該当なし
2013/02/07
不服
2012 -5861
シングルゲートまたはマルチゲートフィールドプレート製造
本件審判の請求は、成り立たない。
森下 夏樹 その他
クリー インコーポレイテッド ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア
原文
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該当なし
2012/12/19
不服
2011 -23315
整流素子およびその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
住友電気工業株式会社
原文
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該当なし
2012/12/12
不服
2011 -24352
半導体装置の製造方法、及び半導体装置
本件審判の請求は,成り立たない。
次世代半導体材料技術研究組合
原文
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該当なし
2012/11/13
不服
2009 -9455
半導体素子
本件審判の請求は,成り立たない。
日本碍子株式会社
原文
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該当なし
2012/10/23
不服
2011 -21053
半導体装置の製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
渡邊 隆
三星電子株式会社
原文
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該当なし
2012/10/03
不服
2011 -8975
半導体装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
ルネサスエレクトロニクス株式会社
原文
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該当なし
2012/09/24
不服
2011 -24078
配線構造
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
パナソニック株式会社
原文
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該当なし
2012/09/06
不服
2011 -6837
半導体装置製造方法
本件審判の請求は,成り立たない。
次世代半導体材料技術研究組合
原文
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該当なし
2012/08/20
不服
2011 -8055
層間配線に多層カーボンナノチューブを用いる配線構造、半導体装置及び製造方法
本件審判の請求は,成り立たない。
山口 昭則
富士通株式会社
原文
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該当なし
2012/07/31
不服
2010 -5960
半導体素子の自己整合コンタクト形成方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
エスケーハイニックス株式会社
原文
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該当なし
2012/06/18
不服
2010 -26306
半導体装置の製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
来山 幹雄
富士通セミコンダクター株式会社
原文
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該当なし
2012/03/27
不服
2011 -11839
半導体装置およびその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
住友電気工業株式会社
原文
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該当なし
2012/02/21
不服
2011 -9484
自己組織化単分子膜の縁部を用いた狭小形状の形成
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
朝日 伸光 その他
アルカテル-ルーセント ユーエスエー インコーポレーテッド
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