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現在の検索キーワード: 長谷部 智寿

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2013/03/06 不服
2011 -1982 
高品質ホモエピタキシ用微傾斜窒化ガリウム基板 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2013/02/14 不服
2012 -9741 
モールドパッケージの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 伊藤 高順 その他   株式会社デンソー   原文 保存
該当なし  
2012/12/10 不服
2012 -7870 
プラズマエッチング方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   SPPテクノロジーズ株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/12/04 不服
2011 -8488 
基板を処理する装置及び方法 本件審判の請求は、成り立たない。 西島 孝喜 その他   アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2012/11/20 不服
2012 -6946 
ドライエッチング方法及び装置 本件審判の請求は、成り立たない。 村中 克年   株式会社アルバック   原文 保存
該当なし  
2012/10/31 不服
2012 -5277 
低温成長バッファ層の形成方法および発光素子の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社光波   原文 保存
該当なし  
2012/09/10 不服
2011 -3567 
遠隔プラズマを用いた膜堆積プロセス及び多段階式のチャンバクリーニングプロセス 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 園田 吉隆   アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2012/09/03 不服
2011 -14109 
エピタキシコーティングされた半導体ウェハおよびデバイスならびにエピタキシコーティングされた半導体ウェハを作製する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト   原文 保存
該当なし  
2012/07/30 不服
2012 -4303 
ガスクラスターイオンビームを用いた基材表面の処理方法及び処理装置 本件審判の請求は、成り立たない。   ティーイーエル エピオン インク.   原文 保存
該当なし  
2012/07/25 不服
2011 -16284 
パルス化される基板電極電力を用いたプラズマエッチング方法 本件審判の請求は、成り立たない。 篠 良一 その他   ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング   原文 保存
該当なし  
2012/06/26 不服
2011 -25651 
基板支持体、プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置内の基板を熱的に制御する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ラム リサーチ コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2012/05/18 不服
2011 -3484 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/05/16 不服
2011 -17973 
窒化物半導体製造装置の洗浄方法と洗浄装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 村山 靖彦 その他   大陽日酸株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/05/09 不服
2011 -12669 
現場基板温度モニター法及び装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ラム リサーチ コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2012/05/07 不服
2011 -2121 
二段階プロセスによる半導体のヘテロ構造体及び製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 恩田 誠 その他   シービーエル テクノロジーズ インコーポレイテッド パナソニック株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/03/27 不服
2010 -12753 
エッチング装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 阿部 英樹 その他   株式会社アルバック 三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/03/27 不服
2010 -12760 
エッチング装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 阿部 英樹 その他   株式会社アルバック 三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/03/12 不服
2011 -2395 
誘導結合型プラズマ処理装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   サムコ株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/02/02 不服
2011 -15130 
半導体装置および半導体装置集合体 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 稲岡 耕作   ローム株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/01/04 不服
2010 -14385 
低誘電率層間絶縁膜のドライエッチング方法 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社アルバック   原文 保存
該当なし  
2011/12/21 不服
2010 -16206 
電子部品用銅系基材及び電子部品 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 戸田 俊材 その他   株式会社神戸製鋼所   原文 保存
該当なし  
2011/12/19 不服
2010 -15783 
放熱フィンおよびヒートシンク 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 江村 美彦 その他   古河電気工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/12/06 不服
2010 -7907 
プラズマ発生器及びプラズマエッチング装置 本件審判の請求は、成り立たない。   住友精密工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/12/01 不服
2010 -27008 
プラズマ閉込め装置及びプラズマの閉込め方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   アドヴアンスド マイクロファブリケション イクィップメント アイエヌシー アジア   原文 保存
 パリ条約  
2011/11/15 不服
2010 -9845 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   東レ・ダウコーニング株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/11/14 不服
2010 -6969 
低汚染プラズマチャンバ構成部品とその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 下山 治 その他   ラム リサーチ コーポレーション   原文 保存
 パリ条約  
2011/10/03 不服
2010 -28505 
熱界面材および半田予備成形品 本件審判の請求は、成り立たない。   フライズ メタルズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2011/09/02 不服
2009 -25349 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 岡田 義敬 その他   オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド   原文 保存
該当なし  
2011/09/02 不服
2008 -12698 
種々の基板を異方性プラズマ加工する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 アインゼル・フェリックス=ラインハルト その他   ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング   原文 保存
 パリ条約  
2011/08/17 不服
2009 -23652 
リードフレーム積層物 本件審判の請求は、成り立たない。   日東電工株式会社   原文 保存
該当なし  

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