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池渕 立
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審決年月日
審判番号
発明・考案の名称
結論
代理人
請求人
2012/08/29
不服
2011 -1419
アライメントキーを有する半導体素子及びその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
三星電子株式会社
原文
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該当なし
2012/08/20
不服
2011 -13669
半導体装置
本件審判の請求は、成り立たない。
有田 貴弘
ルネサスエレクトロニクス株式会社
原文
保存
該当なし
2012/08/20
不服
2011 -7038
半導体装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社東芝
原文
保存
該当なし
2012/08/15
不服
2011 -11972
半導体装置およびその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社東芝
原文
保存
該当なし
2012/08/13
不服
2010 -9835
熱電変換材料の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
須山 佐一
株式会社東芝
原文
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該当なし
2012/08/07
不服
2011 -14663
III族窒化膜双方向スイッチ
本件審判の請求は、成り立たない。
山口 雄輔
インターナショナル レクティフィアー コーポレイション
原文
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該当なし
2012/07/31
不服
2010 -23960
半導体装置及び強誘電体メモリ、半導体装置の製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
宮坂 一彦 その他
セイコーエプソン株式会社
原文
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該当なし
2012/07/30
不服
2010 -12175
サーモパイルアレイの製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
日本セラミック株式会社
原文
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該当なし
2012/07/24
不服
2011 -13646
薄膜トランジスターの製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
友達光電股▲ふん▼有限公司
原文
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該当なし
2012/07/17
不服
2010 -17347
熱電変換材料
本件審判の請求は、成り立たない。
大日本印刷株式会社
原文
保存
該当なし
2012/07/13
不服
2010 -15372
ホット・キャリアでプログラムされるワン・タイム・プログラマブル(OTP)メモリのための方法および装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
岡部 讓 その他
アギア システムズ インコーポレーテッド
原文
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該当なし
2012/07/10
不服
2010 -23243
バイポーラ集積回路のためのセル構造および方法
本件審判の請求は、成り立たない。
本城 雅則
セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー
原文
保存
該当なし
2012/07/03
不服
2010 -24299
レーザ走査装置および熱処理方法
本件審判の請求は、成り立たない。
布施 行夫
ウルトラテック インク
原文
保存
該当なし
2012/05/28
不服
2010 -2554
半導体装置の製造方法
本件審判の請求は,成り立たない。
森田 俊雄 その他
アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
原文
保存
該当なし
2012/05/08
不服
2010 -18402
静電放電から保護される薄膜共振器
本件審判の請求は、成り立たない。
古谷 聡 その他
アバゴ・テクノロジーズ・ワイヤレス・アイピー(シンガポール)プライベート・リミテッド
原文
保存
該当なし
2012/04/24
不服
2010 -21455
エッチング停止層としてポリシリコン再酸化層を使用することによって、シリコン層の凹部を減少する窒化オフセットスペーサ
本件審判の請求は、成り立たない。
アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
原文
保存
該当なし
2012/04/23
不服
2010 -21728
半導体装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
来山 幹雄
富士通セミコンダクター株式会社
原文
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該当なし
2012/04/10
不服
2010 -13469
半導体集積回路装置、および半導体集積回路装置の調整方法
本件審判の請求は、成り立たない。
富士通セミコンダクター株式会社
原文
保存
該当なし
2012/02/27
不服
2010 -7826
ダイナミック型RAMと半導体装置
本件審判の請求は、成り立たない。
緒方 雅昭 その他
エルピーダメモリ株式会社
原文
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該当なし
2012/01/23
不服
2010 -27174
化合物半導体薄膜のp型への活性化方法
本件審判の請求は、成り立たない。
稲積 朋子
サムスン エルイーディー カンパニー リミテッド
原文
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該当なし
2012/01/20
不服
2010 -4593
半導体装置及びその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
池田 憲保 その他
エルピーダメモリ株式会社
原文
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該当なし
2011/12/21
不服
2010 -3844
構造基板の製造方法および半導体素子の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
森 幸一
ソニー株式会社 住友電気工業株式会社
原文
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該当なし
2011/11/29
不服
2009 -961
半導体ダイにおける、電圧依存性が低減した高密度複合MIMキャパシタ
本件審判の請求は、成り立たない。
渡邊 隆
サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド
原文
保存
該当なし
2011/11/08
不服
2010 -12949
化合物半導体エピタキシャル基板
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
住友化学株式会社
原文
保存
該当なし
2011/10/17
不服
2010 -26174
非均一イオン注入法を用いる半導体処理の補償
本件審判の請求は、成り立たない。
森田 俊雄 その他
アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
原文
保存
該当なし
2011/09/14
不服
2010 -81
トレンチショットキー整流器
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
伊賀 誠司
ゼネラル セミコンダクター,インク.
原文
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パリ条約
2011/09/14
不服
2009 -24927
半導体素子の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社ハイニックスセミコンダクター
原文
保存
パリ条約
2011/08/30
不服
2008 -22683
半導体集積回路のレイアウト設計方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
田中 光雄 その他
株式会社リコー
原文
保存
該当なし
2011/08/19
不服
2008 -27546
不揮発性半導体記憶装置の製造方法
本件審判の請求は,成り立たない。
川合 誠 その他
OKIセミコンダクタ株式会社
原文
保存
該当なし
2011/07/06
不服
2009 -21040
動的閾値動作トランジスタ
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
田中 光雄 その他
シャープ株式会社
原文
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