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田代 吉成
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審決年月日
審判番号
発明・考案の名称
結論
代理人
請求人
2011/02/10
不服
2009 -4354
ゲート酸化膜形成方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社トリケミカル研究所
原文
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該当なし
2011/02/09
不服
2009 -9742
熱伝導材料及びその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
渡邊 隆 その他
ツィンファ ユニバーシティ 鴻富錦精密工業(深▲セン▼)有限公司
原文
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該当なし
2011/02/09
不服
2009 -9548
回路上のソルダ・バンプを清浄するためのプラズマ活性化NF3の使用
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
大塚 住江 その他
エルエスアイ コーポレーション
原文
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該当なし
2011/02/08
不服
2008 -4620
バンプ電極付き配線基板及びその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
速水 進治 その他
日本電気株式会社 ルネサスエレクトロニクス株式会社
原文
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該当なし
2011/02/02
不服
2008 -31267
酸化膜形成方法、酸化膜形成装置および電子デバイス材料
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
伊坪 公一 その他
東京エレクトロン株式会社
原文
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該当なし
2011/01/27
不服
2008 -29081
TFTアレイ検査装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
喜多 俊文
株式会社島津製作所
原文
保存
該当なし
2011/01/26
不服
2008 -26387
ウェーハレベルパッケージの空気パッドハンダ接合構造及びその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
渡邊 隆 その他
三星電子株式会社
原文
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該当なし
2011/01/20
不服
2008 -25969
検査方法、検査装置および半導体装置の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
富士通セミコンダクター株式会社
原文
保存
該当なし
2011/01/18
不服
2009 -8881
被処理体の還元方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
東京エレクトロン株式会社
原文
保存
該当なし
2011/01/17
不服
2009 -4183
エピタキシャル基板、半導体積層構造、エピタキシャル基板の製造方法、およびエピタキシャル基板表面におけるピット発生抑制方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
吉竹 英俊
日本碍子株式会社
原文
保存
該当なし
2011/01/14
不服
2009 -8688
低誘電率非晶質シリカ系被膜の形成方法および該方法より得られる低誘電率非晶質シリカ系被膜
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
大阿久 敦子
日揮触媒化成株式会社
原文
保存
該当なし
2011/01/12
不服
2009 -7761
層間絶縁膜のドライエッチング方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社アルバック
原文
保存
該当なし
2011/01/11
不服
2008 -29082
TFTアレイ検査装置、及びTFTアレイ検査方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
江口 裕之
株式会社島津製作所
原文
保存
該当なし
2011/01/04
不服
2009 -4821
半導体装置及びその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
富士通セミコンダクター株式会社
原文
保存
該当なし
2010/12/17
不服
2008 -19318
高電流パルス現象用のエミション顕微鏡装置およびその動作させる方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
間山 進也 その他
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
原文
保存
パリ条約
2010/12/17
不服
2008 -13072
半導体ウェーハ表面の欠陥評価方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
木村 高久
SUMCO TECHXIV株式会社
原文
保存
該当なし
2010/12/14
不服
2008 -14755
能動回路の上に集積された接合を有する熱的に増強された半導体チップ
本件審判の請求は、成り立たない。
林 鉐三 その他
テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド
原文
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パリ条約
2010/12/10
不服
2008 -6680
放熱フィン及びそれを用いた放熱方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社翠光トップライン
原文
保存
該当なし
2010/12/07
不服
2009 -7828
気化方法及び成膜方法
本件審判の請求は、成り立たない。
福森 久夫
株式会社渡辺商行 都田 昌之
原文
保存
該当なし
2010/12/02
不服
2008 -26089
エピタキシャル成長方法およびエピタキシャル成長用基板
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
JX日鉱日石金属株式会社
原文
保存
該当なし
2010/12/01
不服
2008 -1449
膜厚測定方法、比誘電率測定方法、膜厚測定装置、および比誘電率測定装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
皆川 祐一 その他
大日本スクリーン製造株式会社
原文
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該当なし
2010/11/25
不服
2009 -5062
半導体装置の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
大塚 環 その他
ルネサスエレクトロニクス株式会社
原文
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該当なし
2010/11/24
不服
2008 -23569
集積回路用途用の低金属多孔質シリカ誘電体
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
小野 新次郎 その他
ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド
原文
保存
該当なし
2010/11/12
不服
2008 -27002
エピタキシャルウエーハ用シリコン単結晶の検査方法及びエピタキシャルウエーハ用シリコンウエーハの製造方法、並びにエピタキシャルウエーハの製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
信越半導体株式会社
原文
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該当なし
2010/11/10
不服
2008 -32675
不良解析方法及び不良解析システム
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社日立ハイテクノロジーズ
原文
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該当なし
2010/11/09
不服
2008 -4643
半導体装置及びその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
仲倉 幸典 その他
シャープ株式会社
原文
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該当なし
2010/11/08
不服
2008 -21866
放熱部品
本件審判の請求は、成り立たない。
電気化学工業株式会社
原文
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該当なし
2010/11/08
不服
2007 -27746
半導体のエレクトロマイグレーション特性の加速決定のための方法および装置
本件審判の請求は、成り立たない。
坂口 博 その他
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション インフィニオン テクノロジーズ ノース アメリカ コーポレイション
原文
保存
該当なし
2010/11/04
不服
2008 -29049
半導体層を形成する方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
寺崎 史朗 その他
住友電気工業株式会社
原文
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該当なし
2010/11/02
不服
2008 -31258
気相成長装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
日本パイオニクス株式会社
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該当なし
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