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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2019/04/16 不服
2017 -16642  		半導体素子及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 特許業務法人平田国際特許事務所   株式会社タムラ製作所 国立研究開発法人情報通信研究機構   原文 保存
該当なし 　
2019/04/01 不服
2018 -11590  		窒化物系電界効果トランジスタ 本件審判の請求は、成り立たない。 高橋 英樹 その他   三菱電機株式会社   原文 保存
該当なし 　
2019/04/01 不服
2018 -1081  		ショットキー接触部を有する半導体デバイスを製造するための方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   インフィネオン テクノロジーズ オーストリア アクチエンゲゼルシャフト   原文 保存
該当なし 　
2019/03/20 不服
2018 -7752  		半導体装置および半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   富士電機株式会社   原文 保存
該当なし 　
2019/03/11 不服
2018 -9808  		ミドルオブライン(MIDDLEOFLINE)(MOL)導電層を使用したキャパシタ 本件審判の請求は、成り立たない。 黒田 晋平   クアルコム,インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2019/01/08 不服
2017 -19469  		高周波パワーダイオードおよび高周波パワーダイオードを製造するための製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   アーベーベー・テクノロジー・アーゲー   原文 保存
該当なし 　
2018/12/10 不服
2017 -6980  		炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   富士電機株式会社   原文 保存
該当なし 　
2018/11/20 不服
2017 -16255  		半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士電機株式会社   原文 保存
該当なし 　
2018/11/15 不服
2018 -1315  		最外フィンの外側表面上のエピタキシャル成長バリアを含むマルチフィンFINFET装置及び関連方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   エスティーマイクロエレクトロニクス,インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2018/10/12 不服
2017 -14378  		埋め込みウェル領域およびエピタキシャル層を有する電界効果型トランジスタデバイス 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 須田 洋之 その他   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2018/09/25 不服
2017 -11402  		半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 久野 淑己 その他   三菱電機株式会社   原文 保存
該当なし 　
2018/08/06 不服
2017 -12981  		ゲート電極を有する炭化ケイ素半導体デバイス 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 黒川 俊久 その他   ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ   原文 保存
該当なし 　
2018/07/02 不服
2017 -15281  		ナノワイヤ構造を製造する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 津田 理 その他   クナノ・アーベー   原文 保存
該当なし 　
2018/06/25 不服
2017 -14791  		パワーアンプモジュールを含む関連するシステム、デバイス、および方法 本件審判の請求は、成り立たない。   スカイワークス ソリューションズ,インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2018/06/25 不服
2017 -9394  		炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 酒井 昭徳   国立研究開発法人産業技術総合研究所 富士電機株式会社   原文 保存
該当なし 　
2018/06/18 不服
2017 -8264  		SiCショットキーダイオード用モリブデンバリア金属および製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 大森 規雄 その他   ヴィシェイ-シリコニックス   原文 保存
該当なし 　
2018/06/04 不服
2017 -11627  		シールドゲートを有する炭化珪素装置を形成する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   インフィネオン テクノロジーズ アーゲー   原文 保存
該当なし 　
2018/03/29 不服
2016 -17264  		スプリットゲート電界効果トランジスタ 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   ヴィシェイ-シリコニックス   原文 保存
該当なし 　
2018/02/26 不服
2017 -1364  		半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 高田 守 その他   三菱電機株式会社   原文 保存
該当なし 　
2017/09/04 不服
2017 -1225  		半導体装置およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   住友電気工業株式会社   原文 保存
該当なし 　
2017/08/17 不服
2017 -1324  		炭化珪素半導体装置およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 松井 重明 その他   三菱電機株式会社   原文 保存
該当なし 　
2017/06/19 不服
2015 -21775  		トリゲート・デバイス及び製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 伊東 忠彦 その他   インテル コーポレイション   原文 保存
該当なし 　
2017/04/17 不服
2016 -10913  		半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   サンケン電気株式会社   原文 保存
該当なし 　
2017/01/06 不服
2015 -8203  		埋め込み接地板を備えた半導体構造体の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 実広 信哉 その他   コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ   原文 保存
該当なし 　
2016/12/05 不服
2015 -12557  		多結晶シリコン層、薄膜トランジスタ、及び有機電界発光表示装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 佐伯 義文 その他   三星ディスプレイ株式會社   原文 保存
該当なし 　
2016/12/05 不服
2015 -12322  		半導体装置及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 前田 実 その他   ラピスセミコンダクタ株式会社   原文 保存
該当なし 　
2016/09/30 不服
2015 -1782  		強誘電体基板を使用した転写方法 本件審判の請求は、成り立たない。 実広 信哉   コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ   原文 保存
該当なし 　
2016/09/07 不服
2015 -350  		半導体構造又は半導体素子を製造する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 山口 和弘 その他   ソイテック   原文 保存
該当なし 　
2016/01/19 不服
2014 -20673  		ウエハーの接合中に欠陥を処理するプロセス 本件審判の請求は、成り立たない。 特許業務法人 谷・阿部特許事務所 その他   ソイテック   原文 保存
該当なし 　
2015/06/09 不服
2014 -14357  		半導体構造 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 太佐 種一 その他   インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション   原文 保存
該当なし 　

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