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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2012/08/21 不服
2011 -15784  		非晶質酸化物半導体材料、電界効果型トランジスタ及び表示装置 本件審判の請求は、成り立たない。 福田 浩志 その他   富士フイルム株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/07/10 不服
2010 -27430  		薄膜トランジスタアレイ基板 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 曾我 道治 その他   エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド   原文 保存
該当なし 　
2012/06/18 不服
2010 -19298  		薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 岡部 讓 その他   エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド   原文 保存
該当なし 　
2012/04/25 不服
2010 -21540  		貼り合わせウェーハの製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。   株式会社SUMCO   原文 保存
該当なし 　
2012/04/11 不服
2010 -1696  		シリコンウェーハの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社SUMCO   原文 保存
該当なし 　
2012/03/06 不服
2008 -32935  		SOI電解効果トランジスタを製造する方法および対応する電界効果トランジスタ 本件審判の請求は,成り立たない。 安村 高明 その他   インフィネオン テクノロジーズ アーゲー   原文 保存
該当なし 　
2012/03/05 不服
2010 -7513  		薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 小野 由己男   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/02/14 不服
2010 -11416  		アクティブマトリクスディスプレイ装置およびその製造 本件審判の請求は、成り立たない。 勝沼 宏仁 その他   ティーピーオー、ホンコン、ホールディング、リミテッド   原文 保存
該当なし 　
2011/11/30 不服
2010 -1592  		SOIウェーハの作製方法 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社SUMCO   原文 保存
該当なし 　
2011/11/28 不服
2009 -22786  		薄膜デバイスの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 野口 信博 その他   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし 　
2011/11/07 不服
2009 -23273  		ショットキー障壁貫通単電子トランジスタ及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 橘谷 英俊 その他   韓國電子通信研究院   原文 保存
該当なし 　
2011/10/19 不服
2009 -8209  		反転型FinFET薄膜トランジスタを用いたFinFETSRAMセル 本件審判の請求は、成り立たない。 間山 進也 その他   インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション   原文 保存
 進歩性(29条2項) 　
2011/09/28 不服
2009 -6343  		SOIウエーハ及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2011/09/26 不服
2009 -6341  		SOIウェーハ及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2011/09/20 不服
2009 -18641  		液晶表示パネル用基板及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 小野 由己男   三星電子株式会社   原文 保存
 新規事項の追加  技術的範囲  パリ条約 　
2011/09/15 不服
2009 -2410  		半導体集積回路およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   独立行政法人産業技術総合研究所   原文 保存
該当なし 　
2011/08/31 不服
2009 -17496  		薄膜トランジスタの作製方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし 　
2011/08/25 不服
2009 -25108  		SOIウェーハの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 村山 靖彦 その他   株式会社SUMCO   原文 保存
該当なし 　
2011/08/09 不服
2009 -20466  		基板処理方法、基板処理装置およびマイクロ波プラズマ水素シンタ装置 本件審判の請求は,成り立たない。   東京エレクトロン株式会社   原文 保存
 進歩性(29条2項) 　
2011/08/08 不服
2008 -26680  		半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 内藤 嘉昭 その他   セイコーエプソン株式会社   原文 保存
 新規事項の追加 　
2011/07/11 不服
2008 -22370  		SOI半導体集積回路及びその製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし 　
2011/06/21 不服
2008 -29599  		薄膜トランジスタ基板および表示デバイス 本件審判の請求は,成り立たない。 竹岡 明美 その他   株式会社神戸製鋼所   原文 保存
 国内優先権 　
2011/06/14 不服
2008 -31529  		選択的に連結された本体を有するシリコン酸化物絶縁体(SOI)半導体 本件審判の請求は、成り立たない。 堀井 豊 その他   アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2011/06/13 不服
2009 -2008  		ボディ結合型絶縁膜上シリコン半導体デバイス及びその方法 本件審判の請求は、成り立たない。 池上 美穂   フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド   原文 保存
 パリ条約 　
2011/04/21 不服
2008 -18829  		薄膜トランジスタ基板の製造方法、および表示デバイス 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 竹岡 明美 その他   株式会社神戸製鋼所   原文 保存
該当なし 　
2011/04/11 不服
2009 -6139  		ナノSOIウェーハの製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。 実広 信哉 その他   漢陽大学校 産学協力団 シルトロン株式会社   原文 保存
 新規事項の追加 　
2011/04/05 不服
2009 -5637  		SOIウエーハ及びSOIウエーハの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   信越半導体株式会社   原文 保存
 進歩性(29条2項) 　
2011/03/08 不服
2008 -32688  		薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 福田 浩志 その他   富士フイルム株式会社   原文 保存
該当なし 　
2011/03/01 不服
2008 -6111  		画像表示装置およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 特許業務法人はるか国際特許事務所   パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 株式会社 日立ディスプレイズ   原文 保存
 進歩性(29条2項) 　
2011/02/18 不服
2008 -14620  		薄膜トランジスタの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 特許業務法人はるか国際特許事務所   株式会社 日立ディスプレイズ パナソニック液晶ディスプレイ株式会社   原文 保存
該当なし 　

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