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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2016/11/08 不服
2015 -13558  		CDの均一性を向上させるための基板温度調整を行う方法及びプラズマエッチングシステム 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ラム リサーチ コーポレーション   原文 保存
該当なし 　
2016/10/17 不服
2015 -1907  		エッチングガスの供給方法及びエッチング装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 萩原 康司 その他   東京エレクトロン株式会社   原文 保存
該当なし 　
2016/09/20 不服
2015 -2845  		高電圧耐久III族窒化物半導体デバイス 本件審判の請求は,成り立たない。   インターナショナル レクティフィアー コーポレイション   原文 保存
該当なし 　
2016/07/19 不服
2015 -5937  		温度制御システム 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   東京エレクトロン株式会社   原文 保存
該当なし 　
2015/08/25 不服
2014 -7149  		歪み補償半導体構造および歪み補償半導体構造を製作する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2015/03/25 不服
2014 -3392  		単結晶シリコンウェハ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト   原文 保存
該当なし 　
2014/08/04 不服
2013 -20068  		半導体イメージセンサ装置及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 仲村 義平 その他   台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司   原文 保存
該当なし 　
2014/08/04 不服
2012 -25936  		窒化ガリウム材料及び方法 本件審判の請求は、成り立たない。 恩田 博宣   インターナショナル レクティファイアー コーポレイション   原文 保存
該当なし 　
2014/05/20 不服
2013 -15836  		薄膜のハイ・スループット結晶化 本件審判の請求は、成り立たない。 須田 洋之 その他   ザ トラスティーズ オブ コロンビア ユニヴァーシティ イン ザ シティ オブ ニューヨーク   原文 保存
該当なし 　
2014/03/12 不服
2013 -14446  		ダメージフリー被覆刻設堆積法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 辻居 幸一 その他   アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2014/01/22 不服
2012 -25788  		イメージセンサ 本件審判の請求は、成り立たない。 松島 鉄男 その他   インテレクチュアル・ヴェンチャーズ・II・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー   原文 保存
該当なし 　
2013/12/19 不服
2013 -13130  		貼り合わせ基板の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越化学工業株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/11/05 不服
2013 -202  		熱処理方法 本件審判の請求は、成り立たない。   国立大学法人東京農工大学   原文 保存
該当なし 　
2013/10/21 不服
2012 -20020  		半導体装置及びその製造方法、カメラモジュール 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー   原文 保存
該当なし 　
2013/09/26 不服
2013 -5827  		SiCGe結晶薄膜の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 石田 敬 その他   トヨタ自動車株式会社 一般財団法人ファインセラミックスセンター   原文 保存
該当なし 　
2013/06/24 不服
2012 -2862  		固体撮像用半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 実広 信哉   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし 　
2013/02/21 不服
2012 -1678  		薄膜半導体デバイスおよび薄膜半導体デバイスの製法 本件審判の請求は、成り立たない。 山崎 宏 その他   ピーエスティ・センサーズ・(プロプライエタリー)・リミテッド   原文 保存
該当なし 　
2013/02/15 不服
2012 -3821  		多結晶シリコン薄膜の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社日本製鋼所   原文 保存
該当なし 　
2013/01/21 不服
2011 -21954  		イメージセンサの無機物マイクロレンズの形成方法 本件審判の請求は、成り立たない。 徳本 浩一 その他   インテレクチュアル・ヴェンチャーズ・II・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー   原文 保存
該当なし 　
2013/01/09 不服
2011 -19785  		固体撮像素子およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   大日本印刷株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/12/28 不服
2012 -1994  		撮像素子 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 下山 治 その他   キヤノン株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/11/07 不服
2010 -23926  		減少した転位パイルアップを有する半導体ヘテロ構造および関連した方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 森下 夏樹 その他   台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司   原文 保存
該当なし 　
2012/09/24 不服
2011 -415  		歪み補償半導体構造および歪み補償半導体構造を製作する方法 本件審判の請求は,成り立たない。 特許業務法人浅村特許事務所 その他   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2012/09/10 不服
2011 -8745  		半導体装置及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 特許業務法人 天城国際特許事務所   岩手東芝エレクトロニクス株式会社 株式会社東芝   原文 保存
該当なし 　
2012/08/03 不服
2011 -3398  		固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法および撮像装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/07/18 不服
2010 -27946  		半導体素子の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 磯野 道造   サムソン エルイーディー カンパニーリミテッド.   原文 保存
該当なし 　
2012/07/09 不服
2010 -23576  		エピタキシャル基板、半導体積層構造、転位低減方法およびエピタキシャル形成用基板 本件審判の請求は,成り立たない。 吉竹 英俊   日本碍子株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/05/28 不服
2010 -28527  		センサーパッケージおよびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 皿田 秀夫   大日本印刷株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/04/03 不服
2010 -11111  		酸化クロム不働態膜が形成された金属材料及びその製造方法並びに接流体部品及び流体供給・排気システム 本件審判の請求は,成り立たない。 福森 久夫   株式会社フジキン 大見 忠弘   原文 保存
該当なし 　
2012/02/06 不服
2010 -5715  		固体撮像装置及び電子機器 本件審判の請求は,成り立たない。 伊藤 仁恭   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし 　

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