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杢 哲次
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審決年月日
審判番号
発明・考案の名称
結論
代理人
請求人
2012/01/06
不服
2009 -17315
固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
有吉 修一朗
ソニー株式会社
原文
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該当なし
2011/12/28
不服
2010 -13834
固体撮像装置、その製造方法およびカメラ
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
パナソニック株式会社
原文
保存
該当なし
2011/12/12
不服
2010 -15578
積層構造物
本件審判の請求は、成り立たない。
安藤 克則 その他
エレメント シックス リミテッド
原文
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該当なし
2011/10/11
不服
2009 -11318
多結晶シリコン薄膜の製造方法及びこれを用いて製造される多結晶シリコンを用いる薄膜トランジスタ
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
伊藤 正和 その他
三星モバイルディスプレイ株式會社
原文
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パリ条約
2011/10/03
不服
2009 -9467
半導体基板及び電界効果型トランジスタ並びにこれらの製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
高橋 詔男 その他
株式会社SUMCO
原文
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該当なし
2011/09/13
不服
2009 -19703
固体撮像素子
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
角田 芳末
ソニー株式会社
原文
保存
該当なし
2011/09/13
不服
2009 -10788
多結晶シリコン薄膜の製造方法及びこれを使用して製造されたディスプレーデバイス
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
三星モバイルディスプレイ株式會社
原文
保存
該当なし
2011/09/06
不服
2009 -460
ZnO系エピタキシャル成長基板、ZnO系エピタキシャル下地基板、及びZnO系膜の製造方法
本件審判の請求は,成り立たない。
日本碍子株式会社
原文
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該当なし
2011/06/10
不服
2009 -4790
薄膜半導体装置の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社 液晶先端技術開発センター
原文
保存
該当なし
2011/06/02
不服
2009 -14678
半導体基板および半導体基板の形成方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
箱田 篤 その他
フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー
原文
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該当なし
2011/02/28
不服
2009 -483
III族窒化物素子及びIII族窒化物エピタキシャル基板
本件審判の請求は、成り立たない。
岡島 伸行
日本碍子株式会社
原文
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進歩性(29条2項)
2010/12/15
不服
2007 -10454
多結晶半導体膜の形成方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
シャープ株式会社
原文
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該当なし
2010/11/01
不服
2007 -6939
半導体薄膜の結晶化方法、半導体薄膜、及び、薄膜半導体装置
本件審判の請求は、成り立たない。
伊藤 壽郎 その他
シャープ株式会社
原文
保存
該当なし
2010/10/26
不服
2008 -3908
窒素含有半導体物質のデバイス
本件審判の請求は、成り立たない。
山口 巖
シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
原文
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新規事項の追加 パリ条約
2010/04/27
不服
2008 -26283
注入工程を使用してSiC半導体層を有する半導体デバイスを製造する方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
浅村 肇 その他
クリー、インコーポレイテッド
原文
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該当なし
2010/03/30
不服
2008 -23987
固体撮像素子
本件審判の請求は、成り立たない。
伊藤 仁恭
ソニー株式会社
原文
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進歩性(29条2項)
2010/03/04
不服
2007 -1282
結晶性半導体薄膜とその製造方法、および薄膜トランジスタとその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社東芝
原文
保存
該当なし
2009/05/19
不服
2006 -23987
結晶性珪素膜の作製方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社半導体エネルギー研究所
原文
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該当なし
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