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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2013/03/28 不服
2012 -8905 
レーザによりポリシリコン薄膜をアニールする光学系 本件審判の請求は,成り立たない。 伊東 忠彦 その他   ティーシーズィー,エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2013/03/27 不服
2011 -23304 
ボトムスピンバルブ型センサおよび対称性デュアルスピンバルブ型センサならびにそれらの形成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2013/03/27 不服
2012 -9690 
逆阻止型絶縁ゲート形半導体装置およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/03/27 不服
2011 -27790 
熱電装置およびその用途 本件審判の請求は、成り立たない。 川本 和弥 その他   バッテル メモリアル インスティチュート   原文 保存
該当なし  
2013/03/26 不服
2010 -23697 
極低温冷却システム 本件審判の請求は、成り立たない。 荒川 聡志 その他   ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ   原文 保存
該当なし  
2013/03/26 不服
2012 -11488 
デュアルスペーサを形成するための方法およびその方法により製造される不揮発性メモリデバイス 本件審判の請求は、成り立たない。 仲村 義平 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2013/03/26 不服
2011 -25668 
磁気抵抗効果素子、磁気メモリ、磁気ヘッド、および磁気記録再生装置 本件審判の請求は,成り立たない。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2013/03/26 不服
2012 -14679 
レーザ移動を用いて感熱基板上に移植した磁気ランダム・アクセス・メモリ(MRAM)デバイスおよびこれを製造する方法 本件審判の請求は、成り立たない。 間山 進也 その他   インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2013/03/26 不服
2012 -8121 
半導体装置及びその作製方法並びに重水素処理装置 本件審判の請求は,成り立たない。   独立行政法人産業技術総合研究所   原文 保存
該当なし  
2013/03/25 不服
2011 -25401 
同期式半導体装置用のレイテンシ制御装置及びレイテンシ制御方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/03/25 不服
2012 -964 
半導体装置の製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/03/21 不服
2012 -12260 
半導体メモリ素子のキャパシタ及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 渡邊 隆   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/03/19 不服
2012 -13974 
ヘテロ構造電界効果トランジスタおよびその製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。   フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2013/03/18 不服
2012 -7109 
容量セル、および容量 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/03/18 不服
2012 -7357 
高い強度をもつパワーIGBT 本件審判の請求は、成り立たない。   インフィネオン テクノロジーズ アーゲー   原文 保存
該当なし  
2013/03/18 不服
2012 -12088 
半導体素子の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/03/18 不服
2012 -7740 
コンバータダイオードおよびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   富士電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/03/18 不服
2012 -9005 
半導体装置の製造方法及び半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/03/15 不服
2012 -2636 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/03/14 不服
2012 -8681 
イメージセンサー及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 松島 鉄男 その他   インテレクチュアル・ヴェンチャーズ・II・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー   原文 保存
該当なし  
2013/03/12 不服
2012 -12520 
イメージセンサ及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 松島 鉄男 その他   インテレクチュアル・ヴェンチャーズ・II・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー   原文 保存
該当なし  
2013/03/12 不服
2011 -25429 
フローティングゲート型メモリアレイの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 深見 久郎 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2013/03/11 不服
2012 -10953 
空乏ストップ層を有するトレンチ絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT) 本件審判の請求は、成り立たない。 杉村 憲司   インターナショナル レクティフィアー コーポレイション   原文 保存
該当なし  
2013/03/11 不服
2012 -20244 
SOIウェーハの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/03/06 不服
2011 -14635 
不揮発性メモリの周辺トランジスタ 本件審判の請求は、成り立たない。 森田 俊雄 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2013/03/05 不服
2012 -8582 
イメージセンサーパッケージの組立方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 渡邊 隆   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/03/01 不服
2011 -27889 
ソース領域の下にp型埋込み層を備えたトランジスタ及びその作製方法。 本件審判の請求は、成り立たない。 大日方 和幸 その他   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2013/02/27 不服
2012 -729 
マルチポートメモリ装置 本件審判の請求は、成り立たない。 実広 信哉   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/02/25 不服
2011 -28190 
半導体記憶装置および情報処理システム 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/02/25 不服
2010 -24695 
半導体記憶装置、及びそのセンスアンプ回路 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 緒方 和文 その他   エルピーダメモリ株式会社   原文 保存
該当なし  

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