審決検索結果一覧を表示しています。

現在の検索キーワード： 北島 健次

1197 件のヒット

  • ポートフォリオ機能
  • 絞り込み検索機能

チェックした審決を…
　 ポートフォリオ名を入力して新規に保存　→　

　既存のポートフォリオを選択して保存　→　
絞り込み検索ワード： or or 　→　
審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2012/07/11 不服
2011 -11129  		半導体装置及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 実広 信哉   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/07/11 不服
2009 -150  		半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 園田 吉隆   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2012/07/11 不服
2010 -12634  		被膜密着性に優れた超低鉄損方向性電磁鋼板 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 来間 清志   JFEスチール株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/07/10 不服
2010 -27430  		薄膜トランジスタアレイ基板 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 曾我 道治 その他   エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド   原文 保存
該当なし 　
2012/07/10 不服
2010 -23243  		バイポーラ集積回路のためのセル構造および方法 本件審判の請求は、成り立たない。 本城 雅則   セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー   原文 保存
該当なし 　
2012/07/09 不服
2011 -10614  		電界効果トランジスタ及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   古河電気工業株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/07/09 不服
2010 -23576  		エピタキシャル基板、半導体積層構造、転位低減方法およびエピタキシャル形成用基板 本件審判の請求は,成り立たない。 有田 貴弘   日本碍子株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/07/05 不服
2010 -15684  		電子部品 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   日本ケミコン株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/07/04 不服
2008 -2487  		低閾値電圧を有する短チャンネルトレンチパワーMOSFET 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 下地 健一 その他   インターナショナル レクティフィアー コーポレイション   原文 保存
該当なし 　
2012/07/04 不服
2011 -10576  		高出力ダイヤモンド半導体素子 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   独立行政法人産業技術総合研究所   原文 保存
該当なし 　
2012/07/03 不服
2011 -5389  		アクティブマトリックス回路基板、この製造方法及びこれを備えたアクティブマトリックスディスプレイ装置 本件審判の請求は、成り立たない。 村山 靖彦 その他   サムスン・エスディアイ・ジャーマニー・ゲーエムベーハー 三星モバイルディスプレイ株式會社   原文 保存
該当なし 　
2012/07/02 不服
2010 -17753  		半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/06/26 不服
2010 -2611  		薄膜トランジスタ及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 朝日 伸光 その他   エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド   原文 保存
該当なし 　
2012/06/26 不服
2011 -116  		低容量の複数の静電放電保護ダイオード 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   インテル・コーポレーション   原文 保存
該当なし 　
2012/06/26 不服
2010 -22648  		半導体記憶素子の作製方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし 　
2012/06/26 不服
2011 -419  		統合補修システム及び自動不良検出システムとその制御方法 本件審判の請求は、成り立たない。   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/06/25 不服
2011 -2426  		MIS型FET 本件審判の請求は,成り立たない。 大垣 孝   沖電気工業株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/06/21 不服
2010 -18122  		配線膜の製造方法と電子部品の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし 　
2012/06/20 不服
2011 -22188  		半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし 　
2012/06/20 不服
2010 -27269  		自己整合した垂直ゲート半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 本城 吉子   セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー   原文 保存
該当なし 　
2012/06/18 不服
2010 -23525  		自己整列した接合領域コンタクトホールを有する半導体装置及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 渡邊 隆   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/06/14 不服
2010 -20489  		撮像装置と撮像装置におけるマイクロレンズの形成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   大日本印刷株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/06/13 不服
2011 -5689  		固体撮像素子 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 伊藤 仁恭   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/06/13 不服
2010 -7979  		非揮発性SONSNOSメモリ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/06/12 不服
2010 -9394  		シリコン欠乏雰囲気中のPECVDプロセスを用いた、金属ゲート電極のための酸窒化物スペーサの形成方法 本件審判の請求は、成り立たない。 村雨 圭介 その他   アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2012/06/11 不服
2010 -12133  		半導体装置及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 上杉 浩 その他   ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド   原文 保存
該当なし 　
2012/06/11 不服
2010 -13941  		半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド   原文 保存
該当なし 　
2012/06/11 不服
2011 -5342  		半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 吉竹 英俊   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし 　
2012/06/11 不服
2011 -15343  		耐放射線性のあるアイソレーション構造及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 高尾 智満 その他   シリコン・スペース・テクノロジー・コーポレイション   原文 保存
該当なし 　
2012/06/11 不服
2011 -2435  		DRAM混載半導体装置及びDRAM混載半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 速水 進治   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし 　

プライバシーポリシー   セキュリティーポリシー   運営会社概要   サービスに関しての問い合わせ