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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2013/02/18 不服
2012 -9226 
トリプルゲートトランジスタを有する半導体素子 本件審判の請求は、成り立たない。 渡邊 隆   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/02/15 不服
2012 -4301 
炭化ケイ素MOSFETの製造方法および炭化ケイ素MOSFET 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   独立行政法人産業技術総合研究所   原文 保存
該当なし  
2013/02/04 不服
2012 -2532 
エアギャップを伴うダマシーン構造を有する半導体デバイスの製造方法およびエアギャップを伴うダマシーン構造を有する半導体デバイス 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 山田 卓二 その他   エヌエックスピー ビー ヴィ アイメック   原文 保存
該当なし  
2012/12/07 不服
2011 -24736 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/11/06 不服
2011 -25112 
ダイヤモンドのオーム性接合部の形成方法及びその接合部を有する金属電極の形成方法 本件審判の請求は、成り立たない。   独立行政法人産業技術総合研究所   原文 保存
該当なし  
2012/09/28 不服
2011 -2074 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 天城 聡   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/08/21 不服
2011 -16674 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 実広 信哉   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/07/30 不服
2011 -1326 
導体トラック配列 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   インフィネオン テクノロジーズ アーゲー   原文 保存
該当なし  
2012/07/23 不服
2010 -24065 
積層体の製造方法、半導体デバイスおよび半導体デバイスの製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。 土井 健二   富士通株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/07/02 不服
2010 -17753 
半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/06/11 不服
2010 -13275 
信頼性向上のためのケイ化銅パッシベーション 本件審判の請求は、成り立たない。 岡部 正夫 その他   アギア システムズ インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし  
2012/06/11 不服
2010 -13941 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド   原文 保存
該当なし  
2012/05/24 不服
2010 -25451 
エピタキシャルC49相のチタニウムシリサイド層を有する半導体素子の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/05/14 不服
2010 -13089 
電気的接続構造、その製造方法および半導体集積回路装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 土井 健二   富士通株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/05/08 不服
2010 -22297 
金属配線の形成方法 本件審判の請求は、成り立たない。   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/04/17 不服
2010 -5766 
半導体デバイスの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 黒川 弘朗 その他   マグナチップセミコンダクター有限会社   原文 保存
該当なし  
2012/03/28 不服
2010 -5228 
層間絶縁構造およびその形成方法 本件審判の請求は,成り立たない。 大塩 竹志 その他   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/12/07 不服
2009 -12742 
半導体装置のCu配線およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 植木 久一 その他   株式会社神戸製鋼所   原文 保存
該当なし  
2011/12/06 不服
2009 -13373 
半導体装置およびその製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。 下坂 直樹   日本電気株式会社   原文 保存
 進歩性(29条2項)  
2011/11/21 不服
2009 -11814 
半導体素子の金属配線層形成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   三星電子株式会社   原文 保存
 パリ条約  
2011/10/20 不服
2009 -11858 
平板表示装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 村山 靖彦 その他   三星モバイルディスプレイ株式會社   原文 保存
該当なし  
2011/10/14 不服
2009 -19860 
エアーギャップを選択的に形成する方法及び当該方法により得られる装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 言上 惠一 その他   テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド アイメック   原文 保存
 パリ条約  
2011/10/04 不服
2010 -2163 
窒化チタン障壁層の形成方法及び窒化チタン障壁層を含む半導体デバイス 本件審判の請求は、成り立たない。 千葉 昭男 その他   エルエスアイ コーポレーション   原文 保存
 新規事項の追加  
2011/09/27 不服
2009 -16645 
基板への配線を有する集積回路およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 本田 淳   フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2011/07/08 不服
2009 -12116 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 伊東 忠彦   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/07/06 不服
2008 -22459 
集積回路を製造するパターン化方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 城村 邦彦 その他   旺宏電子股▲ふん▼有限公司   原文 保存
該当なし  
2011/05/24 不服
2009 -1568 
貫通電極付き半導体基板の製造方法、貫通電極付き半導体デバイスの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 高橋 詔男 その他   オリンパス株式会社 株式会社フジクラ   原文 保存
該当なし  
2011/05/09 不服
2008 -20074 
半導体装置の製造方法及び半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 鷲頭 光宏   エルピーダメモリ株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/04/25 不服
2008 -25901 
半導体装置の作製法 本件審判の請求は,成り立たない。 福田 賢三 その他   独立行政法人産業技術総合研究所 三洋電機株式会社   原文 保存
 新規事項の追加  
2011/04/19 不服
2008 -9707 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  

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