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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2007/05/01 不服
2004 -15928 
化合物単結晶の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   HOYA株式会社   原文 保存
該当なし  
2007/04/19 不服
2005 -25474 
半導体製造装置用排ガス処理装置及びその運転方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 熊谷 隆   株式会社荏原製作所   原文 保存
該当なし  
2007/03/28 不服
2004 -14121 
窒化物半導体基板の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   日亜化学工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2007/03/28 不服
2004 -21290 
熱処理方法及び熱処理装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 有田 貴弘 その他   株式会社SOKUDO   原文 保存
該当なし  
2007/03/28 不服
2004 -20094 
半導体単結晶薄膜の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2007/03/05 不服
2004 -23706 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通株式会社   原文 保存
該当なし  
2007/02/14 不服
2004 -21749 
GaN系半導体素子とその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 下坂 直樹 その他   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2007/02/14 不服
2004 -15405 
化合物単結晶の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   HOYA株式会社   原文 保存
該当なし  
2007/02/08 不服
2004 -12845 
エピタキシャルウエハとその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 酒井 將行 その他   住友電気工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2007/01/29 不服
2004 -12527 
III族窒化物膜の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   日本碍子株式会社   原文 保存
 進歩性(29条2項)  
2007/01/22 無効
2006 -80140 
半導体素子搭載用基板及び半導体パッケージ 請求項1についての訂正を認める。 特許第3352084号の請求項1に記…… 中村 守 その他   住友金属鉱山 株式会社   原文 保存
 進歩性(29条2項)  新規性  国内優先権  分割出願(出願分割)  補正要件  
2007/01/09 不服
2004 -18132 
熱処理装置、減圧CVD装置、および薄膜装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 藤綱 英吉 その他   セイコーエプソン株式会社   原文 保存
該当なし  
2006/12/25 不服
2004 -20748 
被処理体の処理装置及び被処理体の処理方法 本件審判の請求は、成り立たない。   東京エレクトロン株式会社   原文 保存
該当なし  
2006/12/19 不服
2004 -24124 
溶融塩電解装置 本件審判の請求は、成り立たない。 須原 誠 その他   東洋炭素株式会社   原文 保存
該当なし  
2006/12/12 不服
2005 -16187 
シリコン系薄膜の製造法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   独立行政法人産業技術総合研究所   原文 保存
該当なし  
2006/12/11 不服
2004 -9467 
プラズマクリーニング方法及びこの方法に使用される配置領域保護体 本件審判の請求は、成り立たない。 保立 浩一   キヤノンアネルバ株式会社 東京エレクトロン株式会社   原文 保存
該当なし  
2006/11/28 不服
2004 -25797 
半導体ウェーハおよびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 高橋 詔男 その他   株式会社SUMCO   原文 保存
該当なし  
2006/09/28 不服
2003 -7811 
半導体加工チャンバとその制御方法 本件審判の請求は、成り立たない。   華邦電子股▲ふん▼有限公司   原文 保存
該当なし  
2006/08/16 不服
2004 -23069 
半導体製造装置のウェーハ処理方法及び半導体製造装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社日立国際電気   原文 保存
該当なし  
2006/08/03 不服
2003 -5678 
窒化物半導体基板上に活性層を備えた窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子及びその成長方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   日亜化学工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2006/06/14 不服
2004 -734 
ヒートシンク材及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 宮寺 利幸   日本碍子株式会社   原文 保存
該当なし  
2006/05/22 不服
2004 -9973 
化合物半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   日立電線株式会社   原文 保存
 進歩性(29条2項)  
2006/04/26 不服
2004 -10628 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 前田 弘 その他   松下電器産業株式会社   原文 保存
該当なし  
2006/02/14 不服
2003 -3833 
半導体層の形成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 上島 淳一   田中 悟 独立行政法人理化学研究所   原文 保存
該当なし  
2006/02/06 不服
2003 -18046 
半導体装置およびその製法 本件審判の請求は、成り立たない。   ローム株式会社   原文 保存
該当なし  
2006/02/03 不服
2005 -11494 
化学気相堆積装置及びそれを用いた半導体膜の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 須澤 修 その他   セイコーエプソン株式会社   原文 保存
該当なし  
2006/01/31 不服
2003 -5123 
エピタキシャル成長装置のサセプタ 本件審判の請求は、成り立たない。   コマツ電子金属株式会社   原文 保存
該当なし  
2006/01/05 不服
2003 -4406 
薄膜エピタキシャルウェーハおよびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社SUMCO   原文 保存
該当なし  
2006/01/05 不服
2003 -4405 
エピタキシャルウェ-ハの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社SUMCO   原文 保存
該当なし  
2006/01/05 不服
2003 -4407 
薄膜エピタキシャルウェーハの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社SUMCO   原文 保存
該当なし  

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