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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2001/08/06 不服
2000 -5606 
気相成長装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 福田 修一 その他   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2001/02/06 審判
1998 -20146 
半導体集積回路チップの製造方法 原査定を取り消す。 本願の請求項1及び2に係る発明は、特許すべ……   セイコークロック株式会社   原文 保存
該当なし  
2001/01/25 審判
1999 -3881 
堆積膜の連続的形成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   キヤノン株式会社   原文 保存
該当なし  
2001/01/24 審判
1997 -15775 
半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。   日東電工株式会社   原文 保存
 分割出願(出願分割)  
2001/01/23 訂正
2000 -39132 
半導体ウエハの処理方法 特許第2877997号に係る明細書を本件審判請求書に添付された訂正…… 杉谷 勉   日東電工株式会社   原文 保存
 新規事項の追加  
2001/01/19 異議
1999 -71828 
半導体装置 特許第2824026号の請求項1ないし2に係る特許を取り消す。     原文 保存
該当なし  
2000/12/25 異議
2000 -72147 
反応処理装置 訂正を認める。 特許第2980667号の請求項1に係る特許を維持する。 井桁 貞一     原文 保存
 29条の2(拡大された先願の地位)  新規事項の追加  
2000/12/05 審判
1998 -35064 
改良されたスループットを有する真空処理装置 特許第2575285号の請求項1〜7に係る発明についての特許を無効とす…… 後藤 洋介 その他   アネルバ株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/11/20 審判
1998 -5594 
処理用ガスの供給方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   東京エレクトロン株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/08/30 審判
1999 -991 
枚葉式ホットウォール処理装置のクリーニング方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   東京エレクトロン株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/08/29 審判
1997 -16241 
低温高圧のシリコン蒸着方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 大塚 文昭 その他   アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2000/08/29 審判
1998 -14240 
合成半導体及び制御されたそのドーピング 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   オハイオ エアロスペース インスティチュート   原文 保存
該当なし  
2000/08/08 審判
1999 -5507 
洗浄装置及び洗浄方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   東京エレクトロン株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/08/03 異議
1999 -73696 
半導体ウエハの処理方法 特許第2877997号の請求項1に係る特許を維持する。 辻 邦夫 その他     原文 保存
 29条の2(拡大された先願の地位)  
2000/08/02 異議
1999 -73427 
半導体ウエハ処理装置 特許第2868767号の特許を取り消す。 江原 省吾 その他     原文 保存
該当なし  
2000/07/25 審判
1998 -8516 
リードフレーム 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   三洋電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/07/24 審判
1996 -10783 
浅い注入を行うための多角度注入法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 大塚 文昭 その他   アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2000/06/29 審判
1999 -7237 
低水素量非晶質シリコン半導体薄膜の形成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   三洋電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/06/21 異議
1999 -73139 
液処理装置 訂正を認める。 特許第2859435号の特許を維持する。 高山 宏志     原文 保存
 新規事項の追加  
2000/06/09 審判
1998 -19966 
薄膜の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   三洋電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/06/07 異議
1999 -70645 
化合物半導体薄膜の製造方法 訂正を認める。 特許第2793239号の請求項1、2に係る特許を維持す…… 外川 英明     原文 保存
該当なし  
2000/06/06 審判
1998 -10676 
化合物半導体の気相成長装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 藤谷 修 その他   豊田合成株式会社 科学技術振興事業団 名古屋大学長   原文 保存
該当なし  
2000/05/29 異議
1999 -73082 
発光デバイス用の窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーの切断方法 訂正を認める。 特許第2859478号の特許を維持する。 河宮 治 その他     原文 保存
該当なし  
2000/05/16 審判
1996 -10547 
半導体素子のソース/ドレイン形成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 大庭 咲夫 その他   ヒュンダイ エレクトロニクス インダストリイズ カンパニー リミテッド   原文 保存
該当なし  
2000/05/08 審判
1998 -15611 
レーザー処理方法及び半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし  
2000/04/28 審判
1998 -2781 
ダイシング装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社ディスコ   原文 保存
該当なし  
2000/04/20 審判
1998 -14215 
耐蝕性部材、その使用方法およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 中谷 光夫 その他   日本碍子株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/04/07 審判
1997 -7312 
解離したハロゲン系腐蝕性ガスに対する耐蝕性部材およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 中谷 光夫 その他   日本碍子株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/04/03 異議
1999 -70743 
表面処理方法 訂正を認める。 特許第2792558号の特許請求の範囲に記載された発…… 作田 康夫     原文 保存
 29条の2(拡大された先願の地位)  
2000/03/30 審判
1998 -5593 
マルチチャンバー処理装置及びそのクリーニング方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   東京エレクトロン株式会社   原文 保存
該当なし  

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