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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2000/03/30 審判
1997 -2687 
薄膜製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 長谷川 芳樹 その他   アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2000/03/13 審判
1998 -10832 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/03/13 審判
1998 -10742 
半導体装置及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/03/09 審判
1998 -19499 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/02/16 審判
1998 -16288 
被膜作製装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし  
2000/02/08 審判
1998 -16356 
気相反応被膜作製方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし  
2000/02/08 審判
1998 -16355 
気相反応被膜作製方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし  
2000/02/03 異議
1997 -74485 
シリコン酸化膜及びそれを備えた半導体装置 特許第2594702号の特許請求の範囲請求項1、請求項3ないし請求項8…… 福森 久夫     原文 保存
該当なし  
2000/01/31 審判
1998 -7469 
処理方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   東京エレクトロン株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/01/04 審判
1998 -6441 
半導体ウェーハ 本件審判の請求は、成り立たない。   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
1999/12/17 審判
1999 -4658 
半導体集積回路 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許をすべきものとする。   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
1999/12/17 異議
1998 -75867 
半導体不揮発性メモリ 特許第2779623号の請求項1ないし2に係る特許を取り消す。     原文 保存
該当なし  
1999/12/15 審判
1998 -6130 
半導体素子の表面平担化方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド   原文 保存
該当なし  
1999/12/15 審判
1998 -6130 
半導体素子の表面平坦化方法 平成10年5月14日付けの手続補正を却下する。   エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド   原文 保存
 パリ条約  
1999/12/10 審判
1999 -3002 
CMIS半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許をすべきものとする。   セイコーインスツルメンツ株式会社   原文 保存
該当なし  
1999/12/10 審判
1998 -2785 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許をすべきものとする。   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
1999/12/10 審判
1997 -20195 
半導体装置およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許をすべきものとする。 福田 修一 その他   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
1999/12/10 審判
1997 -10338 
基板加熱・冷却機構 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許をすべきものとする。   アネルバ株式会社   原文 保存
該当なし  
1999/12/09 審判
1997 -7744 
半導体装置及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 河合 信明 その他   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
1999/12/09 異議
1998 -74354 
レジスト塗布装置 特許第2722848号の請求項1ないし3に係る特許を取り消す。     原文 保存
該当なし  
1999/12/08 審判
1998 -15100 
薄膜抵抗体の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許をすべきものとする。   株式会社デンソー 芝浦メカトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
1999/12/06 審判
1998 -1757 
半導体素子の多層金属配線の形成方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド   原文 保存
該当なし  
1999/12/02 審判
1998 -496 
低濃度ドーピングドレインを有するMOS型電界効果トランジスタの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド   原文 保存
該当なし  
1999/12/02 審判
1997 -19636 
ダイシング装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許をすべきものとする。   株式会社東京精密   原文 保存
該当なし  
1999/12/02 審判
1998 -11050 
半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社日立製作所   原文 保存
該当なし  
1999/11/30 異議
1998 -73813 
薄膜形成装置 特許第2708503号の特許を取り消す。     原文 保存
該当なし  
1999/11/29 審判
1999 -50067 
半導体装置及びその製造方法 原決定を取り消す。   東芝電子エンジニアリング株式会社 株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
1999/11/26 審判
1996 -9746 
半導体メモリ装置およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許をすべきものとする。   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
1999/11/25 異議
1999 -71490 
気相成長方法及びその装置 訂正を認める。 特許第2814436号の請求項1ないし2に係る特許を維…… 内田 明 その他     原文 保存
 進歩性(29条2項)  新規性  
1999/11/18 審判
1996 -10426 
半導体作製方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許をすべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし  

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