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現在の検索キーワード: 加藤 俊哉

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2019/03/12 不服
2017 -11174 
リレーデバイスを有するメモリ要素 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 山本 秀策   アルテラ コーポレイション   原文 保存
該当なし  
2019/01/08 不服
2017 -10608 
電子デバイスおよび電子デバイスの接続部の生成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   ティーディーケイ・エレクトロニクス・アクチェンゲゼルシャフト   原文 保存
該当なし  
2018/07/31 異議
2017 -701085 
圧電素子および圧電素子の製造方法 特許第6130085号の明細書、特許請求の範囲を訂正請求書に添付さ…… 宮園 博一     原文 保存
該当なし  
2018/04/23 不服
2017 -8807 
半導体装置 本件審判の請求は,成り立たない。 須田 洋之 その他   ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド   原文 保存
該当なし  
2018/04/16 不服
2017 -6409 
固体撮像装置、および電子機器 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 稲本 義雄   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし  
2018/03/19 不服
2017 -6316 
相変化メモリセル 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 水村 香穂里   鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 ツィンファ ユニバーシティ   原文 保存
該当なし  
2018/03/19 不服
2017 -9552 
固体撮像装置 本件審判の請求は,成り立たない。 稲本 義雄   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし  
2018/02/14 不服
2016 -14627 
プローバ用チャックおよび検査装置 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   京セラ株式会社   原文 保存
該当なし  
2018/01/29 不服
2016 -18106 
集積回路の異なる階層上の、読取/書込ポートおよびアクセスロジックを有する3Dメモリセル 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 岡田 貴志 その他   クゥアルコム・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2018/01/29 不服
2017 -886 
CMOS画像センサー内蔵IRアップコンバージョン装置を組み込んだ赤外線撮像装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 特許業務法人北青山インターナショナル   ナノホールディングス,リミテッド ライアビリティー カンパニー ユニバーシティー オブ フロリダ リサーチ ファウンデーション,インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2018/01/09 不服
2017 -1882 
半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし  
2018/01/09 不服
2017 -1666 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし  
2017/12/18 不服
2017 -8478 
固体撮像装置及び電子機器 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし  
2017/11/28 不服
2016 -14193 
スイッチング磁界の改善された分散を伴う磁気ランダムアクセスメモリセル 本件審判の請求は、成り立たない。 篠原 淳司 その他   クロッカス・テクノロジー・ソシエテ・アノニム   原文 保存
該当なし  
2017/11/27 不服
2017 -3326 
固体撮像装置およびカメラ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 大塚 康徳 その他   キヤノン株式会社   原文 保存
該当なし  
2017/10/31 不服
2015 -20276 
熱閉じ込めを最適化した磁気デバイス 本件審判の請求は、成り立たない。 篠原 淳司 その他   クロッカス・テクノロジー・ソシエテ・アノニム   原文 保存
該当なし  
2017/10/10 不服
2017 -3738 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし  
2017/08/07 不服
2015 -14735 
スピントルク移動磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(STT‐MRAM)のソースローディング効果の低減 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 村山 靖彦   クアルコム,インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2017/07/25 不服
2016 -18522 
非線形素子を有するスイッチングデバイス 本件審判の請求は、成り立たない。 伊藤 寛之 その他   クロスバー, インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2017/07/03 不服
2016 -14942 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし  
2017/06/27 不服
2015 -17058 
不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2017/06/27 不服
2016 -6375 
耐久性が改良された熱アシスト磁気ランダムアクセスメモリ素子 本件審判の請求は,成り立たない。 江崎 光史 その他   クロッカス・テクノロジー・ソシエテ・アノニム   原文 保存
該当なし  
2017/05/12 不服
2016 -17119 
半導体装置、及び半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 大塚 文昭 その他   ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド   原文 保存
該当なし  
2017/05/09 不服
2016 -14445 
記憶素子および記憶装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社   原文 保存
該当なし  
2017/04/24 不服
2015 -11047 
BSIイメージセンサー用の半導体装置とその形成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 濱田 初音   台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司   原文 保存
該当なし  
2017/04/17 不服
2015 -20287 
磁気トンネル接合デバイスおよびその製造 本件審判の請求は、成り立たない。 黒田 晋平   クアルコム,インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2017/03/27 不服
2016 -1943 
半導体素子及びその形成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 荒船 良男   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2017/03/14 不服
2015 -12717 
多層圧電デバイスの製造方法、助剤を含む多層圧電デバイス、および多層圧電デバイスの破壊応力抑制のための助剤の使用 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   エプコス アクチエンゲゼルシャフト   原文 保存
該当なし  
2017/01/30 不服
2015 -22930 
半導体イメージセンサー装置と方法 本件審判の請求は、成り立たない。 田澤 英昭   台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司   原文 保存
該当なし  
2016/12/19 不服
2016 -3471 
半導体装置及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  

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