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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2013/05/02 不服
2012 -4278 
半導体装置およびその製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。 速水 進治   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/04/23 不服
2012 -9410 
NANDフラッシュメモリ素子 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/03/25 不服
2012 -964 
半導体装置の製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/03/12 不服
2011 -25429 
フローティングゲート型メモリアレイの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 荒川 伸夫 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2013/02/27 不服
2012 -2097 
五酸化タンタル層を用いた集積回路用コンデンサを製造するための方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 岡部 正夫 その他   アルカテル-ルーセント ユーエスエー インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし  
2012/12/26 不服
2012 -11350 
非水系電解液二次電池用多孔質セパレータおよびそれを用いた非水系電解液二次電池 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   三菱化学株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/12/19 不服
2011 -6353 
電気メッキ法を利用して下部電極を形成する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/10/23 不服
2011 -450 
容量素子 本件審判の請求は、成り立たない。 竹内 宏 その他   パナソニック株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/08/27 不服
2010 -23718 
台形のビット線を有するメモリ装置、およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 仲村 義平 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2012/08/21 不服
2010 -14819 
半導体素子のキャパシタ製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/08/20 不服
2011 -1539 
不揮発性強誘電体メモリの配線 本件審判の請求は、成り立たない。 山川 政樹 その他   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/07/31 不服
2011 -1566 
不揮発性半導体記憶装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2012/06/26 不服
2010 -24056 
半導体装置の製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/06/05 不服
2010 -9816 
トンネル型磁気抵抗多層膜製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 山口 芳広   キヤノンアネルバ株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/05/08 不服
2011 -58 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/04/13 不服
2011 -3487 
強誘電体キャパシタ及び強誘電体メモリ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 稲葉 良幸   セイコーエプソン株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/04/11 不服
2010 -12914 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 久原 健太郎 その他   セイコーインスツル株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/02/13 不服
2011 -12986 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 柏谷 昭司 その他   富士通株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/01/25 不服
2010 -5809 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 森田 俊雄 その他   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/01/06 不服
2010 -13780 
半導体メモリ素子のキャパシタの製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
該当なし  
2011/11/11 不服
2009 -10993 
浮遊トラップ型不揮発性メモリ素子 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 村山 靖彦 その他   三星電子株式会社   原文 保存
 パリ条約  
2011/06/14 不服
2009 -4294 
半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 原田 智雄 その他   パナソニック株式会社   原文 保存
 国内優先権  
2011/05/25 不服
2009 -8386 
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気再生装置および磁気メモリ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2010/11/24 不服
2008 -9957 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 上柳 雅誉 その他   セイコーエプソン株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/10/14 不服
2008 -7537 
半導体装置およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社フィルテック   原文 保存
 新規事項の追加  
2010/10/04 不服
2008 -4078 
半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 嶋田 高久 その他   パナソニック株式会社   原文 保存
 新規事項の追加  
2009/12/25 不服
2007 -11436 
磁気抵抗効果素子、その製造方法、磁気ランダムアクセスメモリ、携帯端末装置、磁気ヘッド及び磁気再生装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 河野 哲 その他   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  

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