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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2003/09/29 不服
2001 -5753 
薄膜半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 上柳 雅誉   セイコーエプソン株式会社   原文 保存
該当なし  
2003/09/26 異議
2003 -70464 
液相エピタキシャル成長法 訂正を認める。 特許第3316083号の請求項1に係る特許を維持する。 石原 詔二 その他     原文 保存
 新規事項の追加  公然実施(29条1項2号)  
2003/09/26 不服
2001 -4216 
半導体装置の製造方法およびIII-V族化合物半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   三菱化学株式会社   原文 保存
該当なし  
2003/09/26 不服
2001 -8592 
電界効果トランジスタおよびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 近藤 伊知良 その他   住友電気工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2003/09/25 異議
2002 -71845 
リードフレーム、半導体装置及び半導体装置の製造方法 訂正を認める。 特許第3251436号の請求項1乃至7に係る特許を維持…… 筒井 大和 その他     原文 保存
該当なし  
2003/09/25 異議
2001 -72722 
半導体装置の製造方法 訂正を認める。 本件特許異議の申立てを却下する。 竹村 壽 その他     原文 保存
 新規事項の追加  
2003/09/25 不服
2001 -11734 
半導体装置及び半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし  
2003/09/24 不服
2002 -19237 
積層コンデンサ、配線基板および高周波回路 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社村田製作所   原文 保存
該当なし  
2003/09/24 異議
2002 -70674 
薄膜トランジスタの製造方法と薄膜トランジスタアレイの製造方法と液晶表示装置の製造方法 訂正を認める。 特許第3210568号の請求項1乃至2に係る特許を取り…… 坂口 智康 その他     原文 保存
該当なし  
2003/09/24 不服
2002 -19236 
積層コンデンサ、配線基板、デカップリング回路および高周波回路 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社村田製作所   原文 保存
該当なし  
2003/09/22 不服
2001 -16494 
強誘電体不揮発性記憶装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 眞島 宏明 その他   ローム株式会社   原文 保存
該当なし  
2003/09/22 不服
2001 -7806 
液晶表示装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 上柳 雅誉   セイコーエプソン株式会社   原文 保存
該当なし  
2003/09/19 不服
2001 -18493 
半導体装置、およびサファイア基板上に真性シリコン層を有するシリコン・オン・サファイアウェハを製造する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 深見 久郎 その他   ペレグリン・セミコンダクター・コーポレイション   原文 保存
該当なし  
2003/09/19 不服
2000 -16266 
アモルファス変圧器 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 和泉 良彦   株式会社日立産機システム 東京電力株式会社   原文 保存
該当なし  
2003/09/18 不服
2001 -21429 
薄膜半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 上柳 雅誉 その他   セイコーエプソン株式会社   原文 保存
該当なし  
2003/09/18 不服
2001 -22327 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 内藤 浩樹 その他   松下電器産業株式会社   原文 保存
該当なし  
2003/09/18 不服
2001 -4064 
薄膜半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 藤綱 英吉   セイコーエプソン株式会社   原文 保存
該当なし  
2003/09/18 不服
2001 -22256 
プラグイン縦配線の形成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 志賀 富士弥   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし  
2003/09/17 不服
2000 -8112 
半導体装置及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 谷澤 靖久 その他   NECエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2003/09/17 不服
2001 -6650 
半導体メモリの記憶用キャパシタ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 高瀬 彌平   三菱電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2003/09/17 不服
2001 -21436 
高分子配線の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通株式会社   原文 保存
該当なし  
2003/09/16 不服
2001 -7338 
半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   沖電気工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2003/09/11 不服
2000 -16565 
コンデンサの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ユナイテッド マイクロエレクトロニクス コープ   原文 保存
該当なし  
2003/09/11 異議
2002 -70537 
セラミック電子部品とその製造方法 訂正を認める。 特許第3204933号の請求項1ないし4に係る特許を維…… 窪田 法明     原文 保存
該当なし  
2003/09/10 異議
2003 -70298 
インダクタンス素子 特許第3309831号の請求項1ないし4に係る特許を維持する。 内藤 浩樹 その他     原文 保存
該当なし  
2003/09/10 異議
2003 -70268 
圧電アクチュエータ 特許第3308492号の請求項1に係る特許を維持する。     原文 保存
該当なし  
2003/09/03 不服
2000 -15525 
トレンチ分離型FET素子の閾値以下の漏洩電流特性を改善するための方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 市位 嘉宏 その他   インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2003/09/03 異議
2002 -71491 
誘電体素子及びその製造方法 訂正を認める。 特許第3239445号の請求項1乃至5に係る特許を維持…… 谷澤 靖久 その他     原文 保存
該当なし  
2003/09/02 不服
2001 -701 
誘電体分離基板及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 鵜沼 辰之   三菱住友シリコン株式会社 株式会社日立製作所   原文 保存
該当なし  
2003/08/27 不服
2001 -8662 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 河合 信明 その他   NEC化合物デバイス株式会社   原文 保存
該当なし  

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