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現在の検索キーワード: 近藤 幸浩

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2014/02/20 無効
2012 -800038 
窒化ガリウム系発光素子 本件審判の請求は、成り立たない。 審判費用は、請求人の負担…… 古城 春実 その他   三洋電機 株式会社   原文 保存
該当なし  
2014/01/31 不服
2013 -17698 
垂直磁化磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 渡辺 敏章 その他   国立大学法人東北大学 株式会社日立製作所   原文 保存
該当なし  
2014/01/27 不服
2013 -3948 
読み出し動作の間にワード線に負電圧を選択的に加えるメモリ装置、無線装置、及び方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 野河 信久 その他   クゥアルコム・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2014/01/24 不服
2013 -19492 
電子装置およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社デンソー   原文 保存
該当なし  
2014/01/08 不服
2013 -12221 
通信媒体及び通信媒体処理装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 砂川 克 その他   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2014/01/06 不服
2012 -23518 
マイクロモジュールと非接触式近接通信手段を備える再現装置とからなる組立品 本件審判の請求は、成り立たない。   ジエマルト・エス・アー   原文 保存
該当なし  
2013/12/19 不服
2013 -13130 
貼り合わせ基板の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越化学工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/12/02 不服
2013 -4029 
半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/11/12 不服
2013 -15093 
半導体集積回路装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/11/11 不服
2013 -3784 
電界効果トランジスタおよび電界効果トランジスタの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2013/11/05 不服
2013 -202 
熱処理方法 本件審判の請求は、成り立たない。   国立大学法人東京農工大学   原文 保存
該当なし  
2013/11/01 不服
2012 -25435 
電圧制限用の半導体構成体 本件審判の請求は、成り立たない。 アインゼル・フェリックス=ラインハルト その他   ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング   原文 保存
該当なし  
2013/11/01 不服
2012 -12272 
高温利用可能なSiC電界効果トランジスタ、前記トランジスタの使用およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 山田 卓二 その他   クレー・スウェーデン・アクチボラゲット   原文 保存
該当なし  
2013/10/22 不服
2013 -13419 
低抵抗及び低インダクタンスの裏面貫通ビア及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 上野 剛史   インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2013/10/17 不服
2013 -2918 
パワーMOSFETのコンタクトメタライゼーション 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ビシェイ-シリコニクス   原文 保存
該当なし  
2013/10/02 不服
2012 -25776 
リバースプリンティング 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ゼロックス コーポレイション   原文 保存
該当なし  
2013/09/02 不服
2012 -25725 
半導体デバイスおよび半導体デバイスを形成する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 石川 泰男   ケンブリッジ セミコンダクター リミテッド   原文 保存
該当なし  
2013/08/27 不服
2013 -2812 
薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに液晶表示装置 本件審判の請求は、成り立たない。   NLTテクノロジー株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/08/27 不服
2012 -25662 
半導体装置および同半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 星 公弘 その他   ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング   原文 保存
該当なし  
2013/07/24 不服
2012 -18435 
基板導通を利用した積重ねダイ式の構成をもつ集積回路 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 吉澤 弘司   アギア システムズ インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし  
2013/06/25 不服
2012 -24802 
半導体デバイスにおける厚い酸化物領域およびその形成方法 本件審判の請求は、成り立たない。 岡部 讓 その他   アギア システムズ インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし  
2013/06/17 不服
2012 -19233 
SOIウエーハの製造方法及びSOIウェーハ 本件審判の請求は、成り立たない。 好宮 幹夫   信越半導体株式会社 信越化学工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/06/17 不服
2012 -19231 
SOIウエーハの製造方法及びSOIウェーハ 本件審判の請求は、成り立たない。 好宮 幹夫   信越半導体株式会社 信越化学工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/06/13 不服
2012 -22603 
イメージセンサ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 松島 鉄男 その他   インテレクチュアル・ヴェンチャーズ・II・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー   原文 保存
該当なし  
2013/06/04 不服
2012 -16913 
CMOSイメージセンサの単位画素及びCMOSイメージセンサの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 奥山 尚一 その他   インテレクチュアル・ヴェンチャーズ・II・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー   原文 保存
該当なし  
2013/06/04 不服
2012 -14867 
ベリード酸化膜を具備する半導体装置の製造方法及びこれを具備する半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 実広 信哉   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/06/03 不服
2012 -16026 
不揮発性メモリ素子の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 渡邊 隆   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/05/28 不服
2011 -26658 
低いコンタクト抵抗を有する半導体素子及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/05/15 不服
2012 -3874 
透明酸化物半導体薄膜トランジスタ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   三星ディスプレイ株式會社   原文 保存
該当なし  
2013/05/08 不服
2012 -19891 
半導体装置およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   三菱電機株式会社   原文 保存
該当なし  

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