審決検索結果一覧を表示しています。

現在の検索キーワード: 近藤 幸浩

386 件のヒット

  • ポートフォリオ機能
  • 絞り込み検索機能

チェックした審決を…
  ポートフォリオ名を入力して新規に保存 → 

 既存のポートフォリオを選択して保存 → 
絞り込み検索ワード: or or  → 
審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2012/05/22 不服
2010 -23543 
結晶化方法および薄膜半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社 液晶先端技術開発センター   原文 保存
該当なし  
2012/05/08 不服
2010 -29642 
高耐圧MOSトランジタ 本件審判の請求は、成り立たない。 福田 浩志 その他   ラピスセミコンダクタ株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/05/07 不服
2010 -19350 
縦形MOSトランジスタ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 久原 健太郎 その他   セイコーインスツル株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/05/07 不服
2010 -19351 
縦形MOSトランジスタの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 木村 信行 その他   セイコーインスツル株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/04/18 不服
2009 -9449 
コンデンサ及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 林 鉐三 その他   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2012/04/09 不服
2009 -22368 
非水系リチウム型蓄電素子および製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。 武井 英夫 その他   旭化成株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/04/02 不服
2010 -14475 
スピンFET及び磁気抵抗効果素子 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 福原 淑弘 その他   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2012/03/27 不服
2010 -14575 
不揮発性半導体メモリ 本件審判の請求は、成り立たない。 佐藤 泰和 その他   エヌエックスピー ビー ヴィ   原文 保存
該当なし  
2012/03/19 不服
2010 -23755 
半導体メモリ装置 本件審判の請求は,成り立たない。 渡邊 隆   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/03/06 不服
2008 -32935 
SOI電解効果トランジスタを製造する方法および対応する電界効果トランジスタ 本件審判の請求は,成り立たない。 山本 秀策 その他   インフィネオン テクノロジーズ アーゲー   原文 保存
該当なし  
2012/02/22 不服
2010 -8496 
フラッシュメモリセルの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
該当なし  
2012/02/06 不服
2010 -8132 
固体電解コンデンサ及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 木内 光春 その他   株式会社アルバック ハリマ化成株式会社 日本ケミコン株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/01/23 不服
2009 -15817 
エネルギ貯蔵装置用電解質 本件審判の請求は,成り立たない。 堀井 豊 その他   キャップ-エックス・エックス・リミテッド   原文 保存
該当なし  
2011/12/19 不服
2008 -30965 
圧電素子 本件審判の請求は,成り立たない。 大渕 美千栄 その他   セイコーエプソン株式会社   原文 保存
 進歩性(29条2項)  
2011/12/07 不服
2009 -20014 
積層コンデンサ及び電子機器 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 長谷川 芳樹 その他   TDK株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/10/31 不服
2009 -24924 
配線の接触構造及びその製造方法とこれを含む薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 小野 由己男 その他   サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド   原文 保存
 パリ条約  
2011/10/25 不服
2009 -23988 
半導体デバイス中の異なるシリコン含有領域上に、異なるシリサイド部分を形成する方法 本件審判の請求は、成り立たない。 佐野 良太 その他   アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド   原文 保存
 パリ条約  
2011/10/05 不服
2009 -11420 
短絡チャネルを有する炭化ケイ素パワー金属酸化物半導体電界効果トランジスタ 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 畑中 孝之 その他   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
 パリ条約  
2011/10/03 不服
2008 -30366 
ソレノイド駆動装置 本件審判の請求は,成り立たない。   サンケン電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/10/03 不服
2008 -30501 
積層基板及び半導体装置 本件審判の請求は,成り立たない。 亀谷 美明 その他   三星モバイルディスプレイ株式會社   原文 保存
該当なし  
2011/10/03 不服
2010 -13037 
低電力マルチチップ半導体メモリ装置及びそれのチップイネーブル方法 本件審判の請求は,成り立たない。 渡邊 隆 その他   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/09/28 不服
2009 -20688 
半導体記憶装置及び半導体装置並びに表示装置、液晶表示装置及び受像機 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/09/28 不服
2010 -13938 
半導体装置およびその製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。 深見 久郎 その他   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
 新規事項の追加  
2011/09/14 不服
2008 -26865 
絶縁体上に歪み結晶層を製造する方法、前記方法による半導体構造及び製造された半導体構造 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 山田 行一 その他   エス. オー. アイ. テック シリコン オン インシュレーター テクノロジーズ   原文 保存
該当なし  
2011/08/22 不服
2008 -27953 
共有リセット信号の行選択のあるフォトダイオードアクティブピクセルセンサ 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 伊東 忠彦 その他   オムニヴィジョン テクノロジーズ インコーポレイテッド   原文 保存
 パリ条約  
2011/08/19 不服
2008 -25526 
非平行なイオンビームで行う複モードのイオン注入 本件審判の請求は,成り立たない。   バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド   原文 保存
 パリ条約  新規事項の追加  
2011/08/19 不服
2008 -27546 
不揮発性半導体記憶装置の製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。 清水 守 その他   OKIセミコンダクタ株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/08/04 不服
2008 -24308 
ライン・レベル・エア・ギャップ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 坂口 博 その他   インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2011/07/25 不服
2010 -7078 
太陽電池及び太陽電池の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 藤田 考晴   三菱重工業株式会社   原文 保存
 引用発明の認定  
2011/07/11 不服
2008 -22370 
SOI半導体集積回路及びその製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  

プライバシーポリシー   セキュリティーポリシー   運営会社概要   サービスに関しての問い合わせ