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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2011/07/06 不服
2008 -26280 
半導体集積回路デバイスの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 臼井 伸一 その他   アルカテル-ルーセント ユーエスエー インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし  
2011/07/05 不服
2008 -28689 
集積回路チップ及びマルチチップパッケージ 本件審判の請求は,成り立たない。   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/07/05 不服
2008 -31780 
半導体ウエハ製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。 社本 一夫 その他   エルエスアイ コーポレーション   原文 保存
 パリ条約  新規事項の追加  
2011/06/22 不服
2010 -4120 
化合物半導体薄膜及びそれを用いた太陽電池 本件審判の請求は、成り立たない。   独立行政法人産業技術総合研究所   原文 保存
該当なし  
2011/06/22 不服
2008 -26853 
タングステンプラグで相互接続されるメタライゼーション層を備える半導体デバイスの製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。 高橋 佳大 その他   エヌエックスピー ビー ヴィ   原文 保存
該当なし  
2011/05/30 不服
2010 -8045 
同期式半導体メモリ装置及びウェーブパイプラインの制御方法 本件審判の請求は,成り立たない。 志賀 正武 その他   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/05/10 不服
2008 -7965 
磁気ネックレス 本件審判の請求は,成り立たない。   株式会社マグエックス   原文 保存
該当なし  
2011/05/10 不服
2008 -22212 
半導体集積回路装置の市場故障率推定方法及び半導体集積回路装置の製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。 竹村 壽   東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2011/05/09 不服
2008 -12694 
MOS型固体撮像装置 本件審判の請求は,成り立たない。 下山 治 その他   キヤノン株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/05/09 不服
2010 -8222 
光電変換装置 本件審判の請求は、成り立たない。 上田 邦生   三菱重工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/04/25 不服
2008 -25901 
半導体装置の作製法 本件審判の請求は,成り立たない。 福田 賢三 その他   独立行政法人産業技術総合研究所 三洋電機株式会社   原文 保存
 新規事項の追加  
2011/04/06 不服
2008 -24218 
多層拡張ドレイン構造を有する高電圧ラテラルトランジスタ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 小川 信夫 その他   パワー・インテグレーションズ・インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし  
2011/04/05 不服
2008 -24222 
多層拡張ドレイン構造を有する高電圧トランジスタを作製する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 中村 稔 その他   パワー・インテグレーションズ・インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし  
2011/03/23 不服
2008 -24221 
多層拡張ドレイン構造を有する高電圧ラテラルトランジスタ 本件審判の請求は、成り立たない。 小川 信夫 その他   パワー・インテグレーションズ・インコーポレーテッド   原文 保存
 新規事項の追加  
2011/03/22 不服
2008 -32923 
集積回路内に電池を形成する方法と装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 市位 嘉宏 その他   インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2011/03/22 不服
2008 -23613 
半導体素子のトランジスタ形成方法 本件審判の請求は、成り立たない。 荒船 博司   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
 新規事項の追加  
2011/03/22 不服
2010 -440 
互いに相補されるデータを有するメモリセルが配列されるメモリ装置 本件審判の請求は、成り立たない。   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/02/17 不服
2008 -1244 
CMOSデバイスおよびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 太佐 種一 その他   インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション   原文 保存
 パリ条約  
2011/02/14 不服
2008 -17631 
半導体メモリ装置 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2011/02/09 不服
2009 -120 
SiCの電界制御型半導体デバイスおよびその生産方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 岩本 行夫 その他   クリー、インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2010/11/29 不服
2008 -10807 
トランジスタ 本件審判の請求は、成り立たない。 杉山 秀雄 その他   中華映管股▲ふん▼有限公司   原文 保存
該当なし  
2010/11/25 不服
2008 -5524 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 速水 進治 その他   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/11/25 不服
2008 -4624 
電気光学装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 宮坂 一彦 その他   セイコーエプソン株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/09/27 不服
2008 -3330 
シリコン半導体基板及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   シルトロニック・ジャパン株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/09/13 不服
2009 -6853 
シリコン薄膜太陽電池の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 酒井 將行 その他   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/09/08 不服
2007 -31053 
半導体装置及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 大塩 竹志 その他   シャープ株式会社   原文 保存
 新規事項の追加  
2010/09/08 不服
2008 -21944 
半導体装置及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 秋田 収喜   ルネサスエレクトロニクス株式会社 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ   原文 保存
該当なし  
2010/08/30 不服
2007 -22340 
半導体デバイス 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2010/08/16 不服
2007 -26646 
MOS半導体装置 本件審判の請求は,成り立たない。   三洋電機株式会社   原文 保存
 新規事項の追加  
2010/08/02 不服
2008 -6978 
逆阻止型IGBTおよびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士電機システムズ株式会社   原文 保存
該当なし  

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