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現在の検索キーワード: 桑原 清

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2021/07/07 不服
2020 -7460 
結晶性積層構造体およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社FLOSFIA   原文 保存
該当なし  
2021/05/26 不服
2020 -14258 
イオン注入システム中のイオン源の寿命および性能を向上させる方法および装置 本件審判の請求は,成り立たない。   インテグリス・インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし  
2021/03/30 不服
2019 -17690 
複数の構造体を製造するための方法 本件審判の請求は、成り立たない。   ソイテック   原文 保存
該当なし  
2021/01/27 不服
2020 -8699 
炭化珪素半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 酒井 昭徳   国立大学法人大阪大学 富士電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2020/11/16 不服
2019 -5678 
ウェットエッチングプロセスを実行するためのシステムおよび方法 本件審判の請求は、成り立たない。 小田 直 その他   ビーコ プリジション サーフェイス プロセシング エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2020/06/24 不服
2019 -2768 
基板上の三次元構造の層のNH3含有プラズマ窒化 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2019/06/06 不服
2018 -6183 
半導体処理チャンバーのための銀リフレクタ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2019/05/08 不服
2018 -1774 
半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 杉村 憲司   株式会社SUMCO   原文 保存
該当なし  
2019/03/20 不服
2017 -17500 
炭化珪素半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 特許業務法人深見特許事務所   住友電気工業株式会社 ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2019/03/11 不服
2018 -71 
エピタキシャルウェーハの製造方法及び貼り合わせウェーハの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 福井 敏夫 その他   株式会社SUMCO   原文 保存
該当なし  
2018/03/29 不服
2017 -5876 
エピタキシャルシリコンウェーハ 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社SUMCO   原文 保存
該当なし  
2018/03/19 不服
2017 -9976 
高圧急速熱処理のための装置および方法 本件審判の請求は、成り立たない。   アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2018/01/29 不服
2016 -19673 
シリコンまたは類似の基板上に窒化ガリウムの厚いエピタキシャル層を形成するための方法、およびこの方法を使用して得られる層 本件審判の請求は、成り立たない。 特許業務法人 谷・阿部特許事務所   ソイテック サントル ナショナル ドゥ ラ ルシェルシュ スィヤンティフィック(セーエヌエルエス)   原文 保存
該当なし  
2017/12/26 不服
2017 -6364 
半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 福井 敏夫 その他   株式会社SUMCO   原文 保存
該当なし  
2017/12/26 不服
2017 -6363 
エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、エピタキシャルシリコンウェーハ、および固体撮像素子の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 杉村 憲司 その他   株式会社SUMCO   原文 保存
該当なし  
2017/12/06 不服
2017 -6362 
半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 杉村 憲司 その他   株式会社SUMCO   原文 保存
該当なし  
2017/12/06 不服
2017 -2962 
半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 杉村 憲司   株式会社SUMCO   原文 保存
該当なし  
2017/11/13 不服
2017 -8491 
電子デバイス用エピタキシャル基板の製造方法、並びに電子デバイスの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 好宮 幹夫 その他   信越半導体株式会社 サンケン電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2017/08/22 不服
2014 -22221 
照射パルス熱処理方法および装置 本件審判の請求は、成り立たない。   マトソン テクノロジー、インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2017/06/12 不服
2016 -15432 
不純物拡散層形成組成物、不純物拡散層の製造方法、太陽電池素子の製造方法、及び太陽電池 本件審判の請求は,成り立たない。   日立化成株式会社   原文 保存
該当なし  
2017/05/29 不服
2016 -10872 
多結晶シリコン製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   上海和輝光電有限公司   原文 保存
該当なし  
2017/05/09 不服
2016 -9751 
半導体素子及びその製造方法、並びに結晶積層構造体 本件審判の請求は、成り立たない。 岩永 勇二 その他   株式会社タムラ製作所 国立研究開発法人情報通信研究機構   原文 保存
該当なし  
2016/11/28 不服
2015 -8395 
非平面な基板表面を有する基板を処理する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2016/10/17 不服
2015 -12631 
LED基板処理 本件審判の請求は、成り立たない。   アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2016/06/06 不服
2014 -25341 
バッチ式熱処理装置及び該装置に適用されるヒータ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 勝見 陽介 その他   株式会社テラセミコン   原文 保存
該当なし  
2016/04/06 不服
2014 -16708 
工作物の熱誘起運動を抑制する機器及び装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   マトソン テクノロジー、インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2016/03/28 不服
2014 -16120 
高抵抗シリコンウェーハの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 五十嵐 光永 その他   株式会社SUMCO   原文 保存
該当なし  
2016/03/28 不服
2014 -16121 
高抵抗シリコンウェーハの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 寺本 光生 その他   株式会社SUMCO   原文 保存
該当なし  
2016/03/28 異議
2015 -700304 
不純物のゲッタリングプロセスで絶縁層付きの半導体基板を製造する方法 特許第5752264号の請求項1ないし4に係る特許を維持する。 皆川 祐一 その他     原文 保存
該当なし  
2016/02/23 不服
2014 -22645 
シリコンウェーハの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社SUMCO   原文 保存
該当なし  

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