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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2013/06/24 不服
2012 -10650 
拡散バリアー層及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   モサイド・テクノロジーズ・インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし  
2013/03/27 不服
2011 -27790 
熱電装置およびその用途 本件審判の請求は、成り立たない。 清水 初志 その他   バッテル メモリアル インスティチュート   原文 保存
該当なし  
2013/01/30 不服
2011 -24123 
半導体装置及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/01/07 不服
2012 -5547 
半導体装置及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/12/12 不服
2011 -9416 
超伝導スイッチング素子 本件審判の請求は、成り立たない。   津久井 克幸   原文 保存
該当なし  
2012/09/25 不服
2010 -21103 
テープ基板上の超伝導材料のための方法および装置 本件審判の請求は、成り立たない。 尾原 静夫   メトル、アクサイド、テクナラジズ、インク   原文 保存
該当なし  
2012/08/20 不服
2010 -15359 
複数の厚みを持つ埋め込み酸化膜上に形成される半導体装置およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2012/07/17 不服
2010 -17347 
熱電変換材料 本件審判の請求は、成り立たない。   大日本印刷株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/07/11 不服
2010 -9207 
半導体装置のための、SiまたはSiC上に厚い酸化物を形成する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 澤田 達也   インターナショナル レクティフィアー コーポレイション   原文 保存
該当なし  
2012/07/03 不服
2010 -24299 
レーザ走査装置および熱処理方法 本件審判の請求は、成り立たない。 大渕 美千栄   ウルトラテック インク   原文 保存
該当なし  
2012/06/27 不服
2010 -16234 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/04/24 不服
2010 -21455 
エッチング停止層としてポリシリコン再酸化層を使用することによって、シリコン層の凹部を減少する窒化オフセットスペーサ 本件審判の請求は、成り立たない。   アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2012/04/17 不服
2009 -25151 
非酸素析出性のチョクラルスキーシリコンウエハを製造する方法 本件審判の請求は、成り立たない。 新免 勝利 その他   エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2012/03/30 不服
2009 -24287 
サセプタの駆動温度制御のための方法並びに装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 竹内 将訓 その他   東京エレクトロン株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/02/22 不服
2010 -19866 
リチウム二次電池 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 村山 靖彦   三星エスディアイ株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/02/20 不服
2010 -12737 
半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
 新規事項の追加  
2012/02/17 不服
2010 -11665 
配線形成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 志賀 正武   セイコーエプソン株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/01/23 不服
2010 -27174 
化合物半導体薄膜のp型への活性化方法 本件審判の請求は、成り立たない。 小野 由己男   サムスン エルイーディー カンパニー リミテッド   原文 保存
該当なし  
2012/01/19 不服
2010 -12845 
非水電解質二次電池 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2012/01/18 不服
2010 -18151 
通電端子用アダプタ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 実広 信哉 その他   タイコエレクトロニクスジャパン合同会社   原文 保存
該当なし  
2012/01/12 不服
2009 -21631 
電界効果トランジスタ、その使用、およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 森下 夏樹 その他   インフィネオン テクノロジーズ アーゲー   原文 保存
 パリ条約  
2012/01/12 不服
2010 -10473 
二次電池 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   三星エスディアイ株式会社   原文 保存
 パリ条約  
2012/01/10 不服
2009 -22341 
相変化性メモリ材料と誘電材料との混合物から成る複合メモリ材料 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 三好 秀和 その他   エナージー コンバーション デバイセス インコーポレイテッド   原文 保存
 パリ条約  
2011/12/19 不服
2009 -17135 
自己整合両面垂直MIMコンデンサ 本件審判の請求は、成り立たない。   インフィネオン テクノロジーズ ノース アメリカ コーポレイション   原文 保存
該当なし  
2011/12/12 不服
2010 -8095 
熱電変換セグメント素子及びその製造方法。 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   独立行政法人産業技術総合研究所   原文 保存
該当なし  
2011/11/24 不服
2010 -16776 
熱電変換ユニット 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 波多野 久   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2011/11/08 不服
2009 -23085 
半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 伊藤 高順 その他   株式会社デンソー   原文 保存
該当なし  
2011/11/02 不服
2010 -8052 
SONOS型装置の分離を改善するためのONO形成中のソース・ドレイン注入 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 深見 久郎 その他   スパンション エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2011/10/27 不服
2009 -20343 
分散されたゲートドライバを備えた電源集積回路 本件審判の請求は、成り立たない。 小川 信夫 その他   パワー・インテグレーションズ・インコーポレーテッド   原文 保存
 新規事項の追加  
2011/10/20 不服
2009 -20114 
単結晶シリコンウエハの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 佐藤 洋 その他   エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド   原文 保存
 パリ条約  

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