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現在の検索キーワード：高野芳徳

53 件のヒット

審決年月日	審判番号	発明・考案の名称	結論	代理人	請求人
2012/08/31	不服 2011 -6301	可変抵抗特性を有するメモリ装置の制御	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	仲村義平その他	アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド	原文	保存
該当なし
2012/07/31	不服 2011 -16236	プログラミングメモリデバイス	本件審判の請求は、成り立たない。	野村泰久	マイクロンテクノロジー, インク.	原文	保存
該当なし
2012/07/03	不服 2011 -13013	半導体不揮発記憶装置	本件審判の請求は、成り立たない。		独立行政法人産業技術総合研究所	原文	保存
該当なし
2012/06/14	不服 2010 -10566	メモリを読み出すためのビット特定基準レベルの使用	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	伊東忠重その他	オヴォニクス,インコーポレイテッド	原文	保存
該当なし
2012/05/23	不服 2011 -3845	不揮発性強誘電体レジスタを利用した入出力バイト制御装置	本件審判の請求は、成り立たない。	長谷照一その他	ハイニックスセミコンダクターインク	原文	保存
該当なし
2012/04/24	不服 2010 -28609	半導体素子の高電圧スイッチ回路	本件審判の請求は、成り立たない。	藤田考晴その他	ハイニックスセミコンダクターインク	原文	保存
該当なし
2012/03/30	不服 2010 -5526	不揮発性強誘電体メモリ装置の駆動回路並びにその駆動方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	西山修その他	ハイニックスセミコンダクターインク	原文	保存
該当なし
2012/02/06	不服 2010 -25140	半導体メモリでのデータリード回路及びデータリード方法	本件審判の請求は、成り立たない。	実広信哉	三星電子株式会社	原文	保存
該当なし
2012/01/27	不服 2010 -18491	トランジスタを用いないランダムアクセスメモリ	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	城村邦彦その他	旺宏電子股▲ふん▼有限公司	原文	保存
該当なし
2012/01/18	不服 2010 -11300	リセットセル閾値デバイスをトリガすることなく相変化メモリを読み出す方法	本件審判の請求は、成り立たない。	大貫進介その他	オヴォニクス,インコーポレイテッド	原文	保存
該当なし
2011/09/13	不服 2010 -13283	半導体メモリ素子の高電圧発生器用高電圧チャージポンプ回路	本件審判の請求は、成り立たない。		株式会社ハイニックスセミコンダクター	原文	保存
パリ条約
2011/08/16	不服 2010 -11204	アドレス信号によって動作モードを設定するメモリシステム及び方法	本件審判の請求は、成り立たない。	渡邊隆その他	三星電子株式会社	原文	保存
パリ条約
2011/07/29	不服 2009 -18084	非揮発性強誘電体メモリ装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	長谷照一	株式会社ハイニックスセミコンダクター	原文	保存
該当なし
2011/06/07	不服 2009 -7382	高速強誘電体メモリ装置及びそれの書き込み方法	本件審判の請求は、成り立たない。		三星電子株式会社	原文	保存
該当なし
2011/06/06	不服 2010 -9498	複合化フラッシュメモリ及びそれを搭載した携帯用機器	本件審判の請求は、成り立たない。		株式会社リコー	原文	保存
新規事項の追加
2011/04/11	不服 2008 -31071	強誘電体メモリへの過剰駆動アクセス方法と強誘電体記憶装置	本件審判の請求は、成り立たない。		マクロニクスインターナショナルカンパニーリミテッド	原文	保存
該当なし
2011/03/18	不服 2010 -22123	不揮発性メモリ	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	溝部孝彦その他	ソリッドステートストレージソリューションズエルエルシー	原文	保存
該当なし
2011/03/18	不服 2010 -22124	不揮発性メモリ装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	西山清春その他	ソリッドステートストレージソリューションズエルエルシー	原文	保存
該当なし
2011/02/02	不服 2008 -12407	強誘電体又はエレクトレット・メモリ・デバイスを作動する方法及び装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	浅村肇その他	シンフイルムエレクトロニクスエイエスエイ	原文	保存
該当なし
2011/01/18	不服 2008 -9320	コンプリメンタリ・ビットPCRAMセンス増幅器及びその動作方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	英貢	マイクロンテクノロジー, インク.	原文	保存
該当なし
2010/11/16	不服 2008 -21102	不揮発性強誘電体メモリ装置及びそれを用いたマルチビットデータの読出し方法	本件審判の請求は、成り立たない。	黒川弘朗その他	株式会社ハイニックスセミコンダクター	原文	保存
該当なし
2010/10/14	不服 2008 -32237	フラッシュメモリ装置	本件審判の請求は、成り立たない。		株式会社ハイニックスセミコンダクター	原文	保存
実施可能要件
2010/09/27	不服 2007 -21063	メモリセルアレイを動作させる方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	森下夏樹その他	インフィネオンテクノロジーズアクチエンゲゼルシャフト	原文	保存
該当なし
2010/09/27	不服 2008 -9863	プログラマブル導電ランダムアクセスメモリ及びその検知方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	英貢	マイクロンテクノロジー, インク.	原文	保存
該当なし
2010/09/14	不服 2008 -11591	不揮発性半導体記憶装置	本件審判の請求は、成り立たない。		シャープ株式会社	原文	保存
新規事項の追加
2010/08/02	不服 2008 -13609	半導体記憶装置	本件審判の請求は、成り立たない。	田村和彦	株式会社東芝	原文	保存
新規事項の追加
2010/07/14	不服 2008 -11062	メモリ装置	本件審判の請求は、成り立たない。	安村高明その他	パトレネラキャピタルリミテッド, エルエルシー	原文	保存
該当なし
2010/05/31	不服 2007 -25288	半導体メモリ	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	鈴木伸夫	ソニー株式会社	原文	保存
該当なし
2010/05/12	不服 2007 -22643	不揮発性半導体記憶装置及びその動作方法、製造方法、半導体集積回路及びシステム	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		株式会社東芝	原文	保存
該当なし
2010/04/28	不服 2007 -30269	メモリ回路用の電圧トランスレータ	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	林鉐三その他	テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド	原文	保存
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