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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2014/08/27 不服
2013 -10953 
半導体装置の製造方法及び基板処理装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 油井 透 その他   株式会社日立国際電気   原文 保存
該当なし  
2014/08/07 不服
2013 -4329 
多孔質の有機シリカガラス膜を製造するための化学気相成長法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 小林 良博 その他   エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2014/08/07 不服
2013 -10599 
成膜装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 伊東 忠重   東京エレクトロン株式会社   原文 保存
該当なし  
2014/07/04 不服
2013 -22734 
プラズマエッチング装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 砂川 克 その他   芝浦メカトロニクス株式会社 株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2014/06/10 不服
2013 -14961 
半導体バッファ構造 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ.   原文 保存
該当なし  
2014/05/22 不服
2013 -5057 
基板処理装置、そのコーティング方法、基板処理方法及び半導体デバイスの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 加藤 和詳 その他   株式会社日立国際電気   原文 保存
該当なし  
2014/04/15 不服
2013 -15206 
被処理体の処理方法、処理装置、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   東京エレクトロン株式会社   原文 保存
該当なし  
2014/04/08 不服
2013 -23894 
気化器 本件審判の請求は、成り立たない。 福森 久夫   株式会社渡辺商行 都田 昌之   原文 保存
該当なし  
2014/02/12 不服
2013 -13340 
超高アスペクト比の誘電体パルスエッチング 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ラム リサーチ コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2014/01/17 不服
2012 -19948 
半導体基板を均一にエッチングするためのガス噴射 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 大塚 康弘 その他   ラム リサーチ コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2014/01/10 不服
2013 -7105 
エッチング中のラインエンドショートニングの低減 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ラム リサーチ コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2013/12/26 不服
2013 -762 
ベベル洗浄装置及び方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ラム リサーチ コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2013/11/21 不服
2013 -2264 
誘電薄膜組成物、これを用いた金属酸化物誘電薄膜およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/11/05 不服
2012 -14609 
原子層堆積に溶液系前駆体を用いる方法及び装置 本件審判の請求は、成り立たない。 森下 梓 その他   ザ・ビーオーシー・グループ・インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし  
2013/10/08 不服
2012 -21859 
低誘電率膜のアッシング/ウエットエッチング損傷抵抗と組込み安定性を改善する方法 本件審判の請求は、成り立たない。 小林 義教   アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2013/10/07 不服
2012 -24458 
高周波用半導体素子形成用のエピタキシャル基板および高周波用半導体素子形成用エピタキシャル基板の作製方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 吉竹 英俊   日本碍子株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/10/03 不服
2011 -12215 
一体型計測を使用して誘電体エッチング効率を改善する方法及び装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2013/10/01 不服
2012 -23391 
DCバイアス電圧に応答した制御を含む真空プラズマプロセッサ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ラム リサーチ コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2013/09/26 不服
2013 -399 
線形的誘電特性を示す誘電体薄膜組成物 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   コリア・インスティテュート・オブ・サイエンス・アンド・テクノロジー   原文 保存
該当なし  
2013/08/13 不服
2012 -21134 
プロセスチャンバのためのガス注入器および光アクセスのための方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ラム リサーチ コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2013/07/09 不服
2012 -15570 
単分子層堆積方法および装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 大貫 進介 その他   東京エレクトロン株式会社 ト-キョ-・エレクトロン・アメリカ・インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし  
2013/06/28 不服
2012 -25948 
複数の容量および誘導プラズマ源を備えたプラズマ処理リアクタ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ラム リサーチ コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2013/06/07 不服
2011 -27815 
基板処理方法、プラズマ室、および半導体デバイスの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ラム リサーチ コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2013/06/07 不服
2011 -25305 
膜形成先駆物質の制御による窒化シリコン膜の特性及び均一性の制御 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 園田 吉隆   アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2013/06/04 不服
2012 -6232 
誘導結合コイルおよび該誘導結合コイルを用いた誘導結合プラズマ装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 特許業務法人アイ・ピー・エス   北京北方▲微▼▲電▼子基地▲設▼▲備▼工▲芸▼研究中心有限▲責▼任公司   原文 保存
該当なし  
2013/05/27 不服
2012 -24023 
Si含有膜を成膜する連続的成膜処理方法 本件審判の請求は、成り立たない。 伊東 忠彦 その他   東京エレクトロン株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/05/20 不服
2012 -12973 
誘電フィルム及び材料における疎水性を回復する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 星野 修 その他   ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし  
2013/04/22 不服
2012 -18682 
半導体製造方法および半導体製造装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社ニューフレアテクノロジー   原文 保存
該当なし  
2013/04/17 不服
2012 -16342 
クリーニング・プロセスのための副産物収集する製造プロセス及び製造装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 上野 剛史 その他   インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2013/04/05 不服
2011 -17797 
多重周波数プラズマ・エッチング反応装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ラム リサーチ コーポレーション   原文 保存
該当なし  

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