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現在の検索キーワード: 柴垣 宙央

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2021/11/11 不服
2020 -17173 
酸化物半導体基板及びショットキーバリアダイオード 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   出光興産株式会社   原文 保存
該当なし  
2021/11/01 不服
2021 -8300 
炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2021/10/13 不服
2021 -7363 
積層体 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   出光興産株式会社   原文 保存
該当なし  
2021/06/02 不服
2020 -3600 
炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 崔 允辰 その他   ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ   原文 保存
該当なし  
2021/04/28 異議
2019 -700923 
半導体装置 特許第6515842号の明細書及び特許請求の範囲を訂正請求書に添付…… 特許業務法人明成国際特許事務所     原文 保存
該当なし  
2021/04/26 不服
2020 -11958 
化合物半導体装置及びその製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。   富士通株式会社   原文 保存
該当なし  
2021/03/30 不服
2020 -11790 
半導体装置およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   富士電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2021/03/30 不服
2019 -10542 
ワイドバンドギャップ半導体材料用IGBT構造 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2020/12/09 不服
2020 -4924 
半導体装置、電力変換装置および半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 有田 貴弘   三菱電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2020/06/08 不服
2019 -11053 
SNS型ジョセフソン接合素子の製造方法及びSNS型ジョセフソン接合素子製造装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 黒木 義樹 その他   住友重機械工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2020/06/02 不服
2019 -7150 
高耐圧ショットキーバリアダイオード 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 特許業務法人平田国際特許事務所 その他   国立大学法人東京農工大学 株式会社タムラ製作所 国立研究開発法人情報通信研究機構   原文 保存
該当なし  
2020/04/28 不服
2018 -16716 
エピタキシャル成長による半導体デバイスの製作 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   インフィネオン テクノロジーズ アーゲー   原文 保存
該当なし  
2020/04/24 不服
2019 -3381 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2019/12/09 不服
2018 -14285 
炭化珪素半導体装置およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 村上 加奈子 その他   三菱電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2019/11/12 不服
2018 -7922 
炭化ケイ素装置におけるオーミック接触のためのシステム及び方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 関口 一哉 その他   ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ   原文 保存
該当なし  
2018/06/25 不服
2017 -9394 
炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 酒井 昭徳   国立研究開発法人産業技術総合研究所 富士電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2017/08/17 不服
2017 -1324 
炭化珪素半導体装置およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 村上 加奈子 その他   三菱電機株式会社   原文 保存
該当なし  

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