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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2018/02/05 不服
2017 -752 
炭化珪素装置および炭化珪素装置の形成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   インフィネオン テクノロジーズ アーゲー   原文 保存
該当なし  
2018/01/29 不服
2016 -18106 
集積回路の異なる階層上の、読取/書込ポートおよびアクセスロジックを有する3Dメモリセル 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 蔵田 昌俊 その他   クゥアルコム・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2018/01/29 不服
2016 -17524 
有機電子装置を調製するための配合物および方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 小野 暁子   メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング   原文 保存
該当なし  
2018/01/29 不服
2017 -4779 
ヘテロ接合電界効果トランジスタ現象を観察する方法及び装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社豊田中央研究所   原文 保存
該当なし  
2018/01/29 不服
2017 -1738 
半導体素子、半導体基板、感放射線性樹脂組成物、保護膜および表示素子 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 仲野 孝雅   JSR株式会社   原文 保存
該当なし  
2018/01/24 不服
2017 -1845 
熱電変換材料およびそれを用いた熱電変換モジュール並びに熱電変換材料の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 蔵田 昌俊 その他   株式会社東芝 東芝マテリアル株式会社   原文 保存
該当なし  
2018/01/09 不服
2017 -12715 
情報コード表示媒体及び情報コード読取システム 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社デンソーウェーブ   原文 保存
該当なし  
2018/01/09 不服
2017 -1666 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし  
2018/01/05 不服
2016 -14095 
半導体装置、およびその製造方法、ならびにデータ処理装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 緒方 和文 その他   ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル   原文 保存
該当なし  
2017/12/26 不服
2017 -6363 
エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、エピタキシャルシリコンウェーハ、および固体撮像素子の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 杉村 憲司 その他   株式会社SUMCO   原文 保存
該当なし  
2017/12/26 不服
2017 -6364 
半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 杉村 憲司 その他   株式会社SUMCO   原文 保存
該当なし  
2017/12/19 不服
2017 -1308 
不揮発性メモリアレイ及びフラクショナルワードプログラミングのための不揮発性メモリアレイを使用する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 上杉 浩 その他   シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2017/12/18 不服
2017 -8478 
固体撮像装置及び電子機器 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし  
2017/12/18 不服
2017 -7268 
半導体基板パッシベーション膜形成用組成物、パッシベーション膜付半導体基板及びその製造方法、並びに太陽電池素子及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   日立化成株式会社   原文 保存
該当なし  
2017/12/13 不服
2016 -59 
集積スマートパワースイッチ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 竹内 茂雄 その他   レイセオン カンパニー   原文 保存
該当なし  
2017/12/06 不服
2017 -2962 
半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 川原 敬祐   株式会社SUMCO   原文 保存
該当なし  
2017/12/06 不服
2017 -6362 
半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 杉村 憲司 その他   株式会社SUMCO   原文 保存
該当なし  
2017/12/04 不服
2017 -1969 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 速水 進治   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2017/11/28 不服
2016 -18187 
近接場光を用いたエッチング方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   特定非営利活動法人ナノフォトニクス工学推進機構   原文 保存
該当なし  
2017/11/21 不服
2016 -15942 
接合障壁アレイのエレメントのための凹部を用いるショットキー・ダイオード 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 山本 修 その他   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2017/11/21 不服
2016 -14146 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし  
2017/11/13 不服
2016 -15860 
半導体アセンブリおよび製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 荒川 聡志 その他   ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ   原文 保存
該当なし  
2017/11/13 不服
2016 -11397 
高性能チャンネルを有する半導体デバイス 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 山本 修 その他   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2017/10/30 不服
2016 -16739 
半導体装置、スイッチング電源用制御ICおよびスイッチング電源装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2017/10/02 不服
2017 -3002 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし  
2017/10/02 不服
2016 -19552 
横チャネル領域を有する接合型電界効果トランジスタセル 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   インフィネオン テクノロジーズ アーゲー   原文 保存
該当なし  
2017/10/02 不服
2016 -18082 
熱処理装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 吉竹 英俊   株式会社SCREENホールディングス   原文 保存
該当なし  
2017/10/02 不服
2016 -7078 
化合物半導体装置及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通株式会社   原文 保存
該当なし  
2017/09/28 不服
2016 -19166 
半導体装置の作製方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし  
2017/09/27 不服
2017 -105 
集積ダイアモンド変換画素化撮像装置及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 阿部 達彦 その他   コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ   原文 保存
該当なし  

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