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現在の検索キーワード: 早川 朋一

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2017/11/21 不服
2016 -15942 
接合障壁アレイのエレメントのための凹部を用いるショットキー・ダイオード 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 竹内 茂雄 その他   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2017/11/13 不服
2016 -15860 
半導体アセンブリおよび製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 小倉 博 その他   ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ   原文 保存
該当なし  
2017/10/02 不服
2016 -7078 
化合物半導体装置及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通株式会社   原文 保存
該当なし  
2017/06/20 不服
2016 -14857 
電力用半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 村上 加奈子 その他   三菱電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2017/06/13 異議
2017 -700369 
電力用半導体装置 特許第6008145号の請求項1ないし8に係る特許を維持する。 稲葉 忠彦 その他     原文 保存
該当なし  
2017/06/08 不服
2016 -19243 
半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 有田 貴弘   三菱電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2017/06/05 不服
2016 -14835 
半導体装置および半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 倉谷 泰孝 その他   三菱電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2017/05/29 不服
2016 -14495 
半導体素子用エピタキシャル基板の作製方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 吉竹 英俊   日本碍子株式会社   原文 保存
該当なし  
2017/05/10 不服
2016 -4639 
高電子移動度トランジスタ半導体デバイスおよびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 本田 淳 その他   ノースロップ グラマン システムズ コーポレイション   原文 保存
該当なし  
2017/04/11 不服
2016 -10494 
半導体素子 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   國立交通大學   原文 保存
該当なし  
2017/03/24 不服
2016 -9825 
高電圧トレンチ接合ショットキーバリアダイオード 本件審判の請求は、成り立たない。 前川 純一 その他   ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング   原文 保存
該当なし  
2017/02/21 不服
2016 -3877 
半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。   富士電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2017/01/10 不服
2015 -8033 
半導体装置とその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 特許業務法人快友国際特許事務所   株式会社豊田中央研究所 トヨタ自動車株式会社   原文 保存
該当なし  
2017/01/04 不服
2015 -7245 
縦型JFET制限型シリコンカーバイドパワー金属酸化膜半導体電界効果トランジスタおよび縦型JFET制限型シリコンカーバイド金属酸化膜半導体電界効果トランジスタを製造する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2016/11/11 不服
2016 -255 
高電子移動度および不均一な層抵抗を有するガイドチャネルを備えたトランジスタ 本件審判の請求は、成り立たない。 アインゼル・フェリックス=ラインハルト その他   ユナイティッド モノリスィック セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング   原文 保存
該当なし  
2016/11/02 不服
2015 -22093 
半導体装置及び半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 伊東 忠重 その他   富士通株式会社   原文 保存
該当なし  
2016/10/31 不服
2015 -11131 
半導体装置及び電源装置 本件審判の請求は、成り立たない。 江口 昭彦 その他   トランスフォーム・ジャパン株式会社   原文 保存
該当なし  
2016/10/03 不服
2014 -23196 
トランジスタ構造の決定方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 林 恒徳   フラウンホッファー-ゲゼルシャフト ツァ フェルダールング デァ アンゲヴァンテン フォアシュンク エー.ファオ   原文 保存
該当なし  
2016/10/03 不服
2014 -26107 
異なる半導体材料の半導体相互接続層及び半導体チャネル層を備えたトランジスタ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 上杉 浩 その他   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2016/09/21 不服
2015 -13222 
半導体デバイス 本件審判の請求は、成り立たない。   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2016/09/07 不服
2015 -10717 
半導体基板、半導体基板の製造方法、半導体基板の判定方法、および電子デバイス 本件審判の請求は、成り立たない。 林 茂則   住友化学株式会社   原文 保存
該当なし  
2016/09/06 不服
2015 -12521 
高電子移動度トランジスタおよび絶縁ゲート電界効果トランジスタ 本件審判の請求は、成り立たない。 山田 卓二 その他   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2016/08/15 不服
2015 -12541 
酸化ニッケルを含むゲートを有する半導体デバイス及びその作製方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 田中 伸一郎 その他   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2016/07/21 不服
2015 -11650 
超接合半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2016/07/19 不服
2014 -23374 
エネルギー障壁を有するヘテロ接合トランジスタおよび関連する方法 本件審判の請求は、成り立たない。   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2016/03/28 不服
2015 -4491 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 河野 努 その他   富士通株式会社   原文 保存
該当なし  
2016/02/02 不服
2014 -23924 
半導体装置、及び半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2015/12/21 不服
2014 -22588 
半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 伊東 忠彦   ミツミ電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2015/11/24 不服
2014 -22554 
化合物半導体装置及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   富士通株式会社   原文 保存
該当なし  
2015/10/26 不服
2014 -19627 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  

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